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为什么台积电一定要自己把 CoWoS 做大？
过去几十年，半导体性能增长的核心逻辑相对简单：缩小晶体管尺寸，在同等面积内容纳更多晶体管。然而在 AI 时代，这条路径虽仍重要，却已不足以支撑需求。
大模型需要的并非单颗 GPU 的无限膨胀，而是计算 Die、HBM、I/O Die、网络芯片乃至未来光学引擎的协同工作。CoWoS 正是承担这一角色的关键技术。台积电将其定义为整合多个 SoC 与 HBM、提升计算能力及内存带宽的核心 HPC 封装技术。
因此，先进封装在 AI 时代已成为芯片架构的一部分，这也是台积电无法将此业务完全交给传统 OSAT（外包半导体组装和测试）厂商的原因。若台积电能生产出最先进的 N3、N2 计算芯片，却因 CoWoS 产能不足而无法交付成品 GPU，那么前道制程扩产创造的价值将被后道瓶颈锁死。
TrendForce 数据显示，截至 2026 年，全球 2.5D 先进封装仍处于紧张状态。预计台积电到 2027 年将继续大幅扩大 CoWoS 产能；供应链估算显示，2026 年底其月产能可能达到 12 万至 14 万片，但供需缺口依然存在。
台积电扩产 CoWoS，旨在将 AI 芯片产业链中最后一个可能限制先进制程出货的“窄门”掌握在自己手中。公司明确表示，将根据客户的前道晶圆需求和高端封装需求统筹安排产能，并与 OSAT 合作扩充供给。其战略思路并非吞并所有传统封装业务，而是牢牢掌控最关键的技术平台和客户接口，利用 OSAT 释放部分产能压力。
一旦 AI 芯片围绕台积电的制程、CoWoS、HBM、基板、测试及 EDA 流程完成设计验证，更换封装平台的代价将远高于传统封装时代。CoWoS 对台积电而言，是在晶圆代工护城河之外，挖掘的第二道护城河。
台积电的多层战略意图考量
台积电重仓 CoWoS 的核心价值在于：充足的先进封装产能能促使客户下达更多先进节点 GPU/ASIC 晶圆订单，从而提升 N5/N3/N2/A16 等前道产能利用率并增强客户黏性。在 AI 时代，CoWoS 让先进计算晶体管获得了足够的数据吞吐、更低的互连能耗和更大的本地内存容量。
AI 算力越高，先进封装的经济价值越显著。对于数万美元级的计算设备，减少几个百分点的内存等待时间，都可能带来巨大的系统级价值。
① 占据 AI 芯片最大价值份额
Blackwell、Rubin 等旗舰 GPU 的瓶颈已非晶圆投片量，而是封装环节。重仓 CoWoS 意味着台积电将“前道 + 后道”整条价值链攥在手中，形成一站式闭环：客户一旦采用 N3/N2 制程，几乎只能依赖 CoWoS 封装，即便涨价也难以转移订单。
② 用产能分配权绑定并排序客户
产能分配背后是一套精密的客户制衡术：英伟达作为 CoWoS 最早的共同定义者，占据约 60% 产能；AMD 约占 8%；博通、Marvell 则因承接谷歌、Meta 的 ASIC 订单跻身顶级 VIP 行列。此举既深度绑定英伟达，又扶持 AMD 和 ASIC 阵营以分散单一客户风险。
③ 以 Co-design 构筑“联合定义”壁垒
台积电的真正护城河在于与英伟达、AMD 从芯片架构设计阶段就开始的协同。Die-to-Die 互连、中介层尺寸、HBM 堆叠数量均由双方共同定义。这意味着竞品即使造出同等封装，客户芯片架构也已与 CoWoS 工艺深度耦合，迁移成本极高。
④ 为“后摩尔时代”提前卡位
