9月28日，长鑫科技集团股份有限公司（以下简称“长鑫科技”）发布了两项重大投资：一是投资241亿元开展技术研发工作，加速公司技术和产品迭代升级；二是投资108亿元建设存储器晶圆后道测试基地二期项目，累计投资总额达349亿元。
根据公告，技术研发项目将由长鑫科技作为实施主体，项目总投资241亿元，其中拟使用超募资金投入金额130亿元，实施地点为安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内，建设周期30个月。
存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资108亿元，其中长鑫科技拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司（以下简称“长鑫产品合肥”）提供超募资金50亿元，由长鑫产品合肥负责实施建设。
据悉，该项目计划在合肥市肥西县创新大道与皋城路交叉口西南侧建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装，项目建设周期为37个月。
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长鑫科技是一家一体化存储器制造公司，专注于动态随机存取存储芯片（DRAM）的设计、研发、生产和销售，已完成了从第一代工艺技术平台到第五代工艺技术平台的量产，以及从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X、LPDDR6的产品覆盖和代际演进。