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一、核心观点

AI 算力需求持续爆发带动全球存储进入新一轮高景气周期，海外三星、SK 海力士、美光集体上调资本开支，持续加码 HBM 先进产线；国内唯一量产 DRAM 厂商长鑫科技科创板 IPO 落地，募资近600亿元全面扩产与技术升级，正式拉开国产存储大规模资本开支（Capex）周期。

晶圆厂资本开支存在明确传导顺序：产线建设初期优先采购前道设备，设备批量交付带动腔体、射频、真空等核心零部件需求，产线投片爬坡后持续释放耗材订单。投资应遵循 “设备先行、零部件接力、材料后发” 节奏布局，叠加国产替代长期红利，三大上游赛道具备持续业绩兑现空间。长期看，长鑫产能与市占率稳步提升，国内 DRAM 供应链自主可控程度持续加深，存储上游产业链迎来数年维度结构性行情。（更多交流请加V:ZhongJun812）

二、行业背景：AI 催生存储超级周期，海内外同步扩产

2.1 AI 重构存储需求结构，HBM 挤压通用 DRAM 供给

本轮存储景气由 AI 算力建设驱动，与过往消费电子主导的周期存在本质差异。全球头部存储厂商持续将晶圆产能向高附加值 HBM 倾斜，HBM 单位比特晶圆消耗是普通 DDR5 的 2.5-3 倍，直接挤占通用 DRAM 产能。

Trend 数据显示，2025 年 HBM 占 DRAM 晶圆投入比例仅 18%，2026 年升至 22%，2027 年将达到 30%；位元出货占比同步从 8% 提升至 13%。供给结构性收缩叠加 AI 服务器、大模型推理持续扩容，2026 年全球 DRAM+NAND 市场规模将达 8893 亿美元，2027 年增至 1.28 万亿美元，DRAM 成为增长核心引擎。

海外三大原厂同步大幅上调资本开支：美光 2026 财年资本开支超 250 亿美元，同比增超 80%；三星全年半导体投资突破 733 亿美元，重点布局 HBM4 与先进 DRAM 制程；SK 海力士加码清州新产线与 AI 数据中心，但海外新增产能集中在 2027 年后释放，短期存储供需紧平衡格局难以缓解。

HBM晶圆投入占比趋势

三大原厂历年资本开支（单位亿元）

2.2 长鑫 IPO：国产存储进入扩产黄金阶段

长鑫是国内唯一实现 12 英寸 DRAM 规模化 IDM 厂商，2026 年 5 月科创板过会，拟募资 295 亿元，资金投向分为三块：75 亿元产线改造、130 亿元 DRAM 技术升级、90 亿元前沿技术研发。

1、业绩实现跨越式反转

2022-2024 年长鑫连续亏损，2025 年成功扭亏，归母净利润 18.75 亿元，毛利率大幅升至 41.02%；2026Q1 单季营收 508 亿元，净利润 247.62 亿元，上半年预期净利润 500-570 亿元，可覆盖前三年累计亏损。2026Q1 全球 DRAM 市场份额达 7.7%，位列全球第四，仅次于三星、SK 海力士、美光。

长鑫历年营收

长鑫归母净利润变化

2、产能紧缺倒逼大规模扩产

2023-2025 年长鑫产能利用率从 87.06% 升至 95.73%，现有产线接近满产，扩产具备刚性需求。2025 年年产能 273 万片 12 英寸晶圆，仅为美光 76%、三星 36%；规划 2026 年底月产能 35 万片，2028 年月产能提升至 50 万片，SemiAnalysis 预测 2028 年长鑫全球 DRAM 市占率升至 17%，HBM 月产能达 10 万片，跻身全球第一梯队。

长鑫产能利用率

长鑫历年资本开支（单位亿元）

3、资本开支持续加码

2023-2025 年长鑫累计资本开支超 1600 亿元，IPO 募资落地后将启动新一轮设备招标，2026 年全年对应设备采购需求 50-60 亿美元，设备占产线总投资 70%-80%，上游设备厂商直接受益。