CoWoS 只是 3DFabric 平台的一极。支持 20 个 HBM 堆栈的 14 倍光罩 CoWoS 预计 2028 年投产，24-HBM 版本将于 2029 年面世；同时，面板级封装 CoPoS 已进入研发产线验证，预计 2027 年中试产，英伟达 Feynman 平台将是首个客户。
三星、英特尔和 OSAT 走向不同道路
未来先进封装竞争难有某一条技术路线“通吃”。英特尔试图利用局部硅桥降低成本，三星希望发挥垂直整合优势，日月光等 OSAT 则从成本、中立性和第二供应源需求切入。
三星：垂直整合的理论优势
三星最大的王牌是同时拥有先进逻辑、HBM、Foundry 和先进封装业务。其 2.5D Cube-S 方案可集成逻辑芯片与 HBM，另有基于硅桥和 RDL 的 Cube-E、Cube-R，以及 3D Cube-T、Cube-H。三星甚至能将逻辑、存储和封装打包提供给客户。
若未来 Custom HBM 愈发重要，存储、逻辑和封装的协同设计将成为三星反攻的切入点。目前，三星已完成 3.3 倍光罩面积 Cube-S 方案的资格认证，可支持最多 8 颗 HBM，并继续开发更大尺寸版本。然而，其在先进逻辑制程的规模、客户生态以及量产信任度上，与台积电仍存在差距。
英特尔：桥接路线的成本博弈
英特尔选择了另一条路线：EMIB 不使用整块巨大的硅中介层，而是在需要高速连接的位置嵌入局部硅桥，再结合 Foveros 进行 3D 堆叠。这种结构在成本和尺寸扩展上对大型 Chiplet 系统具有潜在吸引力。
2026 年，英特尔设立专门领导层负责先进封装与系统集成，并将 advanced packaging 提升至更高战略位置。其形成了 EMIB 与 Foveros 两条互补路线：EMIB 采用局部硅桥连接相邻 Chiplet，无需铺设完整大面积硅中介层；Foveros Direct 利用 Cu-Cu 混合键合实现垂直 3D 堆叠，两者结合可形成 EMIB 3.5D 架构。
该路线通过仅在关键位置部署硅桥，有望降低材料和成本压力，打造差异化能力。目前 EMIB-T 第一层互连凸点间距已缩至 25 微米，封装尺寸达 120×120 毫米，单封装集成超过 9 倍光罩面积的计算与存储硅，HBM4e 速度超 12Gb/s，UCIe 达 64Gb/s。但 EMIB-T 仍需在大客户量产良率、HBM 兼容性及与外部晶圆厂协同等方面证明实力。
OSAT：开放性与中立性的第三条道路
ASE（日月光）、Amkor 等 OSAT 厂商走的是第三条道路，最大优势在于开放性和客户中立。ASE 的 VIPack 体系已覆盖 RDL Fan-Out、硅桥、2.5D/3D 及 CPO。
日月光旗下的 FOCoS-Bridge 利用 fan-out RDL 结合局部硅桥，试图以灵活结构替代完整的大面积硅中介层，该技术已实现亚微米级 die-to-die 互连。由于不绑定特定晶圆代工厂，OSAT 在制造灵活性及潜在成本上具备优势。
然而，OSAT 面临的最大问题是缺少台积电那种“先进节点 + 封装+EDA+ 客户产品路线图”的完整闭环。短期内，它们更可能成为 CoWoS 扩产的协作者和溢出产能承接者，而非完全取代台积电。
台积电的优势在于，已将 CoWoS 从单一封装技术扩展为由先进制程、SoIC、HBM、Chiplet、EDA/IP 和规模量产共同组成的综合平台。
结尾
AI 时代的竞争，正从单一芯片性能比拼转向整个计算系统能力的较量。CoWoS 之所以成为台积电的重点布局方向，不仅因为封装需求的增长，更因其连接了先进制程、HBM、Chiplet 以及客户生态，成为系统级创新的关键枢纽。
部分资料参考：Reuters、TrendForce、Tom's Hardware