受全球 AI 算力驱动，高带宽内存（HBM）需求持续井喷。据韩国科技媒体 ZDNet Korea 及多家外媒报道，三星电子已将旗下 4 纳米制程超过 50% 的产能倾斜至 HBM4 基础裸片生产，相关产线目前处于满负荷运转状态。
4nm 产能全开，HBM4 成为核心焦点
三星电子 4nm 工艺已全面投产，其中 HBM4 基础裸片占总产量的 50% 至 60%，这一高占比态势预计将持续至 2026 年下半年。
从产能规模看，三星平泽第二、第三园区的 S5 和 S6 晶圆产线，4nm 工艺月总产能为 3 万片晶圆，其中 1.5 万片专门用于生产 HBM4 基础裸片。该产线自去年末起已满负荷运行，预计热潮将延续至 2027 年。针对产能紧张局面，三星已建议部分客户转用其 5nm 工艺作为替代方案。
HBM 基础裸片（Base Die）负责与上层 DRAM 堆栈互联，并集成内存控制器与物理层接口，直接决定数据传输效率与系统集成度。进入 HBM4 时代，基础裸片制造工艺已从传统 DRAM 工艺转向逻辑芯片工艺。
巨头技术路线分化，三星垂直整合显优势
当前全球头部存储厂商在技术路线上呈现显著差异：
三星：坚持“自研 + 自产”垂直整合模式，依托自有晶圆厂，采用 4nm 工艺搭配 1c DRAM（10nm 第六代），实现存储与逻辑制造的深度融合。
SK 海力士：选择将基础裸片生产外包给台积电。
美光：采用专属定制工艺推进研发。
三星的垂直整合模式在 HBM4 量产初期即展现出稳定良品率与领先性能。自今年 2 月宣布量产后，仅四个月收入便突破 10 亿美元。其 HBM4 良品率从初期的不足 60% 快速攀升至近 80%，提前达成原定 2026 年末的目标。
市场份额方面，2026 年第二季度三星 HBM 全球市占率达 38%，较一年前翻倍。三星计划 2026 年将 HBM 产量提升至去年的 3 倍以上，其中过半产能将分配给 HBM4。
库存告急展望 2nm，定向供应英伟达
供需矛盾日益凸显，三星电子与 SK 海力士的存储半导体库存已降至不足 10 天供应量，明年可用产能预计严重不足。业内估算，两家巨头当前的 HBM 月产能均在 15 万至 20 万片之间。
面向未来，三星正评估将 2 纳米先进工艺应用于 HBM 基础裸片的技术路线。公司计划改造器兴工业区的一条现有产线，专门生产 2nm 工艺的 HBM 基础裸片，并将定向供应给英伟达，以巩固其在高端 AI 芯片供应链中的核心地位。
来源：综合 ZDNet Korea、Wccftech、财联社、环球网等报道