长鑫科技成立于 2016 年，专注 DRAM 产品的研发、设计、生产及销售，产品涵盖 DRAM 晶圆、芯片及模组，已形成 DDR 与 LPDDR 两大主流产品线，广泛应用于服务器、移动设备、PC 及智能汽车等领域。
目前，长鑫科技在合肥、北京两地拥有 3 座 12 英寸 DRAM 晶圆厂。预计 2025 年末月产能接近 30 万片，全球市场份额达 7.67%，位列全球第四、中国第一。
01 兆易创新：从 SRAM 到 NOR Flash 的突围
1972 年，长鑫科技创始人朱一明出生于江苏盐城。1990 年，他以阜宁县高考榜眼身份考入清华大学物理系，获学士与硕士学位。1997 年，朱一明赴美攻读电子工程硕士。2000 年毕业后，他先后任职于 iPolicy Networks Inc 及 Monolithic System Technologies Inc，积累了半导体存储器相关知识并萌生创业想法。
当时，全球存储芯片市场由三星、海力士、美光三大巨头垄断，中国大陆在该领域尚属空白。朱一明认为中国发力存储芯片的时机已至，立志打造中国最大的存储芯片设计公司。2004 年，他带着存储器 IP 计划获得清华企业家协会及硅谷天使投资人支持。存储器 IP（知识产权核）是指经过验证、可集成至其他芯片方案的硬件描述语言代码或电路版图。
2005 年，朱一明回国创办“北京芯技佳易微电子科技有限公司”（简称“芯技佳易”），主攻 SRAM 研发。SRAM（静态随机存取存储器）属于易失性存储器，具有读写速度快、低功耗等特点，常用于数据缓存。芯技佳易团队掌握 2T SRAM 技术，相比传统 6T SRAM，其性能更高且功耗成本更低。
成立不久，芯技佳易便获得瑞芯微电子的首个订单，后者看中了其 SRAM 的低功耗与低成本优势。随着搭载该技术的 MP3 芯片销量大增，企业业务从出售 IP 转向自主设计与量产。2006 年，公司实现高速率、低功耗 SRAM 量产，并通过调整战略瞄准中低端消费市场成功渡过难关。
2008 年，芯技佳易进军 NOR Flash 领域，发布国内首颗采用 SPI 接口的 NOR Flash 产品。NOR Flash 是一种非易失性存储器，读取速度快，常用于存储启动程序。2009 年，趁美国巨头 Spansion 破产危机，芯技佳易承接了闪迪等国际企业的订单。2010 年，公司更名为“北京兆易创新科技有限公司”（简称“兆易创新”）。
2013 年，兆易创新成为中国最大的 SPI NOR Flash 设计企业，累计出货量超 17 亿颗，并与三星、苹果、华为等达成合作。然而，面对 NOR Flash 市场萎缩及巨头转向高端 NAND Flash 的趋势，兆易创新开始寻觅新增长引擎。同年，公司率先在国内推出 SPI NAND Flash。2015 年，兆易创新自主设计的国内首颗 24 纳米制程 SLC NAND Flash 成功量产，实现了从设计到封测的全链条国产化。
存储器（存储芯片）的分类结构图
02 长鑫科技：攻克 DRAM 技术壁垒
DRAM 市场规模远超 NOR Flash。2016 年，全球 DRAM 销售额达 320 亿美元，而 NOR Flash 仅约 38 亿美元。DRAM（动态随机存取存储器）常用作电脑、手机及服务器的运行内存。为提升性能，DRAM 迭代出 DDR2 至 DDR5 等产品。然而，此前全球 DRAM 市场长期被三星、SK 海力士、美光三家垄断，国产化率极低。
兆易创新上市后，朱一明曾计划收购北京矽成，但因供应链风险未果，遂决定自建团队攻克 DRAM 技术。这一决策与合肥市政府推动半导体产业集群的战略不谋而合。2016 年，朱一明与合肥市启动"506 项目”，成立“睿力集成电路有限公司”（简称“睿力公司”），并通过获取德国奇梦达专利许可搭建防护体系。
