中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。
路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。
此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰中国对手长江存储。
人工智能（AI）伺服器的强劲需求，导致全球存储供应短缺，业内人士认为这一局面将至少持续到2027年。
SK海力士首席执行官郭鲁正曾在7月时说，从供应链角度来说，2027年将是业界最糟糕的一年。市场研究机构集邦咨询（TrendForce）则预计，NAND闪存的供应紧张情况将在明年下半年获得缓解。
集邦咨询指出，制造商大都把主要资金投放在制造DRAM和高带宽内存，限量增添NAND闪存产量，令这类供应短缺加剧。
DRAM是电子设备中最核心的短期记忆体，为处理器提供操作记忆。NAND闪存则广泛应用于手机、电脑和数据中心存储。
知情者称，长鑫科技计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线。公司也将在北京开设研究所，参与包括NAND闪存开发的项目。