2026年10月12日 | 第17期
来源：海关总署、TrendForce集邦咨询、Counterpoint、第一财经、三星电子、证券时报
人工智能的快速发展，正在把存储芯片这一周期性波动明显的行业，推向一轮由真实需求驱动的超级周期。与过去几轮依靠原厂减产保价不同，这一轮的根本动力是人工智能算力爆发对存力的结构性需求。一个直观的景气信号是，海关总署数据显示，2026年前7个月我国集成电路出口达2160亿美元、同比增长99.5%，超越汽车成为第一大出口商品，其中存储芯片贡献了出口总额的六成以上，单颗芯片均价从约0.5美元涨至1美元。这场由人工智能驱动的存储变局如何演进、中国和四川处在什么位置，可从全球景气、地区竞速、重点企业三个层面加以分析。
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全球景气：人工智能需求拉动量价齐升，存储进入超级周期。人工智能是这轮行情最强、也最持续的驱动力。大模型训练需要反复吞吐海量参数和中间数据，推理需要在极短时间内响应海量并发，内存的带宽和容量直接决定训练时长与响应速度，高带宽内存（HBM）更被视为算力的关键制约部件。需求端最直观的变化是配置量：单台人工智能服务器的存储需求是普通服务器的8到10倍，高端人工智能训练服务器存储成本占比超过40%，人工智能服务器已贡献超过一半的DRAM消耗，云厂商资本开支大幅向人工智能倾斜。
旺盛需求直接反映为价格上涨。TrendForce数据显示，今年一季度通用DRAM合约价环比上涨93%~98%、NAND闪存涨55%~60%，二季度DRAM再涨58%~63%、NAND涨70%~75%；一根DDR5内存条从2025年末的450元涨到今年上半年的1800元，主流内存芯片从2023年的1.5美元涨到今年4月的12美元以上，四季度合约价预计仍将上涨15%~20%。
价格上涨的另一面，是供给的刚性约束和全球格局的高度集中。三星、SK海力士、美光纷纷将先进产能优先转向利润更高的HBM等高端人工智能存储，用于通用DRAM和NAND的产能随之收缩；叠加前期行业下行阶段大厂压缩资本开支，全行业库存降至历史低位，而一座新厂从建设到放量需要两年以上，短期缺口难以弥合。需要进一步指出的是，这一轮紧缺并不限于高端产品：先进产能被HBM等高端人工智能存储挤占之后，面向中低端应用的通用存储供给同样偏紧，合约价涨幅同样达到五成以上乃至接近翻倍，价格上涨正沿产业链向下传导，智能手机、个人电脑、智能网联汽车、物联网终端、安防设备和家用电器等业态普遍面临存储采购成本上升压力，部分终端产品价格已随之上行。相对而言，HBM等高端人工智能存储、企业级固态硬盘和服务器内存景气度最高、溢价最为显著，消费级存储紧随其后。
从全球份额看，DRAM长期由上述三家占据九成以上。Counterpoint二季度数据显示，三星以约39%重返第一、SK海力士约26%、美光约25%：三星是综合龙头、HBM和DDR5产能最大，优先供货英伟达、谷歌；SK海力士是HBM全球龙头、产能基本提前售罄，是本轮利润弹性最大的受益者；美光优势在服务器内存和企业级固态硬盘，受出口管制影响在华空间受限。争夺最激烈的HBM今年市场规模预计增长58%至546亿美元、占DRAM市场近四成，缺口仍有50%~60%、现货价高达长约价的4~5倍；NAND领域三星约25%、SK海力士约22%领跑。三星电子三季度营业利润同比增长约7.8倍、创历史新高，几乎全部由存储业务贡献，正是这轮超级景气的直接体现。
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地区竞速：国产份额快速跃升，先发城市以链聚群。着眼国内，中国厂商的突围，是这轮全球存储变局中最大的变量。Counterpoint数据显示，长鑫科技二季度全球DRAM营收份额已达约一成、稳居第四；长江存储以14%的出货份额首次跃居全球NAND第三。从地区布局看，安徽合肥依托长鑫构建DRAM全产业链，湖北武汉以长江存储为龙头打造国家级闪存基地，上海集聚一批存储设计企业，江苏无锡布局封测和模组环节。这些先发地区的共同路径，是围绕一家链主企业，把设计、制造、封测、模组、设备材料贯通为完整链条，"以点带链、以链聚群"，而非泛泛布局半导体。这一进程表明，国产存储正从技术追赶走向产能与份额的实质性突破。对四川而言，如何把握这一窗口期、找准切入点，是一个值得高度重视、深入研究的重要课题。
