近日，全球特色工艺晶圆代工大厂高塔半导体（Tower Semiconductor）宣布，在日本经济产业省（METI）高达 10 亿美元的资助支持下，正式启动位于日本的 300 毫米（12 英寸）硅光子（SiPho）、硅锗（SiGe）及先进封装产能的双轨道战略扩张计划。
根据规划，高塔半导体将投资约 30 亿美元（约合人民币 202.95 亿元），全面扩充其在日本的 12 英寸硅光子、硅锗以及先进光学封装产能，以应对人工智能（AI）与数据中心算力爆发引发的高速光互连需求。
双轨道战略扩张计划
本次战略扩张分为两个阶段同步推进：
第一阶段：大幅提升 12 英寸硅光子器件产能
该阶段预计于 2027 年第四季度全面投产。主要措施包括对新潟县新井工厂（原 Fab 6）进行改造，使其具备 12 英寸硅光子器件产能和先进封装能力。此举旨在与位于富山县鱼津市的 Fab 7 工厂形成协同效应，最大化释放 12 英寸产能。
鉴于第一阶段良好的增长前景，高塔半导体已上调长期财务目标，计划在 2028 年实现 36 亿美元的营收和 12 亿美元的净利润。
第二阶段：新建 12 英寸半导体制造厂
第二阶段与第一阶段同步启动，计划在 Fab 7 工厂旁新建一座 12 英寸半导体制造厂。待相关协议签署与交割完成后即可正式动工。新工厂投产后，预计将使高塔半导体的硅光子和硅锗产能实现成倍增长，不仅满足客户对新兴人工智能和数据中心应用日益增长的需求，也将推动下一代光连接技术的发展。
高塔半导体表示，通过在日本本土建立先进的硅光子与硅锗制造能力，不仅能增强日本半导体生态系统和供应链韧性，也将为公司及当地产业创造长期价值。
来源：全球半导体观察