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【TMS技术】如何认识经颅磁刺激定位帽?

【TMS技术】如何认识经颅磁刺激定位帽? 经颅磁刺激技术
2016-02-24
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导读:TMS治疗疾病时,刺激部位是相当重要的。因为不同疾病可能脑皮层改变的部位不同,要求操作者在行TMS治疗

  TMS治疗疾病时,刺激部位是相当重要的。因为不同疾病可能脑皮层改变的部位不同,要求操作者在行TMS治疗前要充分认识疾病的病理,找出合适的刺激部位。


对于很多非脑电系统的操作者来说,脑部定位实在太复杂。所幸,依瑞德磁场刺激仪配套了快速知道定位的定位帽,使用方便,简单易学。(下图为常见疾病的TMS刺激定位图)


此定位帽是根据国际脑电图10-20系统而研制,已获得国家专利。而对于TMS操作者,知其然还应知其所以然,所以,今天我们来探讨脑电图10-20系统,希望今后TMS治疗更上一层楼!


目前临床上所用的脑电图还主要是使用盘状电极,采用国际1020系统安置电极,包括19个记录电极和2个参考电极。


国际1020系统安放顺序:

1、首先在头皮表面确定两条基线,一条为鼻根至枕外粗隆的前后连线为100%,另一条为双耳前凹之间的左右连线为100%。二者在头顶的交点为Cz电极的位置。


2、从鼻根向后10%处为FPz(额极中线),从FPz向后每20%为一个电极的位置,依次为Fz(额中线)、Cz(中央中线)、Pz(顶中线)及Oz(枕中线)。Oz与枕外粗隆的间距为10%。


3、双耳前凹连线距左耳前凹10%处为T3(左中颞)电极位置,以后向右每20%放置一个电极,依次为C3(左中央)、Cz(中央中线)、C4(右中央)和T4(右中颞)。T4距右耳前凹间距为10%。

4、从FPz通过T3至Oz的连线为左颞连线,从FPz向左10%为FP1(左额极),从FP1沿左外侧向后每20%放置一个电极,依次为F7(左前颞)、T3(左中颞)、T5(左后颞)及O1(左枕),其中T3为此线与双耳前凹连线的交点,O1距Oz为10%。FP2沿右外侧向后连线与此相对应,从前向后依次为FP2(右额极)、F8(右前颞)、T4(右中颞)、T6(右后颞)及O2(右枕)。


5、从FP1至O1和从FP2至O2各作一连线,为左、右矢状旁连线,从FP1和FP2直线向后每20%为一个电极位点,左侧依次为F3(左额)、C3(左中央)、P3(左顶)和O1(左枕),右侧依次为F4(右额)、C4(右中央)、P4(右顶)和O2(右枕)。在10-20系统中,FPz和Oz不包括在19个记录位点内。

       

            脑电图10-20系统脑与定位点对应表

额极

frontal  pole

FP1/FP2

frontal

F3/F4

中央

central

C3/C4

parietal

P3/P4  

occipital

O1/O2

前颞

anterior  temporal

F7/F8

中颞

mid-temporal

T3/T4

后颞

posterior  temporal

T5/T6

额中线

Frontal zero

Fz

中央中线

Central zero

Cz

顶中线

Posterior zero

Pz

枕中线

Occipital  zero

Oz



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