长鑫科技拟斥资130亿元投建技术研发项目，加码DRAM产业链
9月28日晚间，长鑫科技发布公告，宣布两项重大投资计划。公司拟使用超募资金130亿元投资建设新建技术研发项目；同时，拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司提供超募资金50亿元，用于投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。
据悉，上述两个项目的计划总投资额分别为241亿元和108亿元。其中，后道测试基地二期项目计划建设一座测试工厂，旨在为DRAM存储芯片提供专业的测试及模组组装服务，进一步提升公司在存储芯片领域的垂直整合能力与核心技术竞争力。
