砺石商业评论 | 出品
2026 年 7 月 7 日，三星电子发布二季度业绩预告：营业利润约 89.4 万亿韩元（折合 584 亿美元），同比增长 1810%。这一数字甚至超过了英伟达上一季度 535.36 亿美元的营业利润。
据韩国媒体报道，三星半导体高管在内部会议上称，按当前盈利预期，2026 年全年利润有望超过此前四十年的累计总和。
此轮盈利暴涨源于 AI 服务器囤货及 DRAM、NAND 涨价。作为半导体巨头，三星盈利大涨并不意外。真正令人好奇的是，从家电、手机、面板到存储芯片，产业每换一次桌，三星为何总能留在利润最厚的一侧？答案或许不在财报里，而在四十年前的那场豪赌中。
李秉喆押下第一笔重注
三星将半导体确立为集团核心产业，最早可追溯至 1983 年。当年 2 月，创始人李秉喆在东京宣布大规模进军半导体，史称“东京宣言”。在当时看来，这更像是一场胜算渺茫的冒险。
彼时，三星半导体技术积累浅薄，研发图纸购自美国美光，技术顾问仅是日本东芝的退休工程师。尽管三星已是韩国最大的综合财团，业务涵盖电视、冰箱乃至食品纺织，但这些优势对半导体业务并无实质帮助。
一方面，晶圆厂投入巨大且制程迭代极快；另一方面，日本 NEC、东芝、日立已构筑了难以逾越的市场壁垒。对三星而言，进军半导体并非争夺份额，而是要在既有高墙下强行凿路。
美光的 64K DRAM 设计授权与日本工程师的外援，仅解决了“能否做出”的问题，却无法弥补工艺经验的空白。由于缺乏参考，三星生产线良率极不稳定，且节奏严重脱节：刚追上 64K DRAM，市场已转向 256K；产线刚调通，全球芯片价格却应声大跌。
至 1986 年前后，三星半导体累计亏损逼近 3 亿美元，银行拒贷，内部“止损”呼声高涨。但李秉喆坚持认为：只要留在桌上，亏损只是成本；中途退场才是彻底失败。
就在英特尔退出内存市场、日本厂商收紧投资之际，三星不等 256K DRAM 回血，直接将有限资金全部押注于尚在研发中的 1M DRAM。1987 年，随着个人电脑需求爆发，市场触底反弹。当竞争对手还在修复生产线时，三星凭借现成的产能和熟练工程师迅速抢占市场。
经历三年连续亏损后，三星以更低成本和更充足产能在半导体领域站稳脚跟。其敢于逆周期扩产，并非依赖技术领先，而是基于对行业的深刻分析，保持了毫不动摇的持续作战能力。这种能力让三星在市场低迷期保存了技术火种。
同年 11 月，李秉喆去世，李健熙接任会长。此时的三星虽在半导体行业立足，却面临“有规模、无溢价”的结构性矛盾：出口产品多靠低价换取份额，鲜少赢得欧美日消费者的青睐。
将规模追赶变成质量与技术的变革
上世纪 90 年代，三星家电虽进入欧美卖场，但因质量差距被置于货架角落，只能靠低价生存。与此同时，工厂仍盲目追逐出货量，忽视质量问题。日本顾问福田民郎的报告系统梳理了三星在设计、研发及管理层面的深层弊端。
李健熙为此在德国法兰克福召开现场会，并留下名言：“除了妻子和孩子，一切都要改变。”真正改变三星运行逻辑的，是考核机制的根本转向：质量管理部门被赋予一票否决权，可随时叫停生产线。
1995 年，因一批手机和传真机存在质量问题，李健熙下令将十几万部产品当众销毁。这场行动直接损失 500 亿韩元，却彻底粉碎了“产量第一”的旧秩序，封死了低价竞争路径。
李健熙的任务是终结跟随战略，构建三星的技术话语权。改革不仅限于质检，更将资源集中投向设计与核心零部件。OLED 由此成为三星从追赶者迈向主导者的关键一步。
当时 LCD 是主流，但存在显示局限。真正的变量是 OLED，其无需背光模组，具备对比度高、可弯曲折叠等优势。2002 年，当 LCD 成本下探横扫市场时，OLED 因造价昂贵被业内普遍看衰。但三星已着手布局 AMOLED，并于 2007 年实现大规模生产。
这一选择实则是被终端业务倒逼：三星手机对轻薄、功耗的硬性约束，迫使上游技术路线重构。三星一面维持 LCD 现金流，一面倾斜资源至 AMOLED，提前锁定下一代屏幕产能。
2010 年起，Galaxy 系列带动 AMOLED 拿下高端市场，促使苹果也将 iPhone 显示屏转向 OLED，三星显示顺势成为其核心供应商。在现金牛业务高位时重注新赛道，成为三星脱离追随者行列的分水岭。
