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参考这个失败的RE测试报告（图一图二），可以判断机器工作在高频段(100MHz~1GHz)时，电源塌陷比较严重，并且，在底噪上叠加了CLK倍频信号。
参考原理方框图，用示波器检查DDR CLK信号频率，对比测试报告发现这个100MHZ，200MHZ，400MHZ，600MHz频点是DDR CLK倍频产生的。另外，还有一个点810MHz超标，同时，我们对SENSOR CLK信号进行了频率测量，发现这个810MHZ和这个SENSOR CLK信号存在倍频关系。其他杂散信号是由Audeo带出来的。
通过系统性的分析，我们可以确定设备的如下电路需要进行EMI修改：
1. 电源电路
2 .DDR CLK时钟
3 .SENSOR CLK时钟
4 .Audeo接口
针对以上分析，对电路进行了如下整改：
1.在USB输入端放置一个共模滤波器，分别添加104和102 SMD电容构成∏型电路结构。
2.在电源输入端放置一个共模滤波器，分别添加104和102 SMD电容构成∏型电路结构。
（图一）
（图二）
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