2026 年 7 月 27 日,长鑫科技集团股份有限公司在上交所科创板完成挂牌上市。作为国内唯一能够实现 DRAM 芯片规模化量产的本土企业,本次 IPO 创下科创板成立以来募资规模新高,上市首日二级市场交易表现亮眼。这次上市不只是企业登陆资本市场的标志性事件,更是国内存储芯片自主可控产业发展的重要分水岭。文章内容全部结合企业官方发展时间线、招股公示数据、权威行业媒体公开报道整理,客观复盘长鑫从项目启动到上市的完整发展路径。

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一、行业供给存在短板,国产存储项目落地合肥
长鑫成立之前,全球 DRAM 市场长期由三星、SK 海力士、美光三家海外企业把控,三者合计占据九成以上市场份额。我国是全球电子产品终端制造与消费大国,手机、台式电脑、服务器、数据中心所需内存芯片大多依靠进口,每年存储芯片进口规模突破千亿元,DRAM 也长期被视作国内半导体行业亟待突破的短板领域。
2016 年,兆易创新创始人朱一明与合肥市敲定产业合作方案,业内将此次国产 DRAM 攻坚项目称作 “506 工程”。同年 6 月,企业前身睿力集成于合肥完成工商注册,合肥正式启动千亿级存储芯片产业基地布局。彼时朱一明团队已经在 NOR Flash 赛道实现技术商业化落地,但十分清楚 DRAM 作为数字产业基础硬件,国内不能长期依赖海外供给。
2017 年 3 月,合肥长鑫一期 12 英寸晶圆生产基地正式开工建设。一期项目总投入 180 亿元,资金由兆易创新与合肥产投共同出资,其中合肥产投承担八成资金支持。整个合肥存储产业基地远期规划总投入 1500 亿元,也是当年安徽省单笔投资体量最大的高新技术产业项目。
项目研发阶段遇到的困难远超行业初期预估。企业通过合规专利授权渠道获取基础 DRAM 技术资料,但海外专利壁垒、设备适配调试、晶圆生产良率等一系列技术难题,都需要国内研发团队一步步自主攻关。2018 年 1 月,合肥一期厂房建设完工,设备进场安装调试;当年 7 月,厂区完成首轮验证投片,顺利产出 8Gb DDR4 工程样品,国产 DRAM 研发迈出实质性一步。

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二、十年持续攻坚,实现 DRAM 从 0 到 1 商业化量产,产品完成全品类迭代
2019 年是长鑫技术落地、实现商业化的关键一年。9 月份,企业自主研发、本土工厂制造的 8Gb DDR4 芯片在世界制造业大会公开亮相,这也是大陆首款具备自主知识产权、可规模化量产的 DRAM 芯片,补齐国内 DRAM 量产空白。同年 11 月,长鑫拿到首批商业订单,自研内存芯片正式对外供货,国内市场长期无国产内存芯片稳定供货的局面就此改变。
量产初期,企业持续面临晶圆良率不足、生产成本偏高、下游客户产品验证周期漫长等问题,叠加全球存储行业多轮下行周期冲击,企业连续多年出现大额亏损,十年累计亏损总额超 366 亿元,2023 年行业下行阶段单年亏损金额达到 163 亿元。行业低谷阶段,合肥本地国资持续持续增资托底,国家大基金二期 2021 年完成 47.6 亿元战略入股,依靠长期稳定资金支撑,企业顺利度过行业寒冬,持续推进产线建设与技术研发。
这些年,长鑫形成合肥、北京两大生产基地协同布局的模式,产能稳步释放,产品同步迭代升级:产能建设层面,2020 年 6 月北京 DRAM 一期项目启动建设,2021 年底北京二期厂房开工;2022 年北京一期产线通线投产,合肥二期主厂房同步封顶,双基地多产线生产格局落地,12 英寸晶圆产能逐年爬坡。产品研发层面,2023 年推出移动端 LPDDR5 系列芯片;2024 年 DDR5 芯片实现大批量量产;2025 年高速 LPDDR5X 产品正式推向市场,面向 AI 服务器的专用内存芯片完成客户送样,HBM 高带宽存储产品同步开展前期研发工作。市场份额方面,Counterpoint、IC Insights 等第三方机构统计数据显示,2025 年末长鑫全球 DRAM 市场占有率提升至 7.67%,2026 年一季度份额进一步增长至 8%,稳居国内第一、全球第四的位置,打破海外三家企业长期垄断市场的格局。下游合作客户覆盖阿里云、腾讯、联想、小米以及国内多家头部服务器制造厂商。知识产权层面,截至上市前夕,企业累计申报境内外数千项专利,专利范围覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全产业链环节,搭建起自主可控的知识产权体系,降低对海外技术的依赖。
2025 年,AI 算力产业爆发带动存储行业进入上行周期,长鑫全年经营实现扭亏,全年净利润 18.75 亿元;2026 年一季度,企业营收 508 亿元,净利润 247.6 亿元,经营基本面出现根本性好转,也为登陆科创板打下扎实业绩基础。
三、科创板大型 IPO 落地,募资全部投入存储主业
2026 年 7 月 27 日,长鑫科技正式登陆上交所科创板,证券代码 688825,以下发行、募资相关数据全部来自公司招股说明书与上交所官方披露公告。
(一)本次 IPO 核心发行数据
