英特尔公布300mm硅光子晶圆技术，瞄准AI/HPC互连瓶颈
10月19日消息，在2026年开放计算项目（OCP）全球峰会上，英特尔正式公布其硅光子愿景及高量产的300毫米（12英寸）硅光子晶圆技术。
英特尔数据中心系统与解决方案副总裁尼克·杜贝（Nic Dubé）将硅光子技术誉为下一代系统的“黄金之锤”。他宣称，英特尔是目前唯一能够以300毫米磷化铟（InP）硅光子技术、面向全行业大规模供货的高产能晶圆代工厂，该技术主要应用于面向AI和高性能计算（HPC）的近封装光学（NPO）与共封装光学（CPO）领域。
突破传输与能耗瓶颈，解决行业痛点
杜贝指出，芯片行业目前在传输距离、封装边缘带宽密度以及每比特能耗三个维度上同时遭遇瓶颈，而硅光子是能够一并解决这些约束的关键技术路径。对于急速扩张的AI与高性能计算集群而言，海量GPU、CPU与内存池之间的数据搬运效率，已直接制约整体系统性能的进一步提升。
当前光学收发器市场中，激光芯片与磷化铟材料长期供不应求。磷化铟作为直接带隙材料，是硅光子系统中不可或缺的光源基础。目前行业常规的磷化铟衬底尺寸仍停留在150毫米级别，与硅基CMOS标准的300毫米存在显著落差。
英特尔通过将磷化铟光源技术整合进300毫米硅晶圆制程，旨在大幅提升制造效率与产能规模。按照规划，这些300毫米晶圆将承载面向HPC与AI领域未来NPO与CPO功能所需的尖端硅材料。
可靠性验证与低功耗目标
集成激光器的可靠性是英特尔构建竞争力的另一大支柱。自2016年投入商用以来，英特尔在硅光子领域累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。
相关学术会议披露的测试数据显示，英特尔混合激光器在加速寿命测试中失效率低于0.1 FIT，并基于超过600万个现场部署激光器的三年数据验证了其可靠性。对于需要集成光源且要求“免维护”的系统设计而言，这一经过大规模部署验证的记录构成了实质性的准入门槛。英特尔表示，将推动外部光源的社区标准，为行业提供由美国晶圆厂制造的多波长光源。
在系统层面，英特尔不仅提供更高带宽的互连管道，还声称将提供先进的互连拓扑，并在运行时对不同类型的CPU、GPU与内存池资源进行编排，以适应持续膨胀的AI模型规模。
能耗方面，英特尔预计光子学系统可将能耗降至5 pJ/bit以下，这被描述为业界期待已久的门槛。在2026年光纤通信大会的相关披露中，英特尔面向AI scale-up场景的光学计算互连芯粒，同样将端到端功耗效率目标设定在低于5 pJ/bit，带宽密度目标超过1 Tb/s/mm。
产业化前景与挑战
早在2022年，英特尔实验室便展示了在300毫米混合硅光子平台上制造的8波长分布式反馈激光器阵列，当时即强调该成果可利用现有晶圆厂制程实现规模化生产。如今在OCP 2026上的发布，实质上是将这一制造路线图推向产业化前台，并试图将英特尔代工定位为整个行业硅光子晶圆的底层供应商。
杜贝承认，关于硅光子成为行业标准的讨论已持续一段时间，但他表示英特尔团队正在全力推动其在未来几年内落地。
值得注意的是，当一家公司同时扮演芯片设计者、系统架构推动者和代工产能提供者三重角色时，其“服务整个行业”的承诺能在多大程度上获得生态伙伴的信任，仍有待市场观察。