文｜南都记者 杨柳
9 月 7 日，长鑫科技（688825.SH）召开业绩说明会。面对投资者关于 HBM（高带宽内存）研发进展的密集追问，管理层未予正面回应，仅表示公司将按既定技术路线图和商业计划，持续迭代产品与制程工艺。
HBM 研发进展：业内传闻送样，机构预测 2026 年贡献营收
HBM 通过垂直堆叠 DRAM 芯片并高速互连，大幅突破传统内存带宽瓶颈，是 AI 芯片高效运行的关键组件。目前，该领域由三星、SK 海力士和美光三大国际巨头主导。
尽管长鑫科技未公开披露 HBM 具体进度，但业内消息频发。8 月底有报道称，其 HBM3E（第五代高带宽内存）已进入生产阶段，并有多家国产 AI 芯片公司进行测试。对此，长鑫管理层在会议上未置可否。
一位外资券商分析师透露，长鑫科技的 HBM3E 产品确实已经送样，但其能否满足国内客户需求以及实现稳定大规模供应的时间表，仍存在不确定性。
国际投行对此持乐观态度。高盛研报指出，长鑫科技将持续提升 HBM 性能，预计相关业务收入占比将从 2026 年的 2% 攀升至 2030 年的 27%，贡献将于 2026 年第四季度开始显现。摩根士丹利则预测，2027 年长鑫有望产出 300 万至 400 万颗 HBM3E 芯片，可支撑约 80 万至 100 万颗国产 AI 芯片，从而确立其在中国 AI 供应链中的战略地位。不过，该行也强调，具备商业竞争力的 HBM 业务需克服高良率 DRAM、TSV 工艺、先进封装及联合测试认证等多重挑战。
主流产品线迭代：LPDDR6 量产，全球市场份额稳步提升
目前，长鑫科技的主流产品涵盖用于服务器及 PC 的 DDR 系列，以及面向移动设备的 LPDDR 系列。8 月 29 日，公司宣布最新一代低功耗内存 LPDDR6 实现量产，并首批搭载于小米 18 Fold 折叠屏手机。
长鑫科技 LPDDR6 内存产品图
在市场占有率方面，长鑫科技增长显著。据 TrendForce 集邦咨询 9 月 7 日发布的数据，2026 年第二季度，长鑫科技在全球 DRAM 市场的营收占比从上季度的 7.6% 提升至 9.5%。
出海战略成效显著：境外收入占比超六成，获国际客户青睐
在全球内存供应趋紧的背景下，长鑫科技成为海外消费电子厂商的重要替代选择。高盛分析认为，尤其在智能手机和 PC 领域，美国客户采用包括长鑫在内多元化供应商的意愿强烈。
长鑫科技总经理赵纶在业绩会上表示，公司始终以开放态度与全球优质客户探讨合作，其产品性能、质量及供应稳定性已具备与国际主流厂商竞争的实力。财报数据显示，2026 年上半年，长鑫科技境外收入占主营业务收入比例达 63.84%，较 2025 年同期的约 36.88% 大幅增长，国际化战略成效卓著。