光刻胶配方主要由树脂、感光剂、溶剂、各类功能添加剂组成。树脂决定成膜与抗刻蚀能力，感光剂主导光化学反应，再依靠溶剂实现旋涂成膜。市面上型号纷繁复杂，很多刚接触工艺的科研人员、工程师，经常会陷入选型困难。
在高校实验室、MEMS研发、小批量试制场景，AZ系列i‑线光刻胶是普及率极高的经典体系，不同型号分别适配薄胶图形、厚胶深硅刻蚀、Lift‑off剥离等不同工艺需求。今天就把几款高频使用型号的特点、适用场景一次性梳理清楚。
AZ1500系列 i‑line 正性光刻胶
AZ1500属于通用型i‑线正胶，是实验室的“万金油”。
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可实现0.5‑5μm宽胶厚区间调节，对硅、氧化硅、玻璃基底附着力优秀，分辨率可以做到1μm级别； -
适配i‑线365nm曝光，旋涂工艺窗口宽，前烘、显影容错率高； -
适用场景：普通湿法腐蚀、浅干法刻蚀、简单图形转移、教学实验、基础微纳工艺开发。 适合：常规不需要极厚胶，也不需要做剥离工艺的普通光刻流程。
AZ4620 厚膜正性光刻胶
如果要做深硅刻蚀、电镀工艺，普通薄胶就扛不住，AZ4620就是经典厚胶方案。
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可实现3‑60μm大厚度成膜，厚胶条件下依然保持不错的侧壁垂直度，抗刻蚀能力强； -
适配i‑线曝光； -
适用场景：深硅DRIE刻蚀、金属电镀、MEMS结构、大高度差器件制备。 提示：厚胶前烘工艺非常关键，需要充分除去内部溶剂，避免后续工艺起泡、变形。
AZ5214 可图像反转光刻胶
很多做金属Lift‑off剥离工艺的朋友对它非常熟悉，这是一款可正可反转的i‑线光刻胶。
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正常流程可作为普通正胶使用；增加曝光后烘烤+泛曝光，即可完成图像反转，得到倒梯形剖面，完美适配剥离工艺； -
典型胶厚1‑1.6μm； -
适用场景：金属蒸镀后Lift‑off、纳米线器件、电极图形制备，也可以搭配LOR底层牺牲胶做双层胶剥离工艺。 小知识点：想要Lift‑off做的干净，倒悬侧壁剖面是关键，AZ5214E是很多实验室首选。
AZ52ME反转光刻胶
属于AZ5214同系列迭代反转胶，保留图像反转能力，优化了热稳定性与显影工艺窗口。
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i‑线波段曝光，支持正胶模式与反转负胶模式； -
侧重对工艺波动容忍度更高，适合小批量重复性工艺； -
适用场景：MEMS、光电器件、各类需要做剥离图形的研发项目。
补充：市面上其他常见光刻胶简单一览
除了AZ系列，日常还会见到很多其他型号，可以快速了解：
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S1800系列正胶：S1805G/S1813/S1818，薄胶，适合基础图形转移； -
BP‑212正性光刻胶； -
HTIN 683环氧型负胶； -
HD4100、BL‑301负型PI聚酰亚胺光刻胶，耐高温，适合特殊器件； -
XR‑1541系列电子束负胶，面向电子束曝光工艺； -
BCI‑3511正性i‑线光刻胶。
⚠️温馨提示：不同型号光刻胶的旋涂转速、烘烤温度、曝光剂量、显影时间完全不一样。更换光刻胶型号，一定要重新跑工艺DOE，不要直接沿用旧的工艺参数。
选型小总结，快速对号入座
AZ这几款经典光刻胶，不管是高校实验室课题研究，还是企业MEMS前期研发，应用案例非常多，配套显影液、HMDS增粘剂等耗材也很容易配套。选对光刻胶，相当于光刻工艺成功了一大半。
本文仅做工艺科普分享，工艺效果和设备、基片、全套参数强相关。有耗材采购需求的朋友可以进一步咨询，确认胶厚规格、配套试剂、保存运输条件。
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