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欧盟修订两用物项清单:EUV极紫外光刻产业链大规模扩管(附文件)

欧盟修订两用物项清单:EUV极紫外光刻产业链大规模扩管(附文件) 合规观澜
2026-09-15
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Compliance Insights

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2026年9月14日,欧盟委员会通过了一项授权条例,对欧盟(EU) 2021/821号条例附件I中的欧盟两用物项出口管制清单进行了更新。



欧盟称,此次更新使该清单与多边出口管制机制——即瓦森纳协定 (WA)、澳大利亚集团 (AG) 和核供应国集团 (NSG)——在2025年作出的决定保持一致。更新内容还涵盖了成员国作为瓦森纳协定成员所承诺的、对额外物项实施统一管制的措施。


具体而言,此次欧盟管制清单的更新新增了若干两用物项,其中包括:


1.半导体制造与测试设备及材料(例如:用于钼和钌的原子层沉积设备、用于极紫外(EUV)光罩及掩模版开发与检测的设备,以及单片晶圆清洗设备);


2.先进计算集成电路(IC)及电子组件,例如包含一个或多个数字处理单元的集成电路;


3.用于高温环境的莫来石增强陶瓷基复合材料(CMC);


4.基于电感式传感技术的旋转编码器;


5.含能材料增材制造设备;


6.用于生产碳化硅(SiC)纤维的化学气相沉积设备;


7.燃气轮机轴流压缩机开发技术;以及


8.特定控制参数的修改,以及特定技术定义与描述的更新。


经更新的欧盟管制清单在经历理事会和欧洲议会通常为期两个月的审查期后,一旦在《欧盟官方公报》上公布,即正式生效。


欧盟对两用物项的出口管制基于一份共同的两用物项清单(即“欧盟管制清单”),所有成员国均须对清单所列物项实施管制。该清单(即欧盟《两用物项条例》附件一)通常每年至少修订一次;修订工作通过“授权法案”进行,依据的是国际防扩散机制及出口管制安排框架下所作出的决定与承诺。


部分修订内容


第3类:电子与半导体(本次改动最大板块)


1.元器件参数调整


①二次电池 3A001.e.1.b:能量密度管制阈值由350 Wh/kg上调至500 Wh/kg。


②新增硬件管制:旋转输入式绝对位置感应编码器;固态功率半导体开关、二极管及模块。


2.高性能集成电路3A501.a.16精细化管制


①管制对象:具备一个或多个数字处理单元,TPP≥1600且<6000,性能密度≥5.92的集成电路。


②关键豁免:专门新增解除管制注释 ——非设计用于数据中心的芯片不受本条管制;同步新增本地定义 “性能密度”“数据中心”,修正16bit下FLOPS数值。


3.EUV极紫外光刻产业链大规模扩管(3B501系列新增多条目)


本次把 EUV 掩模、工艺全流程设备纳入管制,配套软件、技术同步受控:


  • 钼、钌原子层沉积(ALD)设备;New entry for «Equipment for Atomic Layer Deposition of molybdenum and ruthenium»»——3B501.n.1.d.


  • EUV光刻专用光胶涂覆、沉积、烘烤、显影设备;New entry for «Equipment designed for coating, depositing, baking, or developing photoresist formulated for "EUV" lithography»——3B501.o.


  • EUV掩模坯 / 图形掩模缺陷、颗粒检测设备;New entry for «Inspection equipment designed for the detection of defects in, or particle on, "EUV" mask blanks or "EUV" patterned masks»——3B501.p.


  • 特殊单片清洗设备(表面改性干燥湿法清洗、超临界CO₂/升华干燥清洗);New entry for «Single wafer wet cleaning equipment with 'surface modification' drying»;New entry for «Equipment designed for single wafer cleaning using supercritical CO2 or sublimation drying»——3B501.q.、3B501.r.


  • EUV 图案成型设备;EUV掩模多层反射膜离子束沉积/ PVD设备。New entry for «Equipment designed for "EUV" pattern shaping»;New entry for «Equipment designed for ion beam deposition or physical vapor deposition of a multi-layer reflector for "EUV" masks»——3B501.s.、3B501.t.


全部章节中原有的EUV局部定义全部替换为全局统一定义。


第4类计算机 / 第5类通信信息安全


1. 第4类:新增用于4A005设备开发、生产的软件管制,技术注释纳入模拟计算机。


2. 第5类:新增专门库文件管制;调整跨章节交叉引用,优化信息安全软件 / 技术的跳转逻辑。


第6类:传感器与激光器(激光参数全面更新)


1. 单模激光器:基础管制功率阈值由1000 W上调至2kW;新增管制:输出功率>1.5kW,光谱带宽40 —100 GHz的单模激光器。


2.多模激光器:管制起点功率从2kW上调至3 kW;同时收紧豁免条件的光束参数乘积BPP阈值(同等功率下,允许的BPP上限数值降低,光束质量稍差即触发管制);豁免功率区间整体向更高功率迁移。


3.新增豁免:可调谐激光器、热传感用途光纤布拉格光栅设置专门解除管制注释。


信息来源:欧盟官网网站

https://policy.trade.ec.europa.eu/news/2026-update-eu-control-list-dual-use-items-2026-09-14_en


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