2026 年 Q2 DRAM 产业营收激增，AI 需求成核心驱动力
根据 TrendForce 集邦咨询最新研究，受 Conventional DRAM（一般型 DRAM）合约价显著上涨推动，2026 年第二季度全球 DRAM 产业营收环比大增 59.5%，总额接近 1,547.3 亿美元。
需求端方面，LLM 模型训练与 AI 推理持续刺激 AI 服务器需求，带动 HBM3e、LPDDR5X 及高容量 RDIMM 出货同步增长；Agentic AI 应用亦拉动各容量规格 RDIMM 拉货。供给端，原厂库存处于低位，新增产能优先满足服务器应用，促使第二季整体 DRAM 位元出货量小幅攀升。
展望第三季，预计位元出货量将持续微增。价格方面，受部分大容量 RDIMM 需求转向中低容量产品，以及 PC 与智能手机客户对涨价承受力有限的影响，预估 Conventional DRAM 价格季增幅将收窄至 13-18%，其中原厂大幅收敛供给的 Consumer DRAM 涨幅最高。
三大原厂营收盘点：三星稳居榜首
Samsung（三星）
三星率先导入 HBM4 量产并出货，第二季位元出货量季增幅度居三大原厂之首，平均销售单价（ASP）大幅提升。其季度营收达 609.8 亿美元，环比增长 63.4%，以 39.4% 的市占率蝉联第一。
SK hynix（SK 海力士）
SK 海力士营收位居第二。由于其 HBM 占整体出货位元比重为三大原厂最高，ASP 增幅相对受限。第二季营收环比增长 37.9%，达 385.9 亿美元，市占率小幅下滑至 24.9%。
Micron（美光）
在产能受限背景下，美光产品组合持续向高单价 Server DRAM 倾斜。第二季营收环比大增 65.5%，达 360 亿美元，市占率微升至 23.3%。
二线厂商表现亮眼，成熟制程需求旺盛
TrendForce 指出，2026 至 2027 年，三大原厂主要通过升级先进制程提升位元供给，投片规模扩张则依赖优化流程、收购洁净室及内部调动实现小幅上修。相对而言，南亚科、华邦电子、力积电等厂商主攻成熟制程，受益于前三大厂商转进先进制程后留下的市场空缺，第二季动能强劲。
Nanya（南亚科）
受惠于 DDR4、DDR3 合约价显著提高，南亚科整体营收环比增长 68.3%，达 26.12 亿美元。
Winbond（华邦电子）
华邦电子营收环比增长 75.8%，增至 9.98 亿美元。
PSMC（力积电）
力积电以 Consumer DRAM 产品为主，第二季营收达 1.15 亿美元，环比激增 167.8%；若计入代工营收，增幅为 54%。预计取得美光制程技术授权后，将启动新一轮供给扩张。
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