（文/王一 编辑/吕栋）
中国存储产业的突破引发韩国媒体高度关注。近日，韩国《朝鲜日报》报道称，中国长鑫存储在 HBM3（高带宽存储）生产中的良率仅为 25%，远低于行业平均水平；同时大肆宣扬本国企业 SK 海力士早在 2022 年已实现量产且良率超 90%。此类报道意在唱衰中国存储产业，凸显中韩技术差距。
技术壁垒与客观挑战
HBM 并非简单的 DRAM 芯片堆叠，其核心在于利用硅通孔（TSV）技术，在极度减薄的晶圆上加工数千个微孔并填充铜材料，以实现高速数据交换。该工艺难度极高，任何细微偏差都可能导致芯片报废。在中国面临出口管制的背景下，长鑫存储确实在工艺攻关上面临客观困难。
SK 海力士 HBM4 韩联社
然而，韩媒刻意放大良率数据进行拉踩，字里行间流露出明显的焦虑情绪。事实上，中国存储产业近年进展显著：长鑫存储在 DRAM 领域率先实现 LPDDR6 量产商用；长江存储在 NAND Flash 领域正向 300 层以上技术迈进，持续打破国外垄断。
产业链安全与自主必要性
中国攻坚存储技术旨在保障产业链安全。2026 年初，DRAM 与 NAND Flash 价格创下近十年新高，部分型号涨幅超 300%。这一现象警示：若关键存储环节受制于人，整个中国消费电子产业将面临巨大风险。尽管全球半导体产业依赖分工合作，但从产业安全角度出发，掌握核心技术具有充分的必要性与正当性。
数据泄露疑云与韩国修法
韩媒报道中详列“每颗 HBM 芯片搭载约 3000 个 TSV"、“前道工艺良率约 30%"等敏感数据，远超一般“知情人士”所能获取的范围，涉嫌窃取商业机密。颇具讽刺意味的是，长鑫尚未对此提出指责，韩国却已率先加强技术封锁。
本周末起，韩国新修订法律正式施行，规定向“外国或相当组织”泄露敏感技术者最高可获刑 30 年，将技术泄露提升至国家安全高度。彭博社指出，虽未直接点名中国，但此举显然针对中国存储产业的快速追赶。韩国产业通商部长官金正官此前亦坦言：“中国的发展速度超乎想象，令人感到强烈紧迫感。”
全球格局下的利益博弈
AI 算力爆发使 HBM 成为半导体产业核心。对韩国而言，三星和 SK 海力士的存储优势不仅关乎企业利润，更支撑着国家支柱出口产业。一旦他国实现技术突破，韩国既有优势必将受到冲击。对于拥有庞大消费电子与 AI 产业的中国而言，摆脱技术依附、构建自主供应链是应对安全威胁的必然选择。
专利布局与市场突围
中国存储企业的崛起并非投机取巧，而是基于长期的专利护城河建设。以长鑫存储为例，其于 2019 年从破产的德国巨头奇梦达处获得约 6200 项专利许可及 2.8TB 技术文档，在此基础上构建了涵盖架构、制造、封装测试的全链条知识产权体系。
长鑫产品 资料图
数据显示，2023 年长鑫国际专利申请公开量居全球第 22 位；2024 年美国专利授权量居全球第 42 位、中国企业第四。Counterpoint Research 统计表明，2026 年二季度长鑫全球 DRAM 市场份额已达 10%。
诚然，作为后来者，长鑫在高端产品良率、工艺成熟度及生态建设上与三星、SK 海力士仍存在差距。但技术追赶非一日之功，正如面板行业的京东方与华星光电，中国存储企业正从“追赶者”向“竞争者”转变。随着实力增强，此类舆论摩擦终将成为常态。