三星与 SK 海力士评估中微公司设备以应对美出口管制
路透社引述三名知情人士称，三星电子和 SK 海力士正在评估中国中微公司的晶片制造设备，以考虑是否用于各自在华工厂，作为应对美国进一步收紧出口管制的风险。
其中两名知情人士透露，这两家存储晶片制造商约两年前开始测试中微公司的刻蚀设备。当时，外界对华盛顿是否会继续允许它们向中国进口美国晶片制造设备的不确定性不断加剧。
尽管这些评估尚未促成更广泛采用相关设备的决定，但它们为中微公司提供了一个难得的机会，使其获得全球顶尖晶片制造商的验证。
美国技术管制的悖论
从更广泛的层面来看，这些测试凸显了美国技术管制政策的一个核心论：旨在遏制北京半导体雄心的措施，反而为中国企业创造了机会，使它们得以进入位于中国的外资晶圆厂。
三星在向路透社提供的一份声明中称，公司并未测试将中微公司的设备用于中国工厂，也未曾考虑这样做。
VEU 授权变更与未来担忧
美国商务部在 2023 年将三星和 SK 海力士位于中国的工厂指定为经验证最终用户（VEU），允许它们在无需逐项申请许可证的情况下，进口特定受管制的美国设备。
华盛顿在 2025 年撤销了 VEU 授权，随后向三星和 SK 海力士发放了 2026 年度许可证，允许两家公司向位于中国的工厂进口晶片制造设备。
尽管如此，知情人士透露，两家公司仍担心，未来的限制措施可能不仅针对新设备，还可能扩大至其中国工厂内已安装西方设备的维护、维修或更换。
知情人士补充称，因此，三星和 SK 海力士将中国供应商作为后备选择，以便在必要时维护和升级现有生产线，而不是用于扩大在中国的制造产能。
在华布局与设备依赖
三星在西安设有 NAND 闪存晶片工厂，SK 海力士则在大连设有 NAND 生产设施，并在无锡拥有一座 DRAM 存储晶片工厂。
它们位于中国的工厂高度依赖应用材料公司、泛林集团等美国企业提供的刻蚀设备。
中国设备的竞争力与背书
路透社报道认为，对于中微公司及中国一批新兴半导体设备制造商而言，获得三星或 SK 海力士的认可，相当于获得一项强有力的商业背书。
尽管中国设备制造商在先进光刻和部分检测系统领域仍落后于海外竞争对手，但在刻蚀、沉积、清洗和平坦化等领域，它们已缩小差距，而且设备价格通常明显低于竞争对手。
研究机构 TechInsights 副主席哈切森说，与国际知名供应商的同类设备相比，中国设备价格通常低 20% 至 30%。
知情人士称，包括 NAND 闪存制造商长江存储在内的中国领先晶片制造商，已采用中微公司的设备，这让三星和 SK 海力士更有信心，认为该公司的部分设备已成熟到足以进行测试。