本周国产光刻自主化与全球AI扩产潮成为核心主线。10月14日,朗道燧岩(上海)科技在第26届中国国际工业博览会上首次公开展示极紫外(EUV)光源系统样机,国产化率达90%,预计3至5年量产,光刻自主化迈出关键一步。10月15日,台积电发布第三季度财报,营收467.2亿美元超预期,全年美元营收指引上调至约44%;10月14日,ASML发布Q3财报,CEO表示订单已排至2030年,至少2028年前行业供不应求。国内动态方面,长鑫科技10月16日市值重回3万亿,再次登顶A股市值第一;湾芯展在深圳开幕,锚定"十五五"半导体万亿增量新周期;拓荆科技拟25亿元收购无锡尚积补齐PVD与刻蚀产品线,复旦微电前三季度净利预增188%-248%,长飞先进发布全系列碳化硅产品。
国产EUV光源系统样机首秀!国产化率90%,光刻自主化"心脏"迈出关键一步
10月14日,在第二十六届中国国际工业博览会上,朗道燧岩(上海)科技有限公司首次公开展示自主研发的极紫外(EUV)光源系统样机,引发行业广泛关注,核心信息:
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国产化率:该光源系统国产化率达90%,绝大多数核心零部件为自主研发,技术路线与国际领先厂商一致,可用于芯片曝光测试 - ●
产品化进度:低功率EUV光源系统FlintNano LPP-OXXO已进入产品化阶段;高功率EUV光源系统FlintMicro-LPP系列已完成原理论证 - ●
技术参数:驱动激光功率1000W,激光频率1至20kHz,光电转换效率突破2%,光源亮度100W/mm²sr,稳定EUV输出能量大于15W,连续不间断工作时长突破100小时,等离子体尺寸60μm - ●
量产预期:该光源系统距离量产仍需3至5年时间,被业界视为高端光刻机的"心脏" - ●
战略意义:极紫外光源是7nm及以下先进制程芯片制造的三大核心零部件之一,长期受海外技术垄断与禁运限制,是制约中国高端芯片自主可控的关键环节
处于光刻设备最上游的核心子系统环节,突破带动全产业链升级:
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上游:驱动激光器、光学元件、精密机械与控制系统等核心零部件(国产化率90%意味着绝大部分实现自主) - ▼
中游:EUV光源系统集成与产品化(朗道燧岩),进而配套光刻机整机集成,对标ASML全球垄断格局 - ●
下游:7nm及以下先进制程晶圆制造,服务AI芯片、高端处理器等先进工艺产能建设
沿产业链逐级传导,对各环节影响深远:
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上游零部件端:90%国产化率标志核心零部件体系初步打通,带动国产高功率激光器、特种光学材料、精密控制系统的验证与批量导入 - ■
中游光刻机端:EUV光源是光刻机最核心、最难攻关的子系统,样机突破为国产EUV光刻机整机集成提供光源基础,国产光刻自主化从"0到1"迈出关键一步 - ■
下游制造端:3至5年量产窗口仍需攻关稳定性与良率,但技术路线与国际领先厂商一致,长期看中国先进制程供应链韧性显著增强 - ■
产业竞争视角:ASML全球垄断EUV光刻机且订单排至2030年,国产EUV光源突破有望在远期改变高端光刻设备供需格局,设备自主可控进程加速 - ■
关务视角:EUV相关设备与零部件长期受禁运限制,国产突破将重塑先进制程设备进出口格局,设备零部件的税号归类与减免税适用面临新场景
国产化率
转换效率>2%
稳定性验证
已进入产品化阶段
AI大模型与先进算力需求爆发,7nm及以下先进制程芯片产能建设加速,EUV光刻机成为产能扩张的最核心瓶颈设备
朗道燧岩EUV光源样机首秀:国产化率90%,低功率FlintNano进入产品化阶段、高功率FlintMicro完成原理论证,技术路线与国际领先厂商一致
EUV光源是光刻机"心脏",样机突破为国产EUV光刻机整机集成提供光源基础,带动国产激光器、光学元件、精密控制系统产业链协同验证