本次发行定价 8.66 元每股,未启用超额配售选择权的前提下,募资总额 579.19 亿元,刷新科创板开板以来 IPO 募资记录;如果全额行使绿鞋机制,整体募资规模可达 666.07 亿元。上市首日市场资金对国产存储赛道认可度较高:集合竞价阶段开盘涨幅 471.59%,开盘后企业总市值突破 3.31 万亿元,当日市值规模位居 A 股全部上市公司首位;盘中股价最高涨幅超 530%,收盘股价 49 元,单日涨幅 465.82%,个股全天成交额 1412 亿元,创下 A 股个股单日成交新高。本次战略配售参与方包含国家大基金二期、社保基金、阿里云、中兴通讯、蔚来汽车等产业链上下游企业与国家级产业投资机构,能够看出产业资本、国家级基金对长鑫长期发展价值的统一认可。
(二)募集资金具体投向
招股文件明确,本次募集资金全部用于 DRAM 主业研发与产能扩建,资金不会用于偿还企业债务或是股东分红。招股规划三大主业项目总投资 295 亿元,本次实际募资 579.19 亿元,超出规划的资金依旧全部投入存储技术研发与产能扩建工作,具体投向分为三部分:第一,存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目,投入 75 亿元。资金用于合肥、北京现有 12 英寸产线工艺优化,提升晶圆生产良率、压缩制造成本,同步扩大国产半导体设备验证产线规模,带动国内刻蚀、薄膜、硅片、电子特气等上游配套产业发展,持续提升 12 英寸等效晶圆月产能,提高国内存储芯片自给比例。按照规划,2026 年底企业 12 英寸等效晶圆月产能可达 35 万片,2028 年月产能目标 50 万片。第二,DRAM 存储器技术升级项目,投入 130 亿元。主攻 17nm DRAM 先进制程研发,缩小和国际头部厂商的工艺差距;同步开发适配 AI 服务器的 DDR5、MRDIMM 高算力内存、车载与工业级存储芯片,抓住大模型、数据中心、智能汽车产业发展带来的高端存储增量需求。第三,动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目,投入 90 亿元。布局下一代存储架构、HBM 高带宽内存等前沿技术,提前布局未来算力硬件赛道,搭建长期技术壁垒,弥补国内高端 AI 存储产品供给短板。
四、长鑫上市带来的产业多重价值
优化国内产业链供给结构,降低供应链外部风险此前国内电子制造产业链中,内存核心零部件长期依靠海外供货,海外厂商可通过调整产能、操控产品定价、限制供货等方式影响国内终端企业生产经营。随着长鑫产能持续扩张,国内云服务商、消费电子、车企都能拿到稳定的国产存储货源,缓解存储芯片供给波动、价格大幅起伏带来的行业风险,加快存储领域国产替代节奏。
为国内硬科技企业搭建成熟融资参考模板科创板设立初衷就是扶持高端制造、自主创新类硬科技企业。长鑫作为重资产、长周期运营的芯片制造企业,顺利完成数百亿规模 IPO,证明国内资本市场有能力承接大型芯片制造企业的融资需求,也为半导体设备、材料、芯片设计等存在技术短板赛道的企业,提供一套可参考的资本化路径。百亿级资金持续流入存储研发领域,打通产业培育、资本市场融资、技术迭代升级的正向循环。
改变全球 DRAM 行业竞争格局,提升国内芯片行业话语权过去四十多年,全球 DRAM 市场产能、定价话语权始终掌握在三家海外巨头手中。长鑫作为全球第四家具备 IDM 全流程量产能力的 DRAM 厂商,打破市场三足鼎立的旧格局。全球芯片行业竞争加剧的当下,国产存储企业成长,能够提升我国半导体产业对外议价能力,推动全球存储市场形成多元供给格局。
带动上下游产业协同发展,培育本土集成电路产业集群长鑫扩产过程中,大批量导入国产刻蚀机、靶材、湿电子化学品、硅片等本土设备材料,持续给国内上下游企业提供工艺验证、批量供货机会。本次募资落地后产能持续扩张,会进一步拉动合肥、长三角区域集成电路产业集群发展,创造大量半导体相关岗位,完善国内存储全产业链配套体系。
五、结语:上市只是全新起点,国产存储技术攻坚仍在路上
从 2016 年 “506 工程” 立项,到 2019 年首款国产 DDR4 芯片实现量产,再到 2026 年登陆科创板,十年时间里,长鑫科技走完了一条资金投入大、研发周期长、技术难点密集的自主创新道路。二级市场的高市值、大额募资,是市场对企业十年深耕自主创新的阶段性认可,但这并不是企业发展的终点。
客观来看,对比三星、SK 海力士、美光数十年积累的技术优势,长鑫在先进制程、高端 HBM 存储产品、全球客户渠道、生产成本管控等方面依旧存在差距。本次上市募集资金将全部用于技术研发与产能扩建,企业下一阶段核心目标,就是持续缩小和国际头部厂商的技术代差,提高全球市场占有率,实现高端 AI 存储芯片大规模国产化落地。
长鑫十年自主攻坚的经历,也是国内众多硬核科技企业坚守创新、逆势成长的真实缩影。当下数字经济、人工智能产业高速发展,存储芯片作为算力产业底层硬件,战略价值持续凸显。依托资本市场资金加持、地方长期产业资本支持、国内庞大下游市场需求,长鑫科技会持续深耕 DRAM 主业,依靠自主技术夯实产业根基,推动国产存储芯片进军全球高端市场,为国内半导体产业全面自主可控持续输出动力。
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