提起双极型（Bipolar）工艺，人们自然会联想到它是一种专为双极型晶体管（BJT, Bipolar Junction Transistor）设计的半导体制造技术。在这类工艺中，三极管是最主要的器件。
然而，除了三极管之外，电阻也是电路设计中不可或缺的组成部分。
由于工艺过程中涉及多种材料和结构，Bipolar工艺支持多种类型的电阻设计，从而能够满足不同的电路需求。
双极型工艺中的材料
（图源：IPBrain平台）
Tips：
图上用P-,P+,N-,N+，表示了组成双极型工艺的各个注入层的大致掺杂情况；上图所示为PN结隔离的方法，实际上有多种隔离方法。
下面是平台君找到两款Bipolar工艺芯片，来看看这个芯片中都有哪些类型的电阻吧！
LM10是德州仪器的一款电压基准源及运算放大器。
LM10芯片简介
（图源：芯片规格书）
根据规格书了解到LM10系列是单片线性IC，包含一个高精度基准电压源、可调节参考缓冲器以及独立的高质量运算放大器。
该器件的工作电源电压范围可低至1.1V，也可高达40V，功耗仅为270微安。其互补输出级能够在电源轨附近摆动15mV，或在±0.4V的饱和状态下提供±20mA的输出电流。参考输出电压最低可达200mV。
该电路建议用于便携式设备，并且完全指定用于从单个电源单元运行。
下图是该芯片的顶层局部概貌图。
LM10顶层局部概貌图
（图源：IPBrain平台）
根据图像信息平台君找到并汇总了以下几种电阻类型：
LM10中的电阻类型
（图源：IPBrain平台）
BASE：前面提到过，Bipolar工艺是专为三极管优化的，Bipolar中的P+也被称为Base，因其主要的作用是用来制作VNPN的基极。所以，将P+电阻称为RBASE。
RBASE示意图
（图源：IPBrain平台）
RHSR：RBASE毕竟是P+，电阻率太低，因此大多数Bipolar都支持一种高阻注入电阻，称为RHSR（High Sheet Resistance），这种电阻可以弥补RBASE电阻太小的不足。
Tips：
高阻注入是一种浓度很小的P型注入，相当于P-。
RHSR示意图
（图源：IPBrain平台）
RBPINCH：Base电阻增加覆盖层后，变成埋层电阻，通常将其取名为RBPINCH，意思是基区收缩电阻。通常的电阻其上表面都是开放的，未接触任何导电材料，而埋层电阻不同，上表面上覆盖有东西，如下图：
RBASE和增加了覆盖层后的Base电阻的纵剖图
（图源：IPBrain平台）
下图是该芯片中一个运放模块电路图，电路图中包含了上述所有类型的电阻。
LM10芯片中的运算放大器电路图
（图源：IPBrain平台）
NCV5171是安森美半导体的一款汽车用升压转换器 。
NCV5171芯片简介
（图源：芯片规格书）
根据规格书了解到NCV5171是高效率的280千赫兹/560千赫兹开关调节器，配备内置1.5安培开关。
该芯片在宽广的输入电压范围内工作，覆盖范围从2.7伏到30伏。
设计的高度灵活性使它们能够适用于多种电源配置，包括升压、反激式、正向、倒置和SEPIC拓扑结构。
采用电流模式架构，NCV5171/73产品实现了出色的负载和线路调节能力，并提供了有效的限流手段。
下图是该芯片的顶层局部概貌图。
NCV5171顶层局部概貌图
（图源：IPBrain平台）
平台君找到并汇总了以下几种电阻类型：
NCV5171中的电阻类型
（图源：IPBrain平台）
除了前面LM10芯片中提到的RBASE和RHSR电阻，NCV5171这个芯片中还有一种电阻，射极电阻REMITTER。
和Base电阻类似，射极电阻是利用N+制成，N+在Bipolar工艺中用来制作VNPN的E极，因此N+也称为Emitter。
RESEMITTER示意图
（图源：IPBrain平台）
其主要作用是连接在发射极与地之间，用于稳定放大器的工作点，防止高频振荡。它还能帮助改善放大器的线性度和减少失真。
下图是该芯片的顶层电路图，红框位置是射极电阻。
NCV5171芯片顶层电路图
（图源：IPBrain平台）
最后，总结一下这几种常见类型的电阻。
这些电阻不仅在电路中起到调节、分压、限流等基础作用，还直接影响到整体电路的性能和稳定性。
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