3至5年量产窗口仍需攻关稳定性与良率;对标ASML全球垄断与订单排至2030年的供需格局,国产替代长期空间打开;光刻自主化从"0到1",中国先进制程供应链韧性增强
动态一 | 台积电Q3营收467.2亿美元超预期,全年营收指引上调至约44%
10月15日,台积电发布2026年第三季度财报,业绩全面超预期,核心信息:
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营收:Q3营收467.2亿美元,同比增长41.2%,环比增长16.2%,超过公司此前446亿至458亿美元的财测区间上沿 - ●
盈利能力:当季毛利率66.4%,营业利润率58.7%,先进制程产能持续满载,盈利质量创近年新高 - ●
全年指引:台积电再次上调2026年按美元计的收入增长指引,由"略高于40%"上调至约44%,AI需求"极为强劲" - ●
机构反应:野村上调台积电目标价至3745元新台币并维持买入;中信里昂重申"跑赢大市",目标价3700元新台币,并确认Q3收入1.494万亿元新台币、同比增长50.9% - ●
驱动因素:AI GPU、网络芯片及服务器CPU需求全面扩大,先进制程订单能见度持续延长
处于全球先进制程晶圆代工龙头环节,业绩与定价权影响全产业链:
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上游:EUV光刻机、高端光刻胶、光掩模等先进制程设备与材料,产能扩张带动上游订单 - ▼
中游:台积电2nm/3nm先进制程晶圆代工,全球先进制程垄断地位持续强化 - ●
下游:英伟达、AMD、苹果、高通等AI芯片与高端处理器设计厂商,制造成本持续上行
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全年指引连续上调至约44%,印证AI驱动的先进制程景气周期延续,订单能见度延长显示行业高景气有望持续至2027年 - ■
毛利率66.4%创阶段新高,先进制程供不应求支撑涨价预期,芯片设计公司制造成本上升或部分传导至终端售价 - ■
国内晶圆代工企业在成熟制程具备价格竞争力,台积电持续涨价有助于国内代工厂提升议价能力与市场份额 - ■
关务视角:晶圆代工价格上涨带动芯片进口成本上升,芯片HS归类与完税价格认定对进口成本影响加大
动态二 | ASML订单排至2030年,光刻设备"一机难求"至少延续至2028年
10月14日,荷兰光刻机巨头ASML发布2026年第三季度财报,业绩强劲且释放重大供需信号,核心信息:
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业绩表现:Q3净销售额接近此前预测区间高位,受益于AI驱动的先进逻辑与存储芯片扩产潮,业绩表现强劲 - ●
供需判断:CEO傅恪礼表示,客户对未来市场需求前景更加清晰,预计至少到2028年行业仍将供不应求 - ●
远期订单:部分客户已开始与ASML接洽2029年甚至2030年的设备订单,订单排期已延伸至2028年以后 - ●
产能瓶颈:CFO戴厚杰表示,公司需先评估整体需求和未来产能再决定是否接受远期订单,以免过早分配产能影响其他客户;产能扩张已成为ASML需要解决的现实问题 - ●
扩产计划:ASML此前计划在2027年将低数值孔径EUV和浸润式DUV设备产能进一步提升,但仍难以满足需求
处于半导体设备最上游的光刻机垄断环节,全球EUV光刻机唯一供应商:
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上游:EUV光源、光学系统、精密零部件等核心子系统(对应国产EUV光源自主突破) - ▼
中游:ASML EUV/DUV光刻机整机制造与交付,全球先进制程产能扩张的"咽喉"设备 - ●
下游:台积电、三星、英特尔等先进制程晶圆厂,以及存储厂商的EUV工艺产能建设
