当地时间9月14日，欧盟委员会通过第C(2026) 6323号授权条例，以新文本整体替换《欧盟两用物项条例》（Regulation (EU) 2021/821）附件一，即欧盟两用物项管制清单。
授权条例正文共两条，第一条替换附件一，第二条规定新规在《欧盟官方公报》公布次日生效。
本轮更新涉及先进计算集成电路、半导体制造设备、宽禁带功率半导体、生物技术、增材制造、高能电池、激光器以及部分核相关设备。
其中，先进计算芯片和半导体制造设备领域变化较多。欧盟重写3A501.a.16，在TPP 6000这一现有标准之外，增加一档以“总处理性能”和“性能密度”（是不是似曾相识😃）共同判定的参数；半导体制造设备方面，则新增多类EUV光刻相关设备。
一、授权依据和生效时间
欧盟委员会此次援引《欧盟两用物项条例》第17条第1款(a)项。该条授权欧委会根据欧盟成员国以及欧盟在国际防扩散机制、出口管制安排和有关国际条约项下接受的义务和承诺，修改附件一管制清单。
本轮更新有两类来源。
第一类是澳大利亚集团（AG）、核供应国集团（NSG）和《瓦森纳安排》（WA）最新形成的清单调整。
欧委会公布的修订摘要列出了澳大利亚集团2025年9月30日发布的两份相关清单和2026年3月12日发布的一份化学制造设施与设备相关清单、核供应国集团2026年4月21日发布的核相关两用物项指南，以及《瓦森纳安排》2026年1月15日公布的清单。
第二类来自欧盟成员国共同接受的额外管制承诺。
欧委会立法说明显示，27个成员国于2026年4月15日通知欧委会，它们作为《瓦森纳安排》成员已经接受进一步承诺，对一批额外物项实施管制。其中部分项目尚未正式写入《瓦森纳安排》管制清单，欧委会依据《两用物项条例》第17条将其纳入欧盟附件一，以便27个成员国统一实施。
此次更新此前经过欧盟内部咨询。有关材料于5月13日提交欧洲议会和欧盟理事会，欧委会于5月28日就有关材料咨询两用物项协调小组。
按照《欧盟两用物项条例》第18条，欧委会通过授权法规后，应同时通知欧洲议会和欧盟理事会。两者自收到通知之日起有两个月提出异议，也可以将这一期限再延长两个月。无人提出异议，或者两者提前通知欧委会不提出异议后，授权法规方可生效。最终文本将在《欧盟官方公报》公布，并按照此次授权条例第2条于公布次日生效。
二、先进计算芯片
3A501.a.16是本轮变化较大的条目之一。
2025年版3A501.a.16管制具有一个或多个数字处理单元、总处理性能（TPP）达到6000以上的芯片。2026年版重新编写这一条目，形成两档参数：
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• 3A501.a.16.a：TPP达到6000以上； -
• 3A501.a.16.b：TPP达到1600但低于6000，同时性能密度达到5.92以上。
第二档同时增加一项解控注释，未设计用于“数据中心”的AI芯片不适用3A501.a.16.b。欧盟还增加“性能密度”和“数据中心”两项本地定义。其中，“性能密度”以TPP除以“适用裸片面积”计算，适用裸片面积包括采用非平面晶体管架构制程节点制造的全部逻辑裸片面积。
技术说明2中的数值示例也被修正。对于16位运算，原有示例中的“300 tera FLOPS”改为“375 tera FLOPS”，括号内“2 × 150 MacTOPS”的原有示例同时删除。
这项修改使部分TPP尚未达到6000，但单位裸片面积计算能力较高的数据中心芯片进入3A501.a.16。
近期日本和韩国也调整了先进计算集成电路管制参数，美国ECCN 3A090则提供了另一组参数参照。
以下表格可滑动。
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| 欧盟 |
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| 日本 |
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| 韩国 |