与早年攻克 DRAM 的“死扛”不同，OLED 的选择是在盈利峰值期主动布局下一代形态。消费电子不缺技术构想，缺的是截断旧路、重注新赛道的决断。三星高度集权的模式虽存争议，但在 OLED 这类长周期赛道中，有效剔除了内部博弈，使其能率先行动。
然而，选对方向仅是入场资格。真正的考验在于能否将实验室技术转化为亿级规模的工业量产能力。
从生产线上走出来的创新能力
三星的 NAND 闪存遭遇了比 OLED 更复杂的难题。过去数十年，行业依赖制程微缩提升容量，但当工艺逼近十几纳米节点，物理瓶颈导致边际效益倒挂。三星的解法是 V-NAND（垂直堆叠），打破了线宽限制，同步优化容量、功耗与可靠性。
要在几十层材料中蚀刻出深而笔直的通道孔，且保证每层性能一致，难度极高。堆叠层数越高，误差空间越小，任何波动都可能导致整片晶圆报废。这道高壁垒构成了三星的核心防线。
2013 年，三星率先量产 24 层 V-NAND，验证了路线可行性。自此，NAND 竞争焦点从死磕平面线宽转向谁能稳定堆叠更多单元并控制良率。
V-NAND 的竞争内核是制造端的工程化耐力。三星的优势在于将隐性耐力标准固化为全流程体系：业务部门负责迭代，研究院关注中期技术，综合技术院探索前沿，量产阶段多部门协同推进。
这套“大而全”的架构虽曾引发内耗，却在 OLED 与 V-NAND 攻坚中构筑了独有壁垒。三星用手机业务消化新面板，产线难题直接反馈给研发；手机需求倒逼面板升级，面板瓶颈反过来推动材料与设备改进。研发、工厂与终端部门绑定，大幅降低试错成本，形成自给自足的内生循环。
该循环依赖巨额资金与跨周期投资耐心。早年三星借家电现金流哺育半导体，后期半导体与手机利润反哺显示、代工与新一代存储。即便在 2023 年全球存储芯片深度低谷、三星巨亏削减产量时，其研发与先进产线投入仍未中断。
因此，当 AI 服务器需求爆发时，三星手握 DRAM、NAND、先进制程和封装的完整能力。但这一次，最先吃到 AI 红利的并非三星。
成功惯性与大象转身的成本
三星在 V-NAND 上赌对了，却在 HBM（高带宽内存）战场上慢了半拍。2013 年 SK 海力士率先量产 HBM 并绑定英伟达。AI 大模型爆发前，普通内存带宽已成瓶颈，HBM 迅速成为高端 AI 芯片标配。
三星虽较早布局 HBM，但重心仍压在传统 DRAM 的产能扩张与成本控制上，错失关键窗口。当 ChatGPT 带动算力投资爆发时，SK 海力士已与英伟达形成紧密验证关系，而三星的 HBM3 与 HBM3E 在客户认证上反复受阻。2024 年，三星 HBM3E 未能如期打入英伟达高端供应链，暴露了其工艺短板。
在标准化 DRAM 时代，规模、良率与成本是决胜关键；而在 HBM 时代，客户协同、先进封装与联合设计成为新胜负手。三星的旧能力虽强，却已不足以单独决定胜负。
2024 年，三星更换半导体业务负责人，重新整合 HBM 研发与生产资源，将 DRAM、代工和封装纳入同一方案，追赶重心落至下一代 HBM4。2026 年 2 月，三星宣布 HBM4 量产，面向英伟达 Vera Rubin 平台供货。
仅凭一轮出货尚不足以认定反超。客户份额、良率爬坡与长期可靠性仍需时间检验。即便二季度利润创新高，也不能全归功于 HBM。当前增长本质仍是周期驱动的繁荣：AI 数据中心挤占先进产能，推高了普通 DRAM 和 NAND 价格，三星凭借最大产能直接兑现利润。
HBM4 之后还有更复杂的技术迭代，AI 服务器也在重新划分计算边界。三星刚追回一段距离，新难题已至。这也解释了为何业绩公布当天股价不升反跌：投资者既担心 AI 资本开支持续性，也担忧扩产后短缺演变为过剩。
外界“一年顶四十年”的赞誉，并不意味着四十年的积淀足以抵消战略迟滞。OLED 与 V-NAND 的成功验证了提前换路的回报，HBM 的落后则暴露了过往成功的反噬。正是深植于庞大组织的胜利惯性，让三星在 AI 爆发前夜付出了高额代价。
三星的创新力无关个人英明或赌徒式敢赌，而在于既定战略下的持续工程化落地能力。只要方向确认，研发、制造与终端便同步跟进；即便判断滞后，仍可凭资本厚度与技术储备重新追赶。
未来三星能否继续坐在利润最厚的一侧，不取决于某次赚了多少，而取决于下一张牌桌摆出时，它能否第一时间换座。
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