作者丨薛皓皓
编辑丨关雎
图源丨长鑫科技
7 月 27 日，长鑫科技正式登陆上交所科创板。公司以 8.66 元/股的发行价，创下年内 A 股最大 IPO 纪录，发行市值达 5792 亿元。上市首日开盘大涨 471.59%，股价触及 49.5 元，市值一度突破 3.31 万亿元，超越工商银行成为 A 股市值第一。截至发稿，其市值稳定在 3.21 万亿元左右。
业绩方面，长鑫科技在 2026 年一季度实现归母净利润 247.62 亿元，是 2025 年全年的 13 倍。与此前三年累计亏损超 300 亿元形成鲜明对比，这一戏剧性反转标志着公司正式进入盈利爆发期。
长期以来，全球 DRAM（动态随机存取存储器）市场由 SK 海力士、三星和美光三大巨头垄断，合计份额超 90%。然而，AI 浪潮促使巨头将产能转向高利润的 HBM（高带宽内存），导致通用 DRAM 供给收缩。长鑫科技精准承接了这一市场空缺，凭借十年技术积累，实现了良率突破与量价齐升。
更为重要的是，长鑫科技的崛起承载着中国半导体产业自主可控的战略使命。此次 IPO 募资 295 亿元中，逾 220 亿元用于设备采购，旨在强力拉动国产半导体供应链的发展。
绕过专利墙，“跳代”攻坚
创始人朱一明，1972 年生于江苏盐城，清华大学物理系毕业后赴美深造，曾在硅谷存储芯片大厂任职。目睹 DRAM 领域被欧美垄断的现状，他于 2005 年携 10 万美元回国，在清华科技园创立芯技佳易（后更名为兆易创新）。
长鑫科技创始人、董事长 朱一明
朱一明并未直接涉足 DRAM，而是选择当时国际巨头逐步退出的 NOR Flash 领域。凭借价格优势与稳定供货，兆易创新迅速切入国内供应链，并在物联网与 TWS 耳机普及浪潮中成长为全球市占率第三的企业。2013 年，公司又切入 MCU 领域，推出中国首个基于 ARM 架构的 32 位通用微控制器。2016 年，兆易创新成功上市。
同年，朱一明辞去总经理职务，毅然投身技术壁垒最高、资金投入最大的 DRAM 领域。面对三大巨头的专利封锁，他锁定已破产的德国奇梦达（Qimonda），通过谈判获取了其“埋入式字线架构”（BWL）等近 2 万个专利申请及 2.8TB 技术文档，成功绕开专利墙。
在工艺攻关上，朱一明采取“跳代”策略，直接攻克 17nm 工艺。尽管初期良率仅为 0.3%，但经过数年奋战，良率最终提升至 90% 以上。2019 年 9 月，长鑫 12 英寸晶圆厂投产，推出 8GB DDR4 产品，实现了国产主流 DRAM 芯片从 0 到 1 的突破。
国资陪跑与巨头入局
从 2018 年天使轮至 2025 年 6 月上市前，长鑫科技完成九轮融资，累计融资数百亿元。上市前最后一轮融资估值已接近 1600 亿元。
股东结构显示，长鑫科技无控股股东及实际控制人，股权较为分散。合肥国资体系（清辉集电、长鑫集成等）合计持股超三成，大基金二期持股约 7.86%，安徽省投持股约 7.12%。此外，阿里云计算及阿里网络合计持股 4.48%，兆易创新持股 1.62%。
财务投资者阵容豪华，涵盖中金资本、君联资本等知名 VC/PE，以及五大行 AIC、和谐健康等险资机构，体现了“耐心资本”对硬科技的长期支持。产业投资方中，阿里巴巴、腾讯、小米、美的等巨头纷纷入局，不仅提供资金，更带来数据中心、云计算及终端应用的战略协同。
合肥国资是最早且最坚定的支持者。2016 年，在全球 DRAM 市场被三大巨头垄断、国内普遍不看好的背景下，合肥国资果断押注，启动 12 英寸晶圆厂建设，为长鑫科技的突围提供了坚实后盾。
产能错配下的利润弹性
长鑫科技 2026 年一季度的业绩爆发，源于量价齐升与成本摊薄的双重驱动。历史数据显示，公司曾连续三年累计亏损超 300 亿元，直至 2025 年才首次实现年度盈利。
价格端，受三大巨头产能转向 HBM 影响，通用 DRAM 供给急剧收缩。2026 年一季度，常规 DRAM 合约价环比涨幅高达 90% 至 95%。长鑫科技位元出货量仅环比增长 11%，但平均售价（ASP）环比暴涨约 57%，释放了巨大的利润弹性。
成本端，随着合肥、北京厂区产能爬坡，月产能接近 35 万片晶圆，利用率近 99%。规模效应显著摊薄了单位固定成本，推动毛利率从 2023 年的负值飙升至 2026 年一季度的 70%。
产品结构上，LPDDR 系列成为核心现金牛，2025 年收入占比超 66%。这得益于端侧 AI 硬件需求的爆发，使得 LPDDR 整体需求增速超过产能扩充速度。尽管与国际巨头仍有差距，但供需失衡让长鑫无需降价即可获取竞争优势。
端侧 AI 带来的战略空间
尽管 AI 时代的利润高地 HBM 仍由 SK 海力士等巨头把控，且长鑫在该领域存在 3~5 年的制程代差，但市场格局的变化为其提供了新的战略窗口。
随着 AI 应用从训练向推理迁移，市场对存储芯片的需求出现分层。对于成本敏感的推理场景，LPDDR 成为 HBM 的高性价比平替方案。高通、英特尔等厂商已在推理芯片中大规模采用 LPDDR，预计 2027 年 AI 推理对 LPDDR 的需求将占全球总供应的 36%。
这一趋势降低了 HBM 在 AI 算力市场的绝对统治力，使长鑫科技无需在 HBM 领域全面超越巨头，即可通过深耕 LPDDR 在 AI 推理市场占据重要席位。同时，长鑫正借鉴“跳代”策略，在上海新厂布局 HBM 产线，直接攻坚 HBM3E 等先进节点，加速缩小技术差距。
真金白银拉动国产供应链
长鑫科技的 IPO 不仅是自身的里程碑，更是国产半导体供应链的重大利好。募资中逾 220 亿元用于设备购置，构成了实质性的“超级订单”。
目前，长鑫整体设备国产化率已达 40% 至 50%。在刻蚀和薄膜沉积环节，中微公司、北方华创、拓荆科技等国产厂商已实现规模化放量。其中，北方华创独家拿下近 45% 的相关订单。
尽管在光刻、量测等环节仍面临“卡脖子”风险，但随着长鑫扩产周期的推进，国产设备商将迎来新一轮验证与放量机会。长鑫科技正以真金白银的投入，强行拉动一条自主可控的 DRAM 全产业链。
