这项重大进展将为宽禁带半导体在新能源汽车、消费电子、人工智能等领域的规模化应用提供重要技术支撑。
碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）作为第三代半导体的代表，凭借高禁带宽度、高击穿场强、高电子饱和速度和高热导率等优异特性，特别适合制造高频、高功率、耐高温、抗辐照器件，广泛应用于新能源车、消费电子、光伏、电网等领域。
基于同质外延的4H-SiC器件具有低缺陷、高耐压、抗雪崩优势，但面临低沟道迁移率和栅氧可靠性挑战。GaN HEMT拥有高开关频率和高沟道迁移率，但受限于Si基异质外延的高缺陷密度和横向结构，在高可靠性、高耐压及抗雪崩应用上竞争力不足。如何整合两者特性、实现优势互补是产业界和学术界的重大探索方向。