长鑫存储，第五代DRAM技术平台量产

长鑫存储 G5 平台量产，国产 DRAM 技术迈入新纪元

2026 年 9 月 20 日，在世界制造业大会上，长鑫存储正式宣布其第五代 DRAM 技术平台（G5 平台）实现量产。这一里程碑事件标志着中国在核心存储芯片领域取得了突破性进展。

技术突破：密度与能效双重飞跃

G5 平台依托创新的四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距微缩至 11.95 纳米。通过变革工艺流程及采用新材料，存储电容深宽比达到 45:1。同时，开发适配的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，成功将核心功能区高度缩小至 6762 纳米。

据长鑫存储介绍，G5 微缩工艺的突破推动存储密度实现跨越式提升：每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%，在产品能效与成本控制上均具备显著优势。

产品落地：LPDDR5X 规模量产

本次大会同步展出了两款基于 G5 平台打造的 LPDDR5X 量产产品。这两款产品单颗容量均为 24Gb，较上一代同类型产品提升 50%，分别采用 496Ball 和 245Ball 封装规格，可适配中高端智能手机及便携式消费电子等不同场景需求，目前已进入规模量产阶段。

市场应用：首发 AI 智能体手机

早在 9 月 16 日，全球首款 AI 智能体手机努比亚 NaviX Ultra 正式发布。长鑫存储确认，该机型搭载了其最高速率达 10667Mbps 的 LPDDR5X 内存。这是国产 10667Mbps 高速率 LPDDR5X 芯片的首次量产应用，彰显了国产存储芯片在高端市场的竞争力。

业绩亮眼：营收净利爆发式增长

长鑫存储成立于 2016 年，专注于 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售，并于 2026 年 7 月成功登陆科创板。受全球算力需求激增及主要厂商产能调配影响，全球 DRAM 供不应求，价格大幅上涨，带动公司毛利显著增长。

财务数据显示，2026 年上半年，长鑫存储实现营收 1503.1 亿元，同比增长 873.64%；归属于上市公司股东的净利润达 776.05 亿元；扣除非经常性损益后的净利润为 787.93 亿元，展现出强劲的增长势头。

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