▎算力漏斗：一个更有效的分析框架
▎第一层瓶颈：光互连——从配套部件到系统核心
两笔投资共同指向一个问题：算力集群越大，数据搬运产生的功耗和延迟就越突出。
传统可插拔光模块位于设备外部，技术成熟、维护方便，仍是 800G 和 1.6T 阶段的主流方案。CPO 则将光引擎进一步靠近交换芯片或计算芯片，缩短电信号传输距离，提升带宽密度并降低功耗。这意味着光通信的价值链可能出现一次迁移：短期利润仍集中在 800G、1.6T 高速光模块；中期增量可能向硅光芯片、激光器、光引擎和光电合封转移；长期竞争焦点则是热管理、可靠性、良率和规模化测试。
中际旭创（300308）
是全球领先的高速光互连解决方案提供商，产品覆盖 10G 至 1.6T 全系列，在 400G、800G 及 1.6T 等高速光模块领域保持全球领先。根据灼识咨询，自 2021 年起已连续五年位居全球光互连解决方案市场收入规模第一。2025 年实现营收 382.40 亿元，归母净利润 107.97 亿元。
新易盛（300502）
同样为光互联解决方案领域的全球领先企业，业务涵盖全系列光通信应用的光模块，已构建起覆盖传统可插拔光模块、LPO、NPO 及 CPO 等多种互联形态的技术体系。对上述企业而言，短期需求依然明确；但 CPO 规模化之后，产品形态和价值分配方式可能被重新定义。
▎第二层瓶颈：存储芯片——从周期品到算力资源
美国商务部此次拟向加州初创公司 Kepler 提供最高 2.45 亿美元，开发基于 3D 集成和铁电技术的新型 AI 存储架构。铁电存储器将信息存储在材料的极化状态而非传统电容电荷中。资金投向已经不只是扩大传统 DRAM 产能，而是试图改变存储与计算之间的结构关系。
国内市场也出现了相同方向的重估。
长鑫科技（688825）
于 2026 年 7 月 27 日在科创板上市，上市首日收报 49 元，较 8.66 元发行价上涨 465.82%，总市值达 3.28 万亿元；IPO 募资约 579 亿元，为科创板史上规模最大的 IPO 之一。2025 年营业收入为 617.99 亿元，按 2025 年二季度 DRAM 销售额计算，全球市占率约 3.97%。
但需保持清醒判断：普通 DRAM、服务器 DRAM 与 HBM 并不是同一种资产。长鑫科技的核心价值在于国产 DRAM 供给能力、服务器市场扩容和技术代际追赶，不能简单套用 HBM 的盈利能力和估值逻辑。存储行业仍具有明显周期性，资本开支集中释放后，供需关系可能再次反转。
产业链上更值得观察的反而是内存接口环节。
澜起科技（688008）
是全球内存互连芯片龙头厂商，2024 年全球市占率约 36.8% 位列第一，客户涵盖三星电子、SK 海力士、美光等全球头部 DRAM 厂商。公司为 DDR2 至 DDR5 时代内存接口芯片核心供应商，在 DDR5 子代迭代中持续保持领先地位。2025 年互联类芯片收入达 51.39 亿元，同比增长 53.4%，毛利率达 65.6%。在存储扩容过程中，连接 CPU 与内存的“收费站”已经率先兑现利润。
▎第三层瓶颈：先进封装——接管摩尔定律
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长电科技（600584）
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通富微电（002156）
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华天科技（002185）
▎机会地图：寻找“瓶颈疏导者”，而不是概念映射
疏导型机会——已形成明确需求，只等待产能和良率释放。主要包括高速光模块（中际旭创、新易盛）、服务器 DRAM（长鑫科技）、内存接口芯片（澜起科技）、先进封装（长电科技、通富微电、华天科技）、封装基板及测试设备。相关企业能较早兑现收入，但也最易受扩产和价格周期影响。
替代型机会——通过新技术绕开现有瓶颈。主要包括 CPO、3D 存储、铁电存储、硅光、无磷化铟光电衬底和新型计算架构。技术弹性更高，但量产时间、客户验证和路线收敛仍存在较大不确定性。
基础材料与设备机会——先进封装复杂度提升后，低损耗介质、底部填充材料、塑封料、混合键合设备、量检测设备和热管理材料的重要性同步上升。这类环节容易被“国产替代”叙事覆盖，但真正的筛选标准只有三个：是否进入先进工艺、是否通过头部客户验证、是否已形成批量收入。
风险恰恰藏在资本开支最旺盛的时候。 算力基础设施的高景气并不等于所有环节都能持续获得超额利润。亚马逊自由现金流已由正转负——过去 12 个月从流入 182 亿美元转为流出 76 亿美元——表明 AI 基础设施开始消耗越来越多现金。存储厂商、晶圆厂和封测企业同步扩产后，供需错配也可能从短缺迅速转向过剩。CPO、新型存储和先进封装都面临漫长的客户验证周期：实验室指标领先不等于能稳定量产；完成送样也不等于能形成高毛利订单。
▎GPU 之后，利润将沿着瓶颈向外扩散
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