SK hynix：你不该错过的 HBF 与 HBS 押注- 大数跨境

花街量子猫

2026-09-04

导读：SK hynix 投资逻辑既然 SK hynix（SKHY）终于在美国证券交易所上市，我想开始对这家公司进行覆

SK hynix 投资逻辑

随着 SK hynix（SKHY）正式登陆美国证券交易所，本文正式启动对该公司的覆盖分析。笔者长期深耕存储芯片领域，曾于 2024 年 11 月撰文指出“大容量内存是 AI 关键”，并成功预判了 Micron（MU）随后超 800% 的涨幅。然而，综合公司质地与未来前景，SK hynix 相较于 Micron 和三星（SSNLF）更具竞争优势。

基于 HBF（高带宽闪存）和 HBS（高带宽存储）将主导未来存储市场的判断，笔者给予 SK hynix“强烈买入”评级。

HBF、HBM 与 HBS 技术格局解析

HBM（高带宽内存）、HBF 和 HBS 将成为未来几年的核心存储技术。HBM 通过 DRAM 垂直堆叠实现高带宽，是目前 AI 负载的关键。当前市场主要由 SK hynix、Micron 和三星瓜分，中国尚未产出具备竞争力的 HBM 产品。SK hynix 目前以 50% 的市场份额领跑，但三星正快速追赶，份额一年内从 15% 跃升至 33%。若趋势延续，未来市场恐将由 SK hynix 与三星双寡头垄断，Micron 或退居第三。

HBF 是影响竞争格局的另一变量。SK hynix 已与 SanDisk（SNDK）联合投资该领域，三星亦积极布局，而 Micron 似乎持观望态度。HBF 本质为垂直堆叠的 NAND，兼具低于 DRAM 的成本和低于 SSD 的延迟，有望取代"HBM+DDR5+SSD"的传统 AI 架构，成为 AI 推理市场的主流。Micron 在此领域的缺席被视为战略失误。

HBS（高带宽存储）则聚焦于边缘计算与移动应用，旨在融合 NAND 与 DRAM 优势，为终端设备运行 AI 做准备。目前 SK hynix 是唯一开发商，这将为其带来显著的先发优势。

SK hynix 的未来竞争优势

三星凭借垂直整合能力及优秀的 SSD 产品线曾占据优势，但 HBF 的成功普及将削弱其 SSD 业务的护城河。此外，CXL（计算快速链接）技术的推广将降低系统对高性能 SSD 的依赖，进而利好 SK hynix。

尽管三星目前在 SSD 组合上仍有微弱优势，但 SK hynix 的战略布局更为完整。凭借 HBM、HBF 和 HBS 的全谱系产品，SK hynix 将覆盖未来 AI 存储的大部分需求。更有迹象表明，SK hynix 正与英伟达（NVDA）合作开发面向物理 AI（Physical AI）的下一代存储方案，进一步印证了 HBS 的投资价值。长远来看，机器人及边缘设备对存储的需求规模甚至可能超越数据中心。

估值分析与市场预期

由于三星存储业务未独立上市，估值对比仅在 Micron 与 SK hynix 之间进行。图表显示，两家公司前瞻估值倍数均处于极低水平，主要源于市场对 2027 年存储价格或出货量下滑的非理性担忧。然而，管理层表态及资本开支计划均指向相反方向。

普华永道预测，全球数据中心年度支出将从今年的约 8000 亿美元增长至 2030 年的 1.1 万亿美元。SK hynix 亦表示，印第安纳工厂将于 2029 年量产 HBM4E 芯片，且当前存储短缺预计持续至 2030 年底。多位行业领袖对短缺的一致预期增加了其可信度。

综上，SK hynix 当前被明显低估。即便考虑 ADR 溢价，其前瞻市盈率仅 6.2 倍，具备极高的安全边际与投资价值。

潜在风险提示

除供给过剩早于预期这一常规风险外，执行风险同样关键。HBF 与 HBS 虽原型表现优异，但商业成功尚待验证。这是一项面向未来 5 年以上的长期投资，需容忍技术落地的不确定性，而非追求短期博弈。

结论

长期看好 SK hynix，因其兼具吸引力估值、强劲前景、高壁垒及持续性需求。公司与英伟达在 Agentic AI 领域的深度合作，进一步巩固了其行业地位。基于其作为 HBM 领导者及未来 Edge AI 潜在领导者的双重身份，维持“强烈买入”评级。

【声明】内容源于网络

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