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| 美国 |
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日本在2025年5月28日生效的修订中首次将这类先进集成电路写入《货物等省令》第6条第1号“ヨ”，当时要求与易失性存储器之外的其他集成电路之间的全部输入、输出双向传输速率合计达到600 GByte/s以上，同时根据数字处理单元、数字或模拟基本运算单元及其组合设置四种TPP达到6000以上的情形。
2026年2月14日生效的修订进一步调整这一条目，删除600 GByte/s双向输入输出传输速率条件，并将范围调整为具有一个或多个数字处理单元且TPP达到6000以上的集成电路。日本经产省问答页同时明确，该条目包括GPU、TPU、神经处理器、处理器内置内存、视觉处理器、文本处理器、协处理器或加速器、自适应处理器、FPLD和ASIC等。
韩国9月1日生效的《战略物资进出口告示》则将原3A903，即AI芯片，调整为3A501.a.16。原3A903同时要求TPP达到6000以上和输入输出带宽达到600 GByte/s以上，新3A501.a.16改为以TPP达到6000以上作为管制门槛，不再保留600 GByte/s输入输出带宽条件。韩国产业通商部将AI芯片列为本轮管制强化项目。
美国现行ECCN 3A090的参数更多。3A090.a管制两类集成电路，一类为TPP达到4800以上，另一类为TPP达到1600以上且性能密度达到5.92以上。3A090.b又设置两档较低性能密度标准，分别为TPP达到2400但低于4800、性能密度达到1.6以上且低于5.92，以及TPP达到1600以上、性能密度达到3.2以上且低于5.92。
欧盟和美国都对非数据中心芯片设置了解控。
欧盟新版3A501.a.16规定，TPP达到1600但低于6000、性能密度达到5.92以上的第二档，不适用于未设计用于数据中心的物项。
美国3A090注释2则规定，同时满足“未设计或营销用于数据中心”和“TPP低于4800”两个条件的先进芯片，不适用3A090.a和3A090.b。根据美国EAR 740.8，适用NAC许可例外时还需提交产品设计和营销方式等资料，其中包括产品是否为数据中心用途设计或营销。
欧盟此次新增的第二档在“TPP 1600加性能密度5.92”这一组参数上与美国3A090.a.2接近，在非数据中心芯片的解控设计上也存在相似之处。欧盟第二档适用于TPP达到1600但低于6000的区间，美国注释2则以4800作为相关解控条件的TPP上限；欧盟也没有设置与美国3A090.b相对应的1.6和3.2两档性能密度标准。
日本和韩国目前均以TPP 6000作为这类先进计算芯片的主要性能门槛；欧盟保留TPP 6000标准，同时增加“TPP 1600至6000加性能密度5.92”的第二档；美国3A090则设置了更多TPP和性能密度组合。美国3A090.c另行管制部分高带宽内存。
欧盟对涉及先进芯片相关的配套条目也作了同步修订。3B001.g新增对3A501.a.15和3A501.a.16的引用，为这两类芯片设计的掩模和掩模版因此进入3B001.g；3B001.i同样新增这两个条目，为相关芯片设计的压印光刻模板也被纳入。
此外，4A507适用于含有3A501.a.16所列芯片的计算机、电子组件和零部件，技术说明此次重新编写并增加模拟计算机。3E001也重新整理第3类技术管制范围，将3A项下相关条目逐项列明，并继续整体引用3B和3C。
三、半导体制造设备
半导体制造设备是本轮另一组重要新增内容。
3B501在既有沉积设备条目下新增3B501.n.1.d，同时增加3B501.o至3B501.t六个条目。
其中，3B501.n.1.d管制用于钼、钌或两者组合原子层沉积（ALD）的设备。该条目要求金属前驱体源设计或改造为在高于348 K，也就是75°C的条件下运行，工艺腔使用含氢还原剂且压力不低于4 kPa。技术说明还规定，前驱体源不必集成在设备本体中，也可以由机台源或厂务层前驱体源供应。
