混合键合技术正率先在逻辑芯粒间规模化应用，而 HBM 的大部分堆叠层仍将由成熟的热压键合（TCB）主导。随着 AI 芯片将更多计算单元、缓存和内存集成于同一封装，芯粒互连成为决定带宽、功耗与可扩展性的关键。传统微凸点受限于间距与信号路径，已难以满足需求；混合键合则通过更高密度的连接显著降低功耗。逻辑芯片扩产节奏明确：预计台积电 SoIC 产能将从 2025 年底的 10kwpm 跃升至 2028 年的 80kwpm。相比之下，HBM 的技术迁移更为审慎，现有 TCB 工艺仍能覆盖大部分堆叠场景。
01 | 微凸点瓶颈倒逼逻辑互连升级
混合键合的首要应用场景是解决逻辑芯粒间更短、更密的互连需求。在 XPU 内部，该技术可提升计算芯粒的晶体管规模与算力密度；使逻辑芯片上方的 SRAM 更贴近计算单元，从而降低缓存访问延迟；同时缩短光引擎与电芯片间的信号路径。
上述场景的核心工程目标一致：压缩原本依赖微凸点的接口尺寸，在有限的封装面积内容纳更多 I/O。随着 AI 处理器向多裸片架构演进，芯粒互连的带宽与能耗直接制约芯片性能上限。微凸点在增加连接数时，会挤占高速信号、供电及散热空间。混合键合不仅缩短了互连路径，更将先进封装从单纯的“堆叠工序”升级为逻辑架构的关键组成部分。
02 | 逻辑端领跑：SoIC 产能加速扩张
逻辑端的发展节奏可通过产能与设备数量量化。据测算，台积电 SoIC 月产能将从 2025 年底的 10kwpm 增至 2028 年的 80kwpm；每新增 1kwpm 产能约需配置 5 至 6 台混合键合设备。据此推算，逻辑端混合键合设备装机量将从 2025 年的 137 台激增至 2028 年的 582 台，市场规模由 1 亿美元攀升至 8.87 亿美元。
这一增长曲线背后有明确的产品支撑：AMD 与苹果已率先采用相关封装技术，Google TPU、Groq LPU 及英伟达下一代多裸片 GPU 也被纳入后续扩产规划。英特尔的 Foveros Direct 3D 技术也将随 Clearwater Forest 等 CPU 产品推进。台积电现有设备主要服务于 AP6 项目，未来 SoIC 扩产将分三阶段实施：初期承接基础应用，中期部署 HPC 芯粒，后期扩展至晶圆级多芯片模块。逻辑端的演进并未等待单一存储标准成熟，而是直接由芯粒化计算的连接密度需求驱动向前。
03 | HBM 暂缓切换：TCB 仍有生存空间
尽管 HBM 需求持续增长，但混合键合并未立即取代 TCB。当前 TCB 工艺仍具备三项工程缓冲空间：
- HBM4E 的堆叠高度标准可能从 775 微米放宽至约 900 微米；
- 新一代产品或以 12 层为主流，层数压力小于 16 层路径；
- 三星与 SK 海力士正通过新型散热方案延续现有技术路线。
更宽松的高度、层数及散热条件，为 TCB 保留了继续应用的市场窗口。
材料端给出的过渡方案较为克制：若三星于 2027 年在 16 层 HBM4E 中导入混合键合，初期可能仅在底部 1 层采用，其余 15 层继续使用 TCB；若 HBM4E 止步于 12 层，全面导入时间或延后至 2028 年的 HBM5 阶段。SK 海力士与美光的跟进计划同样聚焦于 HBM5。在 HBM 领域，混合键合的角色先是局部减负，待堆叠高度增加、I/O 通道从 2,048 迈向 4,096 带来更大压力后，其重要性才会显著提升。
04 | 2028 年市场展望：双轨并行的百亿赛道
预计 2028 年混合键合总市场规模将达到约 13.76 亿美元，其中逻辑端贡献 8.87 亿美元，HBM 端贡献 4.89 亿美元。同期 HBM 整体键合市场预计达 18.05 亿美元，TCB 仍占据主导地位。HBM 端 4.89 亿美元的混合键合测算，基于 2028 年 1,022kwpm 总键合产能与 15% 综合渗透率的假设，剩余约 85% 的需求仍由 TCB 承接。这意味着 HBM 设备市场将持续增长，但混合键合仅切分部分新增连接层需求，不会一次性替换既有 TCB 产线。
相较于逻辑端，HBM 的键合难度较低，对准精度要求更宽松，每增加 1kwpm 产能仅需 2 至 3 台设备。然而，制造难度的优势并未促成其更早全面替代 TCB，根本原因在于系统规格限制：现有的高度、层数及散热条件尚未将 TCB 逼出有效工作区间。HBM 对混合键合的采纳将紧随规格压力的提升，而非单纯取决于设备能力的进步。
结语 | 逻辑先行，HBM 静待规格破局
逻辑芯粒对高互连密度的迫切需求，已推动 SoIC 产能进入规模化扩产阶段。反观 HBM，TCB 仍是解决大部分层间连接的主力，混合键合将率先应用于底部连接或超高堆叠场景。HBM 是从底部少数层开始渐进式导入，还是等到 HBM5 时代才大规模铺开，取决于产品规格能否持续将 TCB 推向物理极限。最终，芯粒架构演进、HBM 堆叠高度、I/O 数量增长以及散热能力的突破，将共同决定混合键合技术的普及速度。
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