文 | 刘振涛
工业时代，石油是命脉；智能时代，芯片即核心。存储芯片作为智能化时代的“工业粮食”，是一国科技产业的关键基石。
长期以来，全球存储产业被海外巨头垄断，国内面临“能设计、难制造”的困境。在此背景下，朱一明通过两次创业，分别创办兆易创新与长鑫科技，实现了从芯片设计到晶圆制造的突破，构建了国产存储产业的完整闭环。
打造兆易创新：纸上绘芯，打破NOR闪存垄断
朱一明出生于江苏盐城，17岁考入清华大学物理系。基于对国内半导体产业短板的认知，他留校攻读工学硕士，随后赴美国纽约州立大学石溪分校深造，专注于半导体存储领域。毕业后，他进入硅谷头部存储企业MST，成为核心设计者。
目睹海外巨头垄断市场、国内自给率极低的现状，朱一明于2005年放弃海外高薪，携带92万美元启动资金回国，在北京创立芯技佳易（兆易创新前身）。
避开竞争激烈的NAND闪存，朱一明选择技术门槛适中、应用广泛的NOR闪存作为突破口。面对专利壁垒和资金压力，他带领团队自主研发电路结构，历经数年攻坚，完成全套自主知识产权设计。
2008年，兆易创新推出国内首款自主研发商用NOR闪存芯片，填补市场空白。凭借性能与服务优势，产品迅速切入消费电子、工业控制等领域。2016年，兆易创新上市。至2026年，公司在AI浪潮中总市值曾超3000亿元，并于年初登陆港交所实现A+H上市，总市值一度突破5000亿元。
尽管在设计领域取得巨大成功，朱一明意识到核心制造依赖海外的局限，遂萌生第二次创业念头，立志攻克存储制造难题。
铸造长鑫科技：扎根“炼晶”，攻下DRAM难关
DRAM内存芯片技术壁垒更高，是全球数字产业的核心刚需，长期被三星、SK海力士、美光三家垄断。为补齐这一核心短板，朱一明选择再次出发，目标是实现DRAM自主量产。
经过考察，朱一明与合肥国资合作，在合肥创立长鑫科技，开启国产DRAM晶圆厂建设之路。
相较于轻资产的设计业务，晶圆厂建设面临资金、技术、设备、专利等多重挑战。在创业初期良率极低、项目陷入困境时，朱一明坚持不领工资，扎根一线，带领团队排查缺陷、调试设备、优化工艺，并自主研发新工艺路线以规避专利风险。
经过持续攻坚，长鑫科技实现国产DRAM稳定量产，使中国成为少数掌握该技术的国家之一。2026年7月，长鑫科技登陆科创板，市值超万亿，成为全球第四、中国第一的DRAM厂商。
至此，朱一明通过兆易创新与长鑫科技，构建了“设计+制造”的产业闭环。前者突破前端设计，后者攻克后端制造，两者相辅相成，为国产存储芯片打破垄断、走向全球奠定了坚实基础。