9月20日，2026世界制造业大会在合肥举办，长鑫科技（长鑫存储）现场正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，这是国产DRAM在工艺微缩领域的关键里程碑。
据现场披露信息，G5平台借助四重曝光技术，将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米；存储器电容深宽比达到45:1，搭配自研HKMG高介电常数金属栅工艺，把核心功能区高度降至6762纳米。工艺微缩带来存储密度大幅提升，同等条件下，单张晶圆裸片产出相比第四代平台提升50%以上，有效改善单片制造成本。
本次大会同步展出两款基于G5平台开发的24Gb LPDDR5X产品，分为496Ball、245Ball两种封装版本，面向中高端智能手机、便携终端设备，目前该系列产品已经正式规模量产，全面导入国产主流旗舰手机供应链。产品最高速率可达10667Mbps，向下兼容LPDDR5标准，在带宽、功耗之间实现平衡。
长鑫介绍，G5平台研发阶段引入数字孪生系统辅助工艺开发，在鞍形鳍式阵列结构、低k间隔层位线等模块完成多项自研工艺突破，整体工艺水平对标全球一线DRAM厂商量产节点。除移动端LPDDR5X之外，该平台后续还将拓展至消费级DDR5等产品，覆盖PC、平板等更多终端场景。
行业层面，DRAM先进制程长期由海外龙头主导，长鑫G5平台量产，标志国内本土DRAM工艺微缩能力进一步缩小与国际头部厂商差距。随着国产手机品牌导入，将拉动国内半导体设备、光刻胶、特种薄膜等上游供应链在DRAM先进工艺的验证机会。
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重要公告
CSEAC 2027 移师苏州国际博览中心举办，第十五届（2027年）中国电子专用设备工业协会半导体设备年会也将同期在苏州召开。
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地点：苏州国际博览中心
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CSEAC 组委会
2026年9月3日
