合作确保节能型碳化硅功率半导体的产能保障
ROHM Semiconductor（电子零部件制造商）与 Vitesco Technologies（领先的现代驱动技术及电气化解决方案国际制造商）今日宣布，双方已达成一项价值超十亿美元（2024-2030 年）的长期碳化硅（SiC）供应合作伙伴关系。此次合作建立在双方自 2020 年起的开发协作基础之上。
Vitesco Technologies 配备集成 ROHM SiC 芯片的高级逆变器将获两家客户采用，并应用于电动汽车动力总成。Vitesco Technologies 将提前于原计划，最早于 2024 年启动首个系列项目的供应。
SiC 器件可实现极高效率的电力电子设备设计（如电动汽车逆变器）。作为关键技术，SiC 芯片尤其适用于高电压场景以及对续航里程和整体效率有严苛要求的车辆。在既有开发合作中，ROHM 进一步优化了用于汽车逆变器的相关 SiC 芯片，并于 2024 年投入应用。
小原因 – 大影响
碳化硅属于宽禁带半导体。其宽禁带特性（即材料中电子从非导电态跃迁至导电态所需的能量间隙）显著降低了电力电子设备中的电阻，实现了快速、低损耗的开关性能。同时，SiC 芯片具备更高的耐热性，从而提升了电子设备的功率密度。
得益于上述特性，相较于传统硅（Si），SiC 电子器件有效降低了转换损耗。特别是在 800V 等高电压水平下，SiC 逆变器效率远超 Si 型号。鉴于 800V 是实现快速高压充电的前提，SiC 器件正迎来全球爆发式增长。逆变器转换损耗的降低对提升电动汽车整体效率和续航里程至关重要，因此，针对这一高科技材料组件的产能竞争也日趋激烈。