CSEAC 展商风采︱芯材芯（苏州）半导体科技有限公司

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观众在 8月25日 前完成观展报名，即可享受免费参观展览与开放论坛，并额外获得专属抽奖资格：

一等奖：HUAWEI Mate X7

二等奖：磁吸快充移动电源

三等奖：精美手持电扇

*抽奖环节全程公开透明，中奖结果于展会现场公示，获奖观众需到场核验身份领取奖品。

展 商 风 采

芯材芯（苏州）半导体科技有限公司

CMC

Booth：A1-57

公司简介：芯材芯（苏州）半导体科技有限公司成立于2021年，是一家专注于半导体薄膜沉积设备自主研发制造与工艺解决方案的高科技企业。公司围绕PVD磁控溅射、晶圆研磨、干式清洗、晶圆对中以及半导体设备控制系统国产化升级等方向，持续为半导体制造、封装、功率器件、传感器、显示及科研应用客户提供设备与工艺支持。

 公司在苏州设立研发和生产试验基地，拥有设备研发制造团队、销售团队、技术支持团队及客户现场服务团队，并引进国外半导体专家资源，持续提升产品研发、制造和工艺服务能力。

公司已形成以CMC Polaris PVD 溅射台、CMC Polaris 200系列，CMC Polaris300系列的 溅射台、CMC Polaris Cluster溅射台、Strasbaugh研磨设备、CMC Polaris Snow-Jet CO₂干式清洗系统及Align Controller对中平台为代表的核心产品体系。 

在设备控制方面，芯材芯坚持自主化设计，采用PC+西门子PLC控制架构，结合视觉定位、LabVIEW、C#、伺服控制、工业总线和数据归档系统，实现设备控制、工艺配方、运行监控和数据管理的一体化。公司可对老旧进口半导体设备进行软硬件升级改造，也可根据客户需求提供定制化新设备研发制造服务。

主要产品名称：5寸-6寸-8寸磁控溅射台

产品应用领域：集成电路、分立器件

• 技术指标：

  溅射电源：≥15kW，功率可调；反溅电源：≥1kW；溅射功率控制精度：Set ±2%；MFC 控制精度：Set ±3%；加热温度范围：常温～450℃；控温精度：300℃±2℃；AlSiCu 沉积速率：≥10000 Å/min；溅射速率：＞1μm/min；反溅刻蚀速率：≥100 Å/min；膜厚均匀性：AlSiCu、Ti、TiN，片内、片间、批间≤3%；厚铝工艺：4μm AlSiCu，无发雾现象；金属反射率：4μm AlSiCu，480nm 波长，反射率＞180%；台阶覆盖率：≥45%；台阶结构条件：最大深宽比 1.2，宽度≥100μm；颗粒度：0.5μm 颗粒增量＜50ea；碎片率：＜2/10000；机械传输稳定性：连续 3000 片晶圆传输无误操作；设备稼动率：满产状态下＞80%；产能参考：4μm 工艺，配置 3 个溅射腔，24 小时加工片数≥400 片；传片腔极限真空：≤5×10⁻⁷ Torr；溅射腔极限真空：Sputter 1 / 2 / 3 ≤8×10⁻⁸ Torr；Loadlock 抽速：从大气抽至 5.0×10⁻⁶ Torr，耗时≤1min；工艺腔体漏率：1×10⁻⁶ Torr・L/sec；高阀关闭压力保持指标：Transfer、Sputter 1 / 2 / 3 ≤7×10⁻⁵ Torr

  
  

• 用途：
  

  1. 金属薄膜沉积 可用于沉积 Ti、TiN、Al、AlSiCu、Pt 等金属或金属化合物薄膜。工艺包括 ETCH+Ti/TiN/Al、ETCH+Pt/Al/Ti/TiN、ETCH+Pt/TiN/Al、AlSiCu/Al、TiN+AlSiCu/Al 等；

  2. 晶圆表面预清洗 / Etch Preclean 设备可在镀膜前对晶圆表面进行预清洗或刻蚀处理，去除表面氧化层、污染物或残留物，提高后续金属膜层的附着力和稳定性。包含 ETCH+金属沉积，可用于预清洗与后续镀膜组合工艺；

  3. 半导体封装金属化 可用于陶瓷封装、金属封装、WLP晶圆级封装等产品的金属层制备。PVD溅射系统已实现陶瓷封装、金属封装、WLP的大批量生产；

  4. 电极层、粘附层、阻挡层制备 Ti通常可作为粘附层，TiN可作为阻挡层或功能薄膜，Al/AlSiCu可作为金属互连、电极或焊盘金属层，Pt可用于特殊电极层和高稳定性金属薄膜。因此该设备适合用于多层金属膜结构的制备；

  5. 老旧进口PVD设备升级改造与国产化替代 CMC Polaris PVD 不只是单纯的溅射设备，也可作为国产化升级平台。PPT中提到该设备将原机台主控制升级为 Windows操作系统 + 西门子1500 PLC控制系统，通讯、电源、传输和HMI人机界面均进行了自主化升级。