近期，CEA-Leti（法国原子能委员会电子与信息技术实验室）宣布启动代号FAMES的FD-SOI中试线，这是一项旨在推动欧洲半导体技术发展的重大项目。这项耗资 8.3 亿欧元（约合 8.889 亿美元）的计划符合《欧盟芯片法案》增强欧盟半导体能力和确保技术主权的目标。
该试验生产线将开发5套新技术：
具有 10nm 和 7nm 两个新一代节点的FD-SOI
嵌入式非易失性存储器，包括OxRAM、FeRAM、MRAM 和FeFET
射频元件，如开关、滤波器和电容器
两种3D集成选项：异构集成和顺序集成
用于开发电源管理集成电路(PMIC)的DC-DC转换器的小型电感器
FD-SOI由CEA-Leti发明，是一种平面CMOS技术，可为混合电路（包括数字、模拟和射频模块）提供卓越的性能、功率、面积、成本和环境影响。由于其在晶体管级的严格静电控制以及适用于创新的电源管理技术，它已被全球半导体领导公司采用。
FD-SOI市场正在期待10nm和7nm的下一代节点。
电子系统价值链中的43家公司（包括材料供应商、设备制造商、无晶圆厂公司、EDA、IDM、系统公司以及来自 ITC、汽车、医疗设备、航天和安全市场的最终用户）已表示支持FAMES计划。这种支持标志着一个由初创企业、中小企业和全球行业领袖组成的充满活力的生态系统的产生。
CEA-Leti首席技术官Jean-René Lèquepeys 表示：“通过整合和组合一系列尖端技术，FAMES试验线将为颠覆性的片上系统架构打开大门，并为未来芯片提供更智能、更环保、更高效的解决方案。FAMES项目确实将特别关注半导体可持续性挑战。”
Chips JU执行董事Jari Kinaret 表示：“Chips JU对此十分骄傲，十分有幸能够为这一战略举措做出贡献，并加强欧盟在关键领域的主权。这条试验生产线将推动关键半导体技术的发展，同时高度重视可持续性，并促进多个欧洲参与者之间的合作。Chips JU旨在成为关键领域进一步公私合作的催化剂和典范。”
FAMES 联盟成员包括：
CEA-Leti（法国）
Imec（比利时）
Fraunhofer Mikroelektronik（德国）
Tyndall（爱尔兰）
VTT（芬兰）
CEZAMAT WUT（波兰）
UCLouvain（比利时）
Silicon Austria Labs（奥地利）
SiNANO Institute（法国）
Grenoble INP-UGA（法国）
University of Granada（西班牙）
新技术将为低功耗微控制器（MCU）、多处理器单元（MPU）、人工智能和机器学习设备、智能数据融合处理器、射频设备、5G/6G芯片、汽车市场芯片、智能传感器和成像仪、可信芯片和新空间组件创造市场机会。
该试点生产线将通过年度公开招标和应要求，按照公平、非歧视性的选择程序向所有欧盟利益相关者开放，包括大学、农村电力输送组织、中小企业和工业公司，以及意向国家。
该项目将获得总计8.3亿欧元的资金，由参与成员国和 Chips JU均等出资。
