近日，长鑫科技披露了在 DRAM 器件、4F² DRAM 架构研发等方面取得的进展。 在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士正式宣布，预计年底将推出融合 4F² 架构与混合键合等先进技术的新一代 DDR5 RDIMM 产品。
据了解，目前 DRAM 行业内主流的架构是 6F² 架构。6F² 是衡量 DRAM 存储单元面积的一个核心指标。在 DRAM 芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管（1T）和一个电容器（1C）组成。F（最小特征尺寸）代表晶圆制造工艺中光刻技术能实现的最小线宽或间距。4F² 意味着每个单元仅占 4 倍最小特征尺寸的平方，因此单位面积内可容纳的存储单元数量增多，同面积存储密度可提升 30% 至 50%。
从 6F² 到 4F² 的跨越，本质上代表晶体管沟道方向从水平布局向竖立布局的根本性变革，设计和工艺流程无法完全复用，需要整合一套全新的工艺流程。据曹堪宇介绍，长鑫自成立以来便启动了 4F² 的研究与专利布局，公开专利族超过 300 件，数量领先海内外厂商。
4F² 架构最核心的特色是 DRAM 存储阵列晶体管层面的创新，即自研的 VSG（Vertical Surrounded Gate）晶体管。VSG 晶体管采用了垂直包围沟道结构，能够实现更强栅控，解决漏电与短沟道效应痛点；竖立结构同时助力芯片面积微缩，提升存储密度。
4F² 架构首代产品定为 DDR5 RDIMM。与消费级低功耗内存产品不同，DDR5 RDIMM 作为服务器市场主流配置，需要支持服务器 7×24 小时不间断运行，经受带电热插拔的电压冲击，还必须与不同厂商、不同代际的 CPU 和主板完成数百项严苛的兼容性测试，同时保障高速传输场景下长走线信号稳定、不误码。 本次演讲并未提及长鑫即将推出的 DDR5 RDIMM 的规格信息和确切发布时间。
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2026年9月3日
