CPO（共封装光学）是适配AI高速算力的新一代光互联技术，主要应用于800G、1.6T、3.2T高端交换机与GPU直连模组。
其通过光引擎、硅光芯片、DSP、供电电路高密度集成，实现高速光电信号传输，而MLCC作为核心无源元件，承担电源稳压、高频去耦、信号滤波、射频隔直等关键作用，是保障CPO模组高速、稳定、低误码运行的基础。
硅电容核心优势
在核心应用场景上，首先是芯片电源去耦，这是MLCC用量最大的场景。
CPO模组内DSP、硅光芯片、激光驱动器工作时电流呈纳秒级剧烈波动，01005微型MLCC可快速瞬态储能、抑制电压跌落，搭配高低容值组合滤除全频段高频噪声，杜绝高速信号误码失真。其次是内置DC-DC电源滤波，MLCC凭借低ESR、低ESL特性，吸收电源尖峰、平滑开关纹波，适配CPO密闭空间散热差、功率密度高的工况，保障供电纯净稳定。
同时，MLCC广泛用于CPO射频信号链路与控制电路。其中C0G/NP0高频MLCC用于高速差分光信号链路，实现隔直耦合，具备低损耗、零温漂特性，可完整传输百GHz高速信号，保障信号完整性；另有常规MLCC用于温控监测、I2C通信等辅助电路，滤除模拟杂波，避免模块误告警、误保护。相较于传统800G光模块，1.6T CPO模组MLCC用量提升30%以上，微型高频型号占比超50%。
主要落地场景
MLCC 像主板上的大容量蓄电池，硅电容就是贴在芯片胸口的高速稳压电容。它容量不大，但速度、稳定性、可嵌入封装的特性，是传统陶瓷电容无法实现的，是 AI 算力硬件不可忽视的底层配角。
CPO高密度、超高频、密闭高温的特殊工况，对MLCC提出严苛差异化要求。产品需极致微型化，主流采用01005、008004超小封装，适配高密度载板布线；射频链路必须使用高Q值、低损耗的C0G介质物料，电源侧则依托高容X7R介质实现稳压滤波。同时需具备宽温耐候、超低阻抗特性，适配-40℃~125℃密闭高温环境，部分高端大功率CPO还会采用软端子、Metal Frame支架MLCC，抵御基板热形变与机械应力，防止陶瓷开裂。目前行业以MLCC为主、少量硅电容为辅，MLCC承担80%以上的电路应用需求，无法被替代。
四大趋势
未来行业发展将呈现四大趋势：
一是微型化迭代加速，008004超微封装逐步替代01005，适配3.2T及以上超高密度CPO模组。
二是产品结构持续升级，高频C0G物料向200GHz+超宽带演进，电源侧MLCC通过工艺升级实现小尺寸高容化，减少并联用量。
三是高可靠产品渗透率提升，抗应力、耐高温的特种MLCC成为高端CPO标配。
四是国产替代提速，国内厂商逐步突破高端微型高频MLCC技术，切入头部CPO供应链，缓解海外产能紧缺问题。整体来看，伴随AI算力迭代升级，CPO专用MLCC将持续保持30%以上年增速，成为MLCC行业核心高增长赛道。
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