新增3B501.o至3B501.t主要集中于EUV工艺：
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• 3B501.o：为EUV光刻胶配制的涂布、沉积、烘烤或显影设备； -
• 3B501.p：用于检测EUV掩模坯或图形化掩模缺陷和颗粒的检查设备； -
• 3B501.q：带“表面改性”干燥的单片湿法清洗设备，其中“表面改性”指表面硅烷化； -
• 3B501.r：使用超临界二氧化碳或升华干燥的单片清洗设备； -
• 3B501.s：EUV图形整形设备； -
• 3B501.t：用于EUV掩模多层反射膜的离子束沉积或物理气相沉积设备。
3D002的软件管制也作相应修改，将3B501.o至3B501.r所列设备的相关“使用”软件纳入。
这些新增设备分布在EUV光刻胶处理、EUV掩模检测、单片晶圆清洗、EUV图形整形和EUV掩模反射膜制造等环节。欧盟2025年版已经新增一批先进半导体制造和测试设备，2026年版又补充上述工艺设备。
此次更新还将“极紫外（EUV）”由相关条目中的本地定义调整为附件一全局定义。原先3B001.j.1、3B501.l和3B501.m中的本地定义被删除，附件一中涉及EUV的条目统一适用新的全局定义。
韩国9月1日生效的新规也新设一批3B501项下先进半导体制造设备。韩国产业通商部公布的范围为3B501.a至3B501.n，包括特定规格的曝光、刻蚀和沉积设备。
欧委会2026年7月3日公布的成员国国家管制清单汇编（C/2026/3577）收录西班牙、芬兰和荷兰三国清单。荷兰清单包含半导体光刻、清洗与去除、沉积和量测检查设备；芬兰清单包含部分高性能集成电路；西班牙清单涉及干法刻蚀设备和扫描电镜检查设备。
其中，荷兰3B901p1与欧盟本轮新增3B501.n.1.d的技术参数基本一致，均针对钼、钌或两者组合的原子层沉积设备，要求金属前驱体源在75°C以上运行，并要求工艺腔使用含氢还原剂且压力不低于4 kPa。
四、宽禁带功率半导体
3A501.h是此次新增的另一个重要半导体条目。
该条目适用于最高工作结温不超过488 K，也就是215°C，并同时满足以下三项条件的固态功率半导体开关、二极管或模块：
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• 重复峰值关断电压超过5000 V； -
• 连续电流大于1 A； -
• 半导体材料禁带宽度大于2.0 eV。
条目注释明确，碳化硅、氮化镓和氧化镓器件属于这一条目的适用范围。
与此同时，该条目设置了民用用途解控。已经装入为民用汽车、铁路、航空器、输配电或能量转换用途设计的设备中的相关器件，不适用3A501.h。“能量转换”是指一种形式的能量转换为另一种形式的能量。
既有3A001.h管制的是另一组高温固态功率器件，其最高工作结温高于488 K，同时重复峰值关断电压超过300 V、连续电流大于1 A。新增3A501.h以后，工作结温高于215°C的高温器件继续适用3A001.h；工作结温不超过215°C的宽禁带器件，在关断电压超过5000 V等条件下进入3A501.h。3D001也同步增加3A501.h所列设备的相关软件。
五、其他新增条目
除先进计算和半导体设备外，新版清单还增加了多项材料、制造设备、传感器和航空发动机相关技术。
1C507.c.1.a新增一类以连续纤维增强的玻璃基或氧化物基陶瓷基复合材料。其中，增强用连续纤维须不属于1C007.c.1.a管制范围，并满足规定的材料、抗拉强度和蠕变性能参数。1C007.c.1.a已经适用于符合相关性能参数的部分连续氧化铝纤维，本次新增范围的重点是莫来石纤维增强的陶瓷基复合材料。
9A010和9E003也增加对1C507的交叉引用，其中9A010涉及运载火箭及其推进系统的部件和结构件，9E003涉及燃气轮机发动机部件和高出力柴油发动机部件的相关技术。
3A501.f新增电感式绝对位置旋转编码器，要求具有数字输出、外径不超过40毫米、分辨率不低于16位，同时不属于3A001.f管制范围。3D001同步增加相关软件。
