本周国内晶圆制造产能扩张成为产业焦点。华虹宏力联合多家机构增资468亿元加码无锡三期，建设月产5.5万片12英寸特色工艺产线，标志着国内成熟制程产能扩张进入加速期。全球光刻技术路线同步迎来里程碑，ASML一日内连发三则公告，联合台积电、三星、英特尔推动High-NA EUV生态从6英寸光掩模向12英寸过渡。同期，台积电8月营收创历史新高达5148亿新台币，同比大增53.3%；存储端三星、SK海力士库存降至不足10天，产业链多环节共振向上。

华虹宏力468亿加码无锡三期，12英寸特色工艺产能扩张加速

9月初，国内第二大晶圆代工厂华虹宏力发布重大对外投资公告，联合多家机构对无锡华虹宏力三期半导体有限公司增资，核心信息包括：

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  投资规模：项目总投资69.5亿美元（约468亿元人民币），华虹系合计出资约21.27亿美元（约143亿元），持股51%保持绝对控股
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  产能规划：建设月产能约5.5万片的12英寸特色工艺晶圆代工产线，覆盖功率器件、存储器、模拟芯片、MCU等特色工艺领域
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  建设周期：建设地点位于无锡市新吴区新洲路，预计2027年12月完成产线建设并投入生产
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  资金来源：联合无锡锡虹国芯二期、华芯鼎新（大基金背景）、国开新型政策性金融工具等投资方共同增资，同时变更56亿元募集资金投向无锡三期
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  业绩支撑：2026年上半年华虹宏力业绩同比大增436%，现有产能利用率维持高位，为大规模扩产提供坚实基础

处于国内特色工艺晶圆制造核心环节，上下游传导链路清晰：

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  上游：半导体设备（刻蚀、沉积、检测等）、硅片、光刻胶、特种气体等材料供应商
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  中游：华虹宏力等特色工艺晶圆代工厂，与中芯国际形成"先进制程+特色工艺"双轮驱动
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  下游：功率器件、模拟芯片、MCU、存储、CIS等芯片设计厂商，服务新能源、汽车电子、工业控制、消费电子等终端市场

沿产业链逐级传导，对各环节影响深远：

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  上游设备材料端：无锡三期扩产将直接拉动刻蚀、沉积、检测等设备采购需求，国产设备厂商迎来更多验证与导入机会，硅片、光刻胶等材料需求同步增长
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  中游晶圆制造端：国内12英寸特色工艺产能持续扩张，华虹在功率、模拟、MCU等特色工艺领域的产能优势进一步巩固，缓解成熟制程产能紧张
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  下游芯片设计端：功率、模拟、MCU等芯片国产替代获得更多产能保障，汽车电子、新能源等下游领域的芯片供给能力增强
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  国内产业视角：华虹与中芯国际形成"先进制程+特色工艺"双轮驱动格局，国内晶圆制造自主可控能力持续提升，特色工艺成为国产替代的重要突破口
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  关务视角：12英寸产线设备进口量将大幅增长，半导体设备的HS归类、减免税适用及口岸查验时效，正成为产线建设进度的关键变量；"分批到货+保税暂存"模式需求凸显

动态一 | ASML联合三大厂推动12英寸光掩模，High-NA EUV生态加速成型

9月8日，光刻机巨头ASML一日内连发三则重磅公告，分别与台积电、三星电子、英特尔就高数值孔径（High-NA）极紫外（EUV）光刻技术达成或深化合作，核心信息：

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  12英寸光掩模合作：ASML与台积电共同发起产业倡议，推动High-NA EUV所用光掩模从6英寸标准过渡至12英寸，预计产能提升最高达40%
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  台积电量产规划：计划自2030年起将High-NA EUV用于先进制程大规模生产
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  三星量产规划：计划于2028年前首次将High-NA EUV用于DRAM大规模生产
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  英特尔进展：已处理超过100万片采用High-NA EUV相关技术的晶圆

处于半导体制造最核心的光刻设备环节：

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  上游：光掩模、光刻胶、光学元件等核心材料
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  下游：AI芯片、高端处理器、先进DRAM等终端芯片，传导至AI服务器、数据中心全链条

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  6英寸→12英寸光掩模规格重构将重塑上游光掩模产业格局，国产光掩模企业面临技术迭代新机遇
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  三大厂同步锁定High-NA路线，先进制程竞争进入新阶段，2nm以下制程产能布局加速
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  在High-NA EUV设备受限背景下，国内需在先进封装、成熟制程特色工艺、DUV多重曝光等差异化赛道持续发力