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订单排至2030年意味着全球先进制程扩产潮持续高涨,AI算力基础设施投资与光刻设备供给上限发生"碰撞",设备端供需紧张长期化 - ■
光刻设备垄断格局下ASML议价权进一步增强,晶圆厂设备采购成本与排期压力加大,先进制程产能扩张节奏受限 - ■
与国产EUV光源样机突破形成对照:全球供给瓶颈恰是国产光刻自主化的窗口期,设备国产替代紧迫性与长期空间同步提升 - ■
关务视角:光刻设备及核心零部件进出口的管制要求与交货周期直接影响晶圆厂建设排期,供应链安全成为产能决策关键变量
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1 长鑫科技重回A股市值第一,市值重回3万亿,存储超级周期驱动登顶
事件:10月16日,存储芯片概念股早盘大涨,长鑫科技盘中涨超6%,总市值重回3万亿元上方,再次超越工商银行成为A股市值第一;10月15日长鑫科技曾下跌5.24%、市值跌破3万亿,10月16日强势反弹收复。存储板块持续走强的核心逻辑是AI存储超级周期:G5平台量产、4F²架构突破叠加HBM需求高景气
定位:国产DRAM存储龙头,全球第四大DRAM厂商
影响:国产半导体龙头市值登顶A股,标志存储超级周期下国产存储产业链价值重估;长鑫G5量产与4F²架构突破支撑估值中枢上移;AI需求高景气、供给约束强化共同推动存储板块盈利中枢持续上行
来源:新浪财经、IT之家、金融界、证券时报、九派财经 -
2 拓荆科技拟25亿元收购无锡尚积,补齐PVD与刻蚀设备产品线
事件:10月16日,拓荆科技公告拟25亿元收购无锡尚积,通过此次并购补齐PVD(物理气相沉积)设备与刻蚀设备产品线,完善薄膜沉积设备全工艺覆盖,进一步加强半导体设备领域的战略布局;同时拟向不超过35名特定投资者发行股份募集配套资金不超过18.2亿元,用于无锡尚积高端半导体设备生产基地项目(5.01亿元)与高端半导体设备前沿技术研发项目(6.09亿元)
定位:国产薄膜沉积设备龙头,通过并购向PVD与刻蚀领域延伸
影响:国产半导体设备平台化整合加速,薄膜沉积全工艺覆盖能力补齐;并购+定增双轮驱动,设备国产替代产品矩阵持续完善;国内设备厂商从单点突破走向平台化,全球竞争力增强
来源:新浪财经、拓荆科技公告 -
3 复旦微电前三季度净利预增188%-248%,FPGA国产替代加速兑现
事件:10月15日晚,复旦微电披露2026年前三季度业绩预告:预计营收34.5亿至36.5亿元,同比增加14.07%至20.68%;归母净利润9.5亿至11.5亿元,同比增加187.63%至248.18%;扣非净利润亦大幅增长。10月16日,复旦微电股价收涨14.61%
定位:国产FPGA与安全与识别芯片设计龙头
影响:业绩高增印证FPGA国产替代加速与芯片设计景气回升;国产FPGA在通信、工控、AI加速等场景渗透率提升,业绩进入兑现期;带动国产芯片设计板块整体估值修复
来源:上海证券报、复旦微电公告 -
4 长飞先进发布全系列碳化硅产品,覆盖车规主驱与AI数据中心
事件:10月15日,长飞先进在深圳举办以"巅峰之上·跨越四年的技术长征"为主题的技术发布会,集中推出覆盖车规主驱、AI数据中心、工业与消费电子的全系列碳化硅产品。公司副总裁表示,四年来芯片核心指标实现从追赶到赶超,从对标行业通用方案到开始定义产品
定位:第三代半导体碳化硅功率器件环节,覆盖车规主驱与AI数据中心电源
影响:碳化硅国产化提速,车规主驱(800V平台)与AI数据中心电源双赛道放量;国产碳化硅从"追赶"走向"定义产品",功率半导体全球竞争力增强;AI算力能耗压力下,高效碳化硅电源需求持续扩大
来源:中关村在线、长飞先进发布会
表1 台积电2026年第三季度财报关键指标
表2 国产EUV光源系统样机关键指标(FlintNano LPP-OXXO)
注:具体数据以各来源官方披露为准;涉及资质与合规信息如有出入,以主管部门公示为最终依据。
编辑 | 泓明数字营销部
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