三、资本开支三段式传导，全产业链受益逻辑拆解

晶圆厂建设存在清晰的需求传导节奏，资金落地后需求沿设备→核心零部件→半导体材料逐层释放，不同赛道业绩兑现时点、弹性空间存在明显区分。

第一阶段：前道设备率先受益（扩产初期，订单最先落地）

新建产线第一步为设备招标采购，设备订单同步对应新增产能 + 工艺升级双重增量，按照产业弹性分为两大梯队：

高确定性第一梯队：刻蚀、薄膜沉积

存储先进制程对高深宽比结构、薄膜均匀性要求持续提升，刻蚀、CVD/ALD/PVD 设备单机价值高、存储产线用量大，国产设备已通过长鑫批量验证，订单持续性极强。

刻蚀：中微公司、北方华创；

薄膜沉积：北方华创、拓荆科技。

稳健第二梯队：CMP、清洗设备

贯穿晶圆全流程工艺，产线扩产同步拉动采购，国内厂商已实现规模化交付，代表企业华海清科、盛美上海。

高弹性第三梯队：涂胶显影、量测、离子注入

当前国产化率偏低，一旦进入长鑫供应链，边际业绩弹性巨大，标的包含芯源微、中科飞测、精测电子。

第二阶段：核心零部件接力释放（设备交付同步起量）

半导体整机由真空、射频、流体、精密腔体、温控模组等上千种零部件集成，零部件产线建设周期更长，行业供给容易出现阶段性瓶颈，业绩弹性普遍高于设备整机；同时零部件兼具新增设备配套 + 存量机台耗材更换双重逻辑，收入韧性更强。

细分赛道及核心标的：

精密腔体 / 结构件：富创精密、先锋精科；

真空、流体阀件：新莱应材、中科仪；

射频电源与匹配器：恒运昌、英杰电气；

高纯靶材、工艺耗材：江丰电子。

第三阶段：半导体材料后周期兑现（产线投片持续放量）

材料属于复购型耗材，产线完成设备安装、进入爬坡阶段后需求持续释放，具备长期稳定现金流。国内各细分国产化进度分化：湿化学品、硅片推进较快，高端光刻胶、先进特气仍高度依赖海外。

核心受益企业：

硅片（沪硅产业）、CMP 抛光材料（鼎龙股份、安集科技）、光刻胶（彤程新材）、电子特气、湿电子化学品（雅克科技、上海新阳）。

四、分赛道投资机会梳理

1、半导体设备（最先兑现，优先布局）

刻蚀、薄膜、清洗、CMP 为长鑫扩产核心采购品类，国产替代验证持续加速，订单落地确定性最高。

核心标的：北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海、华海清科、芯源微、中科飞测、精测电子、赛腾股份、京仪装备。

2、半导体核心零部件（弹性最大，供需缺口放大）

设备扩产带动零部件备货潮，海外供给有限，国产替代空间广阔，部分腔体、射频耗材具备持续复购属性。

核心标的：富创精密、江丰电子、新莱应材、正帆科技、恒运昌、英杰电气、中科仪、神工股份。

3、半导体材料（长期持续增量，后周期稳健赛道）

随长鑫产能逐步爬坡，硅片、抛光液、电子化学品等耗材消耗稳步提升，国产材料厂商持续导入存储产线，长期成长逻辑清晰。

核心标的：雅克科技、鼎龙股份、安集科技、沪硅产业、彤程新材、上海新阳。

五、风险提示

扩产进度不及预期：长鑫 IPO 发行、募投项目、设备招标、产线爬坡节奏低于预期，上游订单兑现延后；

存储景气度回落：AI 服务器、H 需求增长放缓，海外新增产能集中释放，存储价格上涨持续性不足，存储厂主动缩减资本开支；

国产验证进度缓慢：设备、零部件、材料在长鑫产线良率、稳定性未达标，导入份额不及预期；

海外供应链扰动：半导体出口管制持续收紧，海外设备、材料厂商限制国内供货，加剧产业链验证难度。

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