9月28日，先导科技集团旗下先导芯光电子科技（武汉）有限公司晶圆厂在东湖综保区通线。
据了解，该厂是先导科技集团投资120亿元建设的高端化合物半导体材料及芯片产业化基地的制造核心，建有磷化铟4/6英寸与砷化镓6/8英寸双材料大尺寸光电芯片平台。
通线后，基地由建设期转入工艺认证与产品导入阶段。
其中，磷化铟产线面向光通信主干，覆盖激光器、调制器、探测器等光器件，同时承载高速电器件工艺，让光芯片与电芯片在同一条产线上完成。砷化镓产线覆盖垂直腔面发射激光器（VCSEL）等器件与射频工艺，兼顾光通信与射频两类产品。
本月，先导科技集团联合旗下安徽先导极星科技有限公司、武汉光谷量子技术有限公司（简称“武汉光谷量子”），承接海外头部客户面向下一代单模400G光互连的联合研制预研订单，12项联合研制项目的最终量产都落在先导芯光。
与此同时，武汉光谷量子的磷化铟光芯片已在100G与200G速率上形成供货，量产依托先导芯光晶圆厂；先导科技集团本月还与广州慧智微电子股份有限公司签署战略合作协议，联合研制单模400G及更高速率电芯片、卫星通信射频前端芯片。
先导芯光晶圆厂通线后研发批与工程批即日开跑，200G光芯片代工导入先行，400G平台各项目同步进入流片与验证阶段，平台将以晶圆代工与联合研制两种方式向产业链开放。
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CSEAC 组委会
2026年9月3日
