MOS管小伙伴们应该都很熟悉了，那LDMOS呢？简单来说，LDMOS其实是MOS管的升级加强版。
什么是LDMOS？
LDMOS全称是Double-Diffused MOS（横向双扩散金属-氧化物半导体），其中“双扩散”意味着在制造过程中有两次掺杂扩散步骤。第一次扩散在硅基底上形成沟道区，第二次扩散在沟道区形成源极和漏极。
LDMOS采用横向通道设计，是非对称功率MOSFET元件，结构图如下：
LDMOS 结构图（图源：IPBrain平台）
其横向双扩散结构关键就在于有源区和漏区之间的“漂移区”，该区域杂质浓度低，呈高阻态，能够承受高压，电场分布均匀，这也是LDMOS是功率器件的根本原因。
Tips：
可以制作DMOS的方法就是时向N阱中注入硼和砷，由于硼的扩散速度比砷快，经过一段时间后，就会形成一个 V 型结构的 P+（硼）包含 N+（砷）的结构。
芯片中的LDMOS
LDMOS器件在高功率电路中提供电流和开关控制功能，由于其低导通电阻、高承压能力、高速切换和耐高温特性，广泛应用于电源管理、电机驱动等领域。
LTC3644-2是ADI旗下的一款四通道1.25A输出、高效率同步单片降压稳压器，能够采用最高17V的输入电源电压。
芯片简介（图源：芯片规格书)
这是LTC3644-2芯片中的方形LNDMOS4的染色层和Poly层图像。
LNDMOS4的染色和Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
该LNDMOS4出现在CURRENT COMPARATOR模块中，实现清零置位功能。
电路图（图源：IPBrain平台）
INA241A-Q1是一款超精确的双向电流传感放大器，专为开关系统中的高压双向测量而设计。
INA241A-Q1芯片可以在-5V至110V的宽共模范围内测量分流电阻器两端的电压降，与电源电压无关。
芯片简介（图源：芯片规格书)
这是INA241A-Q1芯片中的跑道型LNDMOS4的染色层和Poly层图像。
LNDMOS4染色和Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
IR2125是一种高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有过流限制保护电路。
芯片简介（图源：芯片规格书)
IR2125具有供电范围从12到18V的栅极驱动、欠压锁定、电流检测和限制回路，以限制驱动功率晶体管电流。
这是该芯片中圆形LNDMOS4的染色层和Poly层图像。
LNDMOS4染色和Poly层图像
（图源：IPBrain平台）
在电路中，两个LNDMOS分别连接着两个电阻，构成电平转化结构（Level shift），用在不同电源切换的边界位置。
电路图（图源：IPBrain平台）
结语
LDMOS器件通过双扩散的设计，解决了功率开关既要耐高压、又要导电好、还要开关快的难题。
这使得它在电源、电机控制和通信设备中成为关键的功率开关元件，实现了高效率和可靠性。
