做微纳加工的朋友经常会遇到两个经典疑问：固定好纳米线和标记（mark）的相对位置之后，再旋涂光刻胶做套刻，会不会把纳米线的初始位置弄偏？还有大家常听到的双层光刻胶，难道只是单纯增厚胶层？答案并不是。
一、纳米线+Mark定位后，旋涂光刻胶，会不会改变纳米线位置？
先说核心结论：正常工艺下，不会改变纳米线与mark的相对位置；但工艺操作不当，会出现位移甚至脱落。
先理清场景：已经完成纳米线制备，并且标定好了纳米线和对准标记mark的相对坐标，之后再旋涂光刻胶、做套刻曝光。 旋涂光刻胶的过程，是高速离心把胶液摊薄在基片表面。
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纳米线和基底附着力差：旋涂时液体流动的剪切力，会把纳米线冲移位、甚至直接冲掉，相对位置就乱了。 -
旋胶、前烘的热应力：快速升温降温带来的热胀冷缩，严重时会造成衬底微小形变，带来对准偏移。 -
衬底被液体浸润、表面应力变化，也会引入微小套刻误差。
实操建议：旋胶前一定要确认纳米线粘附性；旋涂转速、加速度不要设置得过于剧烈，减少流体剪切冲击。
二、双层光刻胶，不是为了加厚！核心服务于Lift-off剥离工艺
很多新手会误以为双层胶=两层胶叠加来增加厚度。 如果单纯想要更厚的胶，直接选购高粘度厚胶光刻胶就可以，没必要折腾双层工艺——双层胶流程复杂，工艺窗口窄，控制难度高。
双层胶最主要的用途：Lift-off（剥离）工艺。 单层光刻胶做Lift-off有一个硬伤：显影之后胶侧壁接近垂直。镀膜的时候，金属会沉积在光刻胶侧壁上。后续剥离时，侧壁上的金属连成一片，很难撕干净，很难得到超细的纳米图形，分辨率受限。
双层胶结构的巧妙设计： 上层：感光光刻胶（可以曝光、显影成型） 下层：不感光的底层牺牲层，可被碱性显影液溶解
双层胶完整工艺流程
为什么下层会溶得更多？
上层是感光光刻胶，只有曝光区域才会被显影液溶解；底层胶本身不感光，只要接触到显影液就会发生各向同性腐蚀。 上层开出小孔之后，显影液沿着开口往下渗透，底层胶横向被腐蚀，就形成了“上层开口小，底层开口更大”的悬空剖面。
镀膜的时候，金属直接蒸镀穿过上层小开口落到基底上；侧壁上的金属薄膜是断开的。后续浸泡剥离液，底层胶溶解，顶部的金属连同光刻胶一起被掀掉，就能得到线条极细、边缘干净的纳米结构，这就是双层胶Lift-off最大优势。