动态二 | 台积电8月营收5148亿新台币创历史新高，同比大增53.3%

9月10日，台积电发布2026年8月营收报告，AI芯片需求持续强劲推动业绩大幅超预期：

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  单月营收：8月合并净营收约5,148.06亿元新台币（约163亿美元），首度突破5000亿新台币大关
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  增速表现：同比增长53.3%，环比增长10.1%，连续四个月刷新历史新高
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  累计营收：2026年1-8月累计净营收约3.39万亿元新台币，同比增长39.3%
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  产能状态：N3、CoWoS先进封装产能仍然非常吃紧，AI Agent将把算力需求扩展至CPU领域

处于全球晶圆代工龙头地位，上下游传导链路：

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  上游：半导体设备、硅片、光刻胶等材料供应商
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  下游：英伟达、AMD、苹果、高通等AI芯片与高端处理器设计厂商

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  AI芯片需求持续旺盛，先进制程与先进封装产能紧缺格局短期难以缓解
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  上游设备、材料厂商持续受益于台积电创纪录的资本开支（2026年全年600-640亿美元）
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  国内晶圆代工企业面临更大竞争压力，需在成熟制程、特色工艺、先进封装等领域加速差异化布局

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  三星、SK海力士存储库存降至不足10天，AI驱动存储紧缺加剧

  事件：截至2026年第三季度，三星电子与SK海力士的存储半导体库存已降至不足10天供应量，HBM、服务器DRAM、企业级SSD需求同步高增，市场担忧明年可能出现"无货可卖"的极端局面

  定位：存储芯片制造环节，覆盖DRAM、NAND Flash、HBM

  影响：存储价格有望持续上行，国内存储厂商（长江存储等）充分受益周期上行；下游AI服务器、消费电子面临存储成本上升压力

  来源：BusinessKorea、芯智讯
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  长电科技拟定增65亿元加码先进封装，四大项目总投资超95亿

  事件：9月3日，国内封测龙头长电科技披露定增预案，拟募资不超过65亿元，投向高性能计算高端先进封装平台扩产（15亿）、高端电源模组封测升级（10亿）、晶圆级封装升级扩能（11亿）、高密度大容量存储芯片封测升级（10亿）四大项目及补充流动资金

  定位：先进封装测试环节，服务高性能计算、AI芯片、存储芯片等

  影响：国内封测龙头加速向先进封装平台转型，运算电子营收占比首超通讯电子；上游封装设备、材料需求同步增长

  来源：长电科技定增预案、上海证券报
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  深科技子公司拟18.5亿扩产高端存储芯片封测产能

  事件：9月9日，深科技公告，全资子公司沛顿科技（深圳）拟进一步实施高端存储芯片封测产能扩充项目，计划总投资达18.5亿元，把握AI产业爆发式增长带来的机遇

  定位：存储芯片封测环节，服务DRAM、NAND Flash等存储产品

  影响：国内高端存储封测产能持续扩张，受益于存储周期上行与AI服务器需求增长，提升国内存储封测自主可控能力

  来源：深科技公告、长江商报
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  ASML荷兰新建产业园，扩大光刻机整机组装产能

  事件：9月9日，ASML官宣在荷兰Brainport产业园区北区新建大型产业基地，一期工程预计2029年完工，项目包含无尘车间、设备组装车间、物流仓储与办公配套，建成后将扩充EUV、DUV光刻机整机组装产能

  定位：光刻设备制造环节，上游是精密光学、机械零部件

  影响：缓解全球光刻机交付压力，缩短设备交付周期，支撑全球晶圆厂扩产计划；反映半导体设备需求的长期景气

  来源：ASML官方公告、半导体设备行业热点速递
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  晶合集成四期项目无尘室装修，产能利用率维持高位

  事件：9月10日，晶合集成在科创板2026年半年度半导体制造、设备及材料行业集体业绩说明会上表示，公司当前产能利用率维持高位，订单充足，下游需求整体符合前期经营预期，四期项目正在进行无尘室装修

  定位：晶圆制造环节，聚焦显示驱动芯片、电源管理、CIS等

  影响：国内晶圆厂产能持续扩张，成熟制程需求旺盛，显示驱动、电源管理等芯片国产替代进程加速

  来源：晶合集成业绩说明会、证券时报

图1　国内主要12英寸晶圆厂扩产动态对比

图2　全球High-NA EUV主要玩家量产规划

注：具体数据以各来源官方披露为准；涉及资质与合规信息如有出入，以主管部门公示为最终依据。