近日,2026IICIE国际集成电路创新博览会、第十届国际先进光刻技术研讨会(IWAPS)在深圳隆重启幕。国内集成电路良率管理领军企业东方晶源,携四大电子束量检测装备与PanGen计算光刻平台参展,并集中展示了软硬件核心产品与最新技术研发成果。
在全球半导体产业链深度重构的背景下,东方晶源所展现出来的在关键核心技术上的自主可控以及先进制程工艺赋能等方面的突破与深耕,标志着国产电子束量检测设备已具备与国际巨头同台竞技的实力,为我国半导体装备自主可控提供了从"看见"缺陷到"预见"良率的系统路径。
东方晶源成立于2014年,总部位于北京亦庄,是国家级专精特新重点"小巨人"企业,也是国内少数同时具备图形化工艺建模软件与电子束量检测装备研发能力的企业。
在芯片工艺向先进节点快速演进,制程节点不断逼近物理极限,良率提升难成为集成电路行业发展中的主要挑战,同时全球高端量检测设备市场被美日企业长期主导,海外四巨头合计占据约85%份额,国际竞争与技术封锁日趋加剧的背景下,东方晶源以为芯片制造提供“眼睛”(量检测设备)与“大脑”(EDA软件)为使命,深度聚焦“电子束量检测设备+以计算光刻为核心的制造类EDA软件”,持续加大研发投入,精进产品性能,构建出软硬件协同的HPO一体化良率解决方案。
据首轮问询函回复文件数据显示,报告期各期,东方晶源研发费用分别为25,512.15万元、32,555.45万元、30,025.73万元和13,432.87万元,研发费用率分别为133.56%、86.74%、94.50%和 102.72%。
十二年间,东方晶源发布全球首款可商用Etch Model,攻克困扰产业界约20年的刻蚀模型精度难题;首台EBI设备2021年通过客户验收,填补国内空白;PanGen平台在28nm/22nm及以上节点量产、14nm试量产。据招股书数据显示,截至2026年6月30日,东方晶源拥有260项授权发明专利(包括196项境内发明专利,64项境外发明专利)、85项授权实用新型专利、13项授权外观设计专利。
当前,东方晶源已构建软硬件协同矩阵。其中硬件端形成EBI、CD-SEM、DR-SEM、HV-SEM四大品类:EBI捕捉光学设备无法识别的纳米级物理与电性缺陷;CD-SEM实现纳米级线宽量测,与光刻机构建数据闭环;DR-SEM完成缺陷高精度复检与根因分析,关键指标达业界主流;HV-SEM作为国产首台套,具备45kV着陆电压与深层"透视"成像能力,攻克高深宽比结构检测难题,打破国外垄断。
软件端,PanGen计算光刻平台完成6.0升级,已支持14nm产线并攻关7nm/5nm;DMC、PHD、vPWQ三大战略产品可将客户流片迭代从4-6次降至2-3次。
产业化方面,据最新招股书数据显示,报告期各期,公司营业收入分别为19,101.83万元、37,533.23万元、31,771.96万元和13,077.16万元,其电子束装备累计出货超百余台,客户端晶圆过货量突破百万片,客户覆盖逻辑、存储、第三代半导体等多类晶圆厂。
依托半导体产业链重构带来的国产替代契机,东方晶源推进科创板IPO。公司IPO申请于2026年6月30日获上交所受理,于在7月16日进入问询阶段,并在9月29日披露首轮问询函回复文件。
此次IPO拟募资的25亿元投向高端良率管理设备研发升级及计算光刻与设计工艺协同优化EDA工具研发,以期在全球半导体产业链深度重构的背景下突破技术封锁重围,持续助力国内先进工艺的研发和规模化落地。