1B504新增使用含能材料生产爆炸、烟火或推进装置及成型件的增材制造设备，并要求设备配备一个或多个超声挤出机或喷嘴。
1B501.d.2新增利用激光驱动化学气相沉积方式生产多根平行碳化硅纤维、且不属于1B001.d.2管制范围的设备。
9E503.l新增燃气轮机轴流压气机开发所需技术，并以结构特征与计算参数共同判定。结构条件包括多流道风扇系统、叶尖间隙反馈控制、气动弹性颤振规避反馈管理、冷却气流通道或冷却转动部件、串列或分流转子叶片以及叶尖处非轴对称机匣等；参数条件涉及平均交替级负荷、多变效率、稳定裕度和平均级压比。9E503的注释明确，该条所涉技术包括适用于航空、航改、船用和工业燃气轮机的技术。
5E501.f新增一种“程序库”技术，即专门设计或修改、用于使设备实现5A001.h所列设备功能的程序库。5A001.h涉及反简易爆炸装置设备及相关设备。
六、部分参数放宽并删除若干条目
本次更新也包括参数上调、增加解控注释以及删除既有条目。
首先是高能二次电池。3A001.e.1.b将能量密度参数由350 Wh/kg提高到20°C条件下500 Wh/kg。能量密度处于350至500 Wh/kg之间、仅因这一参数进入原条目的部分二次电池，在新版参数下不再满足这一项标准。
激光器方面，6A005.a.6.a将975 nm至1150 nm波段单横模激光器的输出功率参数由1000 W提高到2 kW，同时新增一项管制条件，将输出功率超过1.5 kW、频谱带宽达到40 GHz但低于100 GHz的单横模激光器纳入。
6A005.a.6.b将部分多横模激光器输出功率参数由2 kW提高到3 kW，并同步调整工业激光器解控条件。新版对输出功率3 kW至12 kW、12 kW至20 kW以及20 kW至40 kW的产品分别设置不同的光束参数积（BPP）条件。
此外：
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• 6A002.d.3新增解控注释，专门用于热传感，且最高感测温度低于150°C、最低感测温度高于零下100°C的光纤布拉格光栅，不适用该条目； -
• 6A005.c.3增加针对部分可调谐激光器的解控注释； -
• 8A002.d水下视觉系统和8A002.g水下照明系统被整体删除并改为“未使用”； -
• 3A001.a.5.a.1、3A001.a.14.a.1、3A002.h.1.a、3B501.f.1.a、6A005.a.6.b.1等既有条目也被删除并标记为“未使用”。
七、生物与化学相关条目
生物技术领域，2B352.i对核酸合成设备的管制范围作出较大调整。
新版将原来的“核酸组装仪和合成仪”调整为“核酸合成仪，以及兼具合成和组装功能的设备”。生成连续核酸的长度门槛由1.5千碱基降至0.5千碱基，同时删除原先“单次运行错误率低于5%”的限制条件。两项调整叠加后，更多核酸合成设备将进入2B352.i的管制范围。
2B352.d的解控注释也重新编写，并将血浆置换设备纳入解控范围。2B350新增注释，进一步明确“所有与化学品接触的表面由特定材料制成”这一技术条件的适用范围。
化学品方面，1C350新增第91项1,1,3,3-四乙基胍。
八、核相关条目
附件一第0类“核材料、设施和设备”本身此次没有修改，但第1类中部分核相关两用设备参数发生变化。
其中，1B232调整了透平膨胀机和透平膨胀机压缩机组的技术参数。原有标准要求出口温度为35 K，也就是零下238°C或更低，新版改为15 K至35 K区间，即零下258°C至零下238°C。
同时，设备处理气体的流量条件也发生变化。原条目要求设备设计用于氢气处理量达到1000 kg/h以上，新版将这一条件扩大为氢气或氦气处理量达到1000 kg/h以上。
氦气被加入气体处理量条件，出口温度则由“35 K以下”改为“15 K至35 K”。低于15 K的设备不再因这一温度参数进入1B232。
https://policy.trade.ec.europa.eu/news/2026-update-eu-control-list-dual-use-items-2026-09-14_en