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重点企业：国产双雄领跑，产业链配套成型。重点企业层面，国产"存储双雄"领跑、上下游配套同步成型。长鑫科技是国产DRAM龙头，今年上半年实现营业收入1503亿元、归母净利润776亿元、实现大幅扭亏；第五代DRAM技术平台（G5）已量产、单片晶圆产出提升至少50%，LPDDR6低功耗内存8月率先量产并首发搭载于旗舰手机，10月又发布新一代4F²高密度架构、年底将推出基于该架构的DDR5服务器内存条，向海外长期主导的服务器内存市场发起冲击，同时加快HBM研发布局，9月底公告拟投349亿元建设技术研发和后道测试基地。
长江存储是国内唯一3D NAND原厂，自研晶栈（Xtacking）架构实现294层量产、正向400层突破，二季度以14%的出货份额跃居全球第三，三星研发下一代产品亦向其采购混合键合专利许可，武汉三期计划年底投产、总产能随之翻倍，科创板IPO已获问询。
配套环节同步向好，佰维存储一季度净利28.99亿元、实现扭亏为盈，江波龙、北京君正、深科技在企业级模组和封测领域各有布局，兆易创新与长鑫协同深化、关联交易额度扩至78.54亿元，澜起科技新一代DDR5内存接口芯片支持8000MT/s，中微、拓荆、兴福电子等设备材料企业也借双雄量产场景加速成长。
点评：这一轮存储行情的本质，不是传统周期的减产反弹，而是人工智能快速发展对存力底座的结构性重塑，国产替代和产业链重构的窗口已经打开，值得高度重视。对城市发展而言，其意义不止于一个产业的量价齐升，更在于存力已与算力、能源、先进制造紧密关联、协同推进——在关键环节占据主动，人工智能产业就更具韧性、更为安全。
四川在这一轮已有较好基础，且具备若干辨识度较高的优势。成都高新区已聚集集成电路企业200余家，2025年产业规模达603亿元，形成IC设计、晶圆制造、封装测试加装备材料配套的"3+3"体系，拥有6座封测厂，英特尔全球一半以上移动处理器、海光服务器CPU均布局于此；奕成科技板级封装、矽芯微混合键合已实现量产，中微公司总投资30.5亿元的成都基地明确面向存储芯片制造所需的薄膜沉积设备，本地人工智能存储企业华存智谷还参编了国家《AI存储推理场景建设指南》；电子科技大学、四川大学等高校持续输送集成电路人才，宜宾的绿电和算力中心亦可提供能源与场景支撑。
由全球产能格局的这一变化，可引出对四川具有现实意义的判断。当前一个值得注意的反差是：海内外大厂和社会资本越是集中资源争夺HBM等高端人工智能存储，被让渡出来的中低端、利基型存储市场空间反而越大，工业、汽车、物联网和消费终端对这类存储仍有刚性需求，供给持续偏紧、价格明显上涨。四川若在HBM等高端人工智能存储正面战场与领先地区比拼投入，既不具备比较优势，也难以短期见效；更可行的路径，是顺应这一结构性反差，把中低端、利基型存储作为错位发展的主攻方向，做实工业级、车规级DRAM、NOR闪存和消费级NAND及模组。在应用场景上，除智能终端、汽车电子、家电物联外，钒钛钢铁、装备制造、智慧农业等优势产业的工业控制、监测设备和智能终端，都为利基存储提供了就近的应用场景。
同时也应把握好平衡。强调中低端，并非放弃高端、走低水平重复的路子，而是对HBM等高端人工智能存储环节以装备、材料和封测配套的方式持续跟进、不缺席未来，形成"高端配套盯住、中低端错位做实"的梯次布局。
当然，也要保持清醒。三季度以来DRAM涨价斜率已有所放缓，行业仍受人工智能需求、云厂商资本开支和海外设备管制等因素影响，地方布局应重在强技术、补配套、优生态，避免盲目扩张产能和重复投资。
编者按 成都未来数字科技研究院系省发展改革委（省数据局）数字经济"1+1+N"研究机制重要合作单位。在省发展改革委数字经济相关处室指导下，数科院协调相关研究力量，每个工作日精选当日数字经济、智能经济领域的重大政策与行业标志性事件，一事一报、要点直达，研究分析数字经济领域新业态、新模式、新赛道，呈现数智社会发展新样态。