野村刚刚启动了对CXMT的覆盖，给予其116元人民币的目标价，并认为其值得20倍市盈率。
这意味着从IPO价格上涨12.4倍，市值约为7.76万亿元人民币……太疯狂了！！!
一、报告基础信息
报告标题：
The DRAM in the Chinese crown
（翻译：皇冠上的国产DRAM明珠）
- 机构：野村证券 Nomura
- 日期：2026-07-27（长鑫科创板上市当日）
- 标的：长鑫科技 CXMT（ChangXin Memory Technologies，688825.SH）
- 评级：首次覆盖 买入 Buy
- 目标价(TP)：116元人民币
- IPO发行价：8.66元
- 隐含上涨空间：+1239.5%
二、报告核心逻辑摘要
1、行业大前提：全球存储供给紧张格局将持续数年
野村核心判断：未来数年全球DRAM供给难以明显宽松。
AI算力需求持续拉动服务器DRAM需求；海外三大原厂（三星、SK海力士、美光）资本开支偏保守，扩产节奏克制，供需缺口持续支撑DRAM价格（ASP）维持高位。
2、公司核心看点：长鑫将持续抢占全球DRAM市场份额
长鑫是国内唯一、国内规模最大DRAM量产厂商，直接受益两大红利：
1）国产替代：国内服务器、消费电子产业链推进供应链自主可控；
2）行业超级周期：行业涨价+供给紧缺环境下，产能扩张直接转化为营收与利润。
三大增长驱动力：
✅ 产能扩张：持续推进晶圆厂建设，释放DRAM产能；
✅ 制程迭代：工艺持续微缩，提升良率、单片晶圆产出；
✅ 产品均价上行：行业景气+产品结构升级（DDR5、AI服务器内存占比提升）。
3、业绩预测
野村预测：长鑫营收有望增长63%，归母净利润增长74%。
在量价齐升背景下，盈利增速显著高于收入增速，利润率持续抬升。
三、估值与空间解读
1. 目标价116元 vs IPO发行价8.66元
野村给出超过12倍上涨空间预期，核心参照：
- 全球存储进入AI驱动新周期，不再是传统强周期股；
- 长鑫具备稀缺国产DRAM IDM壁垒，A股独一份资产；
- 份额持续提升，远期有望冲击全球第三大DRAM厂商。
⚠️ 重要区分：1239.5%是报告测算的理论隐含上行空间，不等于股价一定会到达，属于乐观情景估值。
四、潜在风险（报告隐含、市场普遍关注）
1. 行业周期反转风险：若后续海外三大存储厂大幅加码资本开支、供给放量，DRAM价格承压，压制盈利；
2. 技术与设备限制：海外半导体设备管制，制约先进制程扩产与研发进度；
3. 份额竞争：三星、SK海力士、美光主动调整价格策略挤压长鑫客户空间；
4. 估值风险：目标价为乐观假设下测算，一旦存储景气不及预期，估值存在大幅回调压力。
五、简要市场观点总结
野村在长鑫上市首日高调唱多，是海外主流投行正式给长鑫确立多头基调：
看多主线 = AI存储超级周期持续 + DRAM供给长期偏紧 + 国产DRAM龙头份额持续提升。
野村认为长鑫是本轮存储景气与国产替代双重逻辑下最核心受益标的。
- 日期：2026-07-27（长鑫科创板上市当日）
- 标的：长鑫科技 CXMT（ChangXin Memory Technologies，688825.SH）
- 评级：首次覆盖 买入 Buy
- 目标价(TP)：116元人民币
- IPO发行价：8.66元
- 隐含上涨空间：+1239.5%
二、报告核心逻辑摘要
1、行业大前提：全球存储供给紧张格局将持续数年
野村核心判断：未来数年全球DRAM供给难以明显宽松。
AI算力需求持续拉动服务器DRAM需求；海外三大原厂（三星、SK海力士、美光）资本开支偏保守，扩产节奏克制，供需缺口持续支撑DRAM价格（ASP）维持高位。
2、公司核心看点：长鑫将持续抢占全球DRAM市场份额
长鑫是国内唯一、国内规模最大DRAM量产厂商，直接受益两大红利：
1）国产替代：国内服务器、消费电子产业链推进供应链自主可控；
2）行业超级周期：行业涨价+供给紧缺环境下，产能扩张直接转化为营收与利润。
三大增长驱动力：
✅ 产能扩张：持续推进晶圆厂建设，释放DRAM产能；
✅ 制程迭代：工艺持续微缩，提升良率、单片晶圆产出；
✅ 产品均价上行：行业景气+产品结构升级（DDR5、AI服务器内存占比提升）。
3、业绩预测
野村预测：长鑫营收有望增长63%，归母净利润增长74%。
在量价齐升背景下，盈利增速显著高于收入增速，利润率持续抬升。
三、估值与空间解读
1. 目标价116元 vs IPO发行价8.66元
野村给出超过12倍上涨空间预期，核心参照：
- 全球存储进入AI驱动新周期，不再是传统强周期股；
- 长鑫具备稀缺国产DRAM IDM壁垒，A股独一份资产；
- 份额持续提升，远期有望冲击全球第三大DRAM厂商。
⚠️ 重要区分：1239.5%是报告测算的理论隐含上行空间，不等于股价一定会到达，属于乐观情景估值。
四、潜在风险（报告隐含、市场普遍关注）
1. 行业周期反转风险：若后续海外三大存储厂大幅加码资本开支、供给放量，DRAM价格承压，压制盈利；
2. 技术与设备限制：海外半导体设备管制，制约先进制程扩产与研发进度；
3. 份额竞争：三星、SK海力士、美光主动调整价格策略挤压长鑫客户空间；
4. 估值风险：目标价为乐观假设下测算，一旦存储景气不及预期，估值存在大幅回调压力。
五、简要市场观点总结
野村在长鑫上市首日高调唱多，是海外主流投行正式给长鑫确立多头基调：
看多主线 = AI存储超级周期持续 + DRAM供给长期偏紧 + 国产DRAM龙头份额持续提升。
野村认为长鑫是本轮存储景气与国产替代双重逻辑下最核心受益标的。