聚焦：人工智能、芯片等行业
7 月 10 日，SK 海力士在纳斯达克敲钟，募资 265 亿美元刷新外企赴美上市纪录；六天后，长鑫科技在上海开启申购，计划募资 295 亿元登顶年内 A 股。两场 IPO 相隔不到一周，标志着中韩存储技术路线的对撞正式摆上台面，资本市场同步下注这一核心战场。
六天之内，资本给两条路线同时定价
SK 海力士此次上市成色十足：ADR 定价 149 美元，超额认购七倍，首日收涨约 13%，市值突破 1.2 万亿美元。其募资规模创下自 2014 年阿里巴巴以来外企在美融资新高，资金将主要用于韩国龙仁半导体集群一期、清州先进封装厂建设及 EUV 光刻机采购。
长鑫科技的排面同样不容小觑，发行价 8.66 元，公开发行 66.88 亿股，计划募资 295 亿元，体量仅次于中芯国际。按发行价折算，募资净额预计约 576 亿元，超募近一倍。资金将分为三部分：130 亿元用于 DRAM 技术升级，90 亿元投入前瞻技术研发，75 亿元用于晶圆产线改造。
8000Mbps 相遇，参数背后的技术真相
长鑫此次逼近主战场，依托的是完整的产品矩阵而非单一颗粒。2025 年 11 月，长鑫集中展示新一代 DDR5 与 LPDDR5X 产品，其中 DDR5 最高速率达 8000Mbps，覆盖服务器、工作站及个人电脑模组；LPDDR5X 最高速率达 10667Mbps，面向旗舰移动设备。至 2026 年 5 月，其 DDR5 产品已覆盖多容量颗粒，模组容量延伸至 128GB，标志着长鑫已从“能造芯片”迈向补齐系统模组的完整货架阶段。
SK 海力士的 8000Mbps 布局更早，其 16Gb 1c DDR5 于 2024 年 8 月宣布开发完成，计划 2025 年批量供货，速度提升 11%，能效提高逾 9%。2026 年 3 月，SK 海力士又完成 1c LPDDR6 开发，基础速率超 10.7Gbps，显示其产品前沿已向下一代移动内存延伸。
数字相同不代表技术位势相同。消费者关注速度，晶圆厂计算的是合格比特成本。长鑫自 2024 年底停止生产自有 DDR4 产品，全力转向 DDR5 和 LPDDR5/5X，正式离开成熟产品的舒适区，进入全球大厂争夺的高价值主流市场，中韩交锋由此有了真实落点。
制程路线之外，两种不同的盈利逻辑
SK 海力士业绩亮眼：2025 财年营收同比增长 47%，营业利润翻倍，首次反超三星电子登顶全球存储盈利榜首。2026 年一季度营业利润率高达 72%，创行业纪录。高利润主要源于 HBM（高带宽内存），其在 HBM 市场份额稳居第一，2026 年产能已售罄，2027 年产能也被英伟达等巨头锁定。
长鑫的历史成绩单同样惊艳：2026 年一季度营收同比增长 719%，净利润扭亏为盈达 330 亿元。但这更多得益于 DRAM 合约价大涨的周期馈赠。从结构看，长鑫全球 DRAM 份额虽坐稳第四，但距前三仍有差距。制程代差更为明显：海力士第六代 10 纳米级（1c）DDR5 已全面量产，而长鑫主力仍为 16 纳米（G4），位密度仅及国际先进水平的一半左右。
HBM 差距更为直观：海力士已量产 HBM4，而长鑫 16 纳米 HBM3 样品直至 2025 年 10 月才送样客户，量产需等到 2026 年。SK 海力士凭借先进封装、客户协同及按时量产的信用构建了深厚护城河。长鑫的策略则更为务实：先将 DDR5、LPDDR5X 做成规模产品，借本土市场验证，再用现金流反哺工艺升级，追赶步伐清醒而坚定。
产能倾斜的意外后果，留给追赶者的窗口期
SK 海力士正主动进行产能腾挪，将六成以上先进制程产能转向高带宽内存（HBM），大幅削减传统 DDR5、LPDDR5 的晶圆投片。由于单片 HBM4 消耗的晶圆是普通 DDR5 的 6 到 8 倍，加之良率爬坡损耗，通用内存颗粒供给直接减半。龙仁新厂产能释放需至 2027 年，未来两年通用 DRAM 供给缺口将持续扩大。
巨头腾出的产能空白，恰好落入长鑫的射程范围。在海外三巨头收缩通用产能之际，国内信创市场对国产存储的需求刚性释放。服务器、PC、手机领域的头部厂商纷纷引入长鑫颗粒，供给端撤退与需求端涌入形成叠加效应，推动长鑫产能利用率常年维持在 95% 以上，全球市场份额从 2025 年初的 4.2% 攀升至年末的 7.67%，稳固了全球第四的位置。行业结构调整挤出的时间窗口，成为长鑫实现量级跳级的关键助力。
键合 DRAM 前夜，长鑫摸到技术超车门把手
平面 DRAM 制程微缩正逼近物理极限，传统光刻微缩路径面临漏电与成本的双重瓶颈。下一代存储密度的提升必须转向 3D 架构与分层键合。在此技术拐点，长鑫提前布局的 CBA 键合架构意外积累了先发优势。
键合 DRAM 的核心逻辑是将制造环节拆分为两层垂直集成：下层专注高密度存储，上层专攻高速逻辑，最后通过混合键合技术实现原子级贴合。该架构将存储密度与光刻精度解绑，即便使用 DUV 设备也能堆出可观的整体密度。这条最初为绕开 EUV 封锁而探索的路线，恰好契合行业下一代技术演进方向。相比在平面制程上领跑多年、背负路径依赖包袱的三星和 SK 海力士，长鑫在键合 DRAM 上的研发进度未必落后，有望在新技术体系中实现弯道超车。
结语
这场中韩交锋的看点，早已超越参数表上几百 Mbps 的差距。SK 海力士已将内存打造为 AI 算力平台的一部分，而长鑫正推动国产 DRAM 从“可用”迈向大规模主流化。两条路线真正汇合的标志，将是长鑫能够稳定交付经客户验证的先进工艺与高带宽产品。在此之前，8000Mbps 仅是一张分量十足的入场券，远非终局。
部分资料参考：虎嗅、深铭易购、华尔街见闻、澎湃新闻等相关报道。