国内6英寸铸造法氧化镓单晶研制获得成功

据镓仁半导体官微消息，近日，杭州镓仁半导体有限公司联合浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院、硅及先进半导体材料全国重点实验室，采用自主开创的铸造法成功制备了高质量6英寸非故意掺杂及导电型氧化镓(β-Ga₂O₃)单晶，并加工获得了6英寸氧化镓衬底片，成为国内首个掌握6英寸氧化镓单晶衬底制备技术的产业化公司。