2017 年，睿力公司启动长鑫存储（合肥）基地一期项目建设，成立全资子公司长鑫存储技术有限公司负责运营。2018 年，主厂房建成并验证投片。关键时刻，朱一明辞去兆易创新总经理职务，全职出任睿力公司 CEO，并承诺盈利前不领薪资。
2019 年，长鑫存储（合肥）基地一期投产，推出中国首颗自主设计的 8GB DDR4，正式进入市场销售。2020 年，公司实现 DDR4 与 LPDDR4X 量产，并启动长鑫存储（北京）一期项目。同年，睿力公司获得大基金二期、安徽国资等机构 156.50 亿元战略融资。
2021 年，睿力公司采取“跳代研发”策略，完成 17nm 制程技术研发，月产量增至 6 万片，并启动北京项目二期。2022 年，北京项目一期通线进入小批量生产。2023 年，公司推出 12GB LPDDR5，速率达 6400Mbps，并完成股份制改革，更名为“长鑫科技集团股份有限公司”。
2024 年，长鑫科技实现 DDR5 量产，最高速率达 8000Mbps，完成四代工艺技术平台跨越。2025 年，公司量产 LPDDR5X，速率达 10667Mbps，性能对标 SK 海力士同类先进产品。
2026 年，长鑫科技登陆上交所科创板，发行价 8.66 元，募集资金约 666.07 亿元。上市首日市值一度超越工商银行位居 A 股第一。随后，公司实现 LPDDR6 量产，并在小米新款折叠旗舰手机首发搭载。
目前，长鑫科技在合肥、北京两地拥有 3 座 12 英寸晶圆厂，2025 年末月产能近 30 万片，已实现 DDR4/5、LPDDR4X/5/5X/6 等多款产品量产，广泛应用于服务器、云计算及智能汽车等领域。
DRAM 的主要产品类别
03 业绩表现与未来展望
DRAM 产业具有高资金、高技术门槛及强周期特性。长鑫科技成立初期经历长时间建设与亏损，截至 2021 年累计未弥补亏损达 67.12 亿元。2022 年至 2024 年，受行业下行及高额固定资产折旧影响，公司虽营收从 82.87 亿元增至 241.78 亿元，但连续三年分别亏损 83.28 亿元、163.4 亿元和 71.45 亿元。
2025 年，在 AI 浪潮驱动下，全球 DRAM 供不应求，产品价格大涨。长鑫科技主要产品销售单价同比上涨 33.69%，产能利用率提升至 94.63%。当年第四季度，公司全球市场份额达 7.67%，排名跃居全球第四。2025 年全年，长鑫科技营收 617.99 亿元，同比增长 155.60%；净利润 18.75 亿元，首次实现全年盈利。其中 LPDDR 系列收入占比近六成。
2026 年上半年，公司业绩持续爆发，实现营收 1503 亿元，同比增长 873.64%；净利润 776.1 亿元，同比增长 3427.76%。
经过十年发展，长鑫科技已成为中国规模最大、技术最先进的 DRAM IDM 企业。在其带动下，合肥集聚超 450 家集成电路企业，产业链产值从 2016 年的 180 亿元增至 2025 年的 1514 亿元。
尽管成绩斐然，长鑫科技仍面临挑战：物理制程与国际龙头仍有 2 至 3 代差距，缺乏 EUV 光刻机制约高精度制程追赶；HBM 产品尚在研发验证阶段，未能在 AI 服务器市场充分受益；大规模扩产带来的资本开支对资金链构成压力。
展望未来，随着 AI 终端对内存需求提升，预计全球 DRAM 市场规模将从 2025 年的 1505 亿美元飙升至 2030 年的 5710 亿美元。作为大陆唯一规模化量产 DRAM 的 IDM 企业，长鑫科技凭借国产替代与 AI 算力双重红利，拥有广阔空间。2026 年 IPO 募资将用于技术升级与产能扩张，进一步巩固市场地位。
目前，长鑫科技已坐稳全球 DRAM 市场第四把交椅，产品在多代技术上实现与国际龙头“零代差”对标。未来能否在 HBM 等下一代技术上突破，将决定中国存储芯片产业在全球版图中的最终位置。
2020 年至 2030 年全球 DRAM 市场规模（单位：亿美元）