9月23日消息，随着人工智能数据中心投资持续增长，高带宽内存（HBM）供需失衡进一步加剧。为争夺AI内存市场领导地位，三星电子与SK海力士正加速扩张HBM产能。行业预计，2027年HBM需求增速将达56%，高于50%的供应增速，供需紧张局面或将延续。
三星加速HBM扩产，良率提升助力份额追赶
三星正强劲推进HBM产能扩张，计划2027年将第六代HBM4及HBM4E产量较2026年翻番。为此，三星将HBM晶圆月进料量从今年的18万片提升至明年的25万片，增幅达40%，并将HBM4系列产品在总出货量中的占比提升至80%。良率改善是此次扩产的核心支撑，HBM4量产初期良率不足60%，近期已升至80%左右，显著提升了盈利能力与出货效率。
市场份额数据印证了三星的追赶速度。据Counterpoint Research数据，三星HBM收入份额从2026年第一季度的21%升至第二季度的33%；同期SK海力士从58%降至50%，两者差距由37个百分点缩至17个百分点。三星正依托涵盖存储器、晶圆代工和先进封装的垂直整合优势，优化4纳米基片等工艺，力求在HBM4市场实现反超。
SK海力士巨资建厂，稳固市场领先地位
面对三星的紧追，SK海力士正通过大规模投资巩固优势。其计划将清州M15X工厂晶圆月产量从约1万片大幅提至8万片，并加快龙仁半导体集群首座晶圆厂建设，目标于2027年投产。
不过，部分分析师警告，三星全面提升产能可能会削弱SK海力士此前享有的供应商定价权与高盈利能力。
2027年HBM供需持续紧张，价格预计大幅上涨
尽管韩国双雄积极扩产，但市场并未普遍担忧供应过剩。预计2027年HBM需求增速（56%）仍将高于供应增速（50%）。随着英伟达、AMD等主要客户在下一代AI加速器中持续增加单芯片HBM用量，供需失衡将进一步加剧。在此背景下，市场预计2027年HBM4价格将较2026年上涨约65%。
产能挤压波及传统DRAM市场
HBM产能紧张已产生外溢效应。由于韩国厂商优先将有限产能分配给HBM及服务器产品，PC和智能手机用DRAM供应趋紧。TrendForce预测，2026年第三季度传统DRAM固定合约价格环比涨幅或高达18%。