长鑫存储，正在穿过DRAM最难的制造关口- 大数跨境

半导体产业报告

2026-07-27

导读：DRAM的缺口，从来不只写在供需表上；它还藏在每一片晶圆、每一次封装和每一轮客户验证里。

DRAM 的供需缺口不仅体现于数据报表，更深植于晶圆制造、封装测试及客户验证的全产业链环节中。长期以来，中国作为 DRAM 主要消费国，在生产端份额有限，先进制程与认证环节多依赖外部。随着 AI 推理对数据吞吐要求的提升，长鑫存储等本土企业正加速从单纯供货向服务器、边缘 AI 及高带宽内存（HBM）核心供应链跃迁。

AI 重塑 DRAM 需求：从终端出货到数据流主航道

在 AI 计算体系中，数据搬运成本往往高于运算本身。代理式任务涉及模型加载、上下文预填充、检索增强及工具调用，需协同调动 SRAM、HBM、DDR 及 SSD 等多层存储资源。尽管计算芯片性能强劲，但数据流转效率常成为系统瓶颈。

在此存储层级中，SRAM 负责高速局部访问，HBM 提供紧贴加速器的高带宽，DDR 支撑大容量工作集，SSD 则存储冷数据。DRAM 虽非 AI 的全部，却是各层级不可或缺的底座。随着模型上下文拉长及多智能体并发增加，服务器对内存容量、带宽和低时延的需求同步攀升，AI 推理如同生产线，而内存则是关键传送带。

传统 DRAM 产能多跟随手机和 PC 出货量规划，而 AI 推理集群将模型权重、KV 缓存及用户状态分散于不同层级，导致访问模式更碎片化且持续性强。市场需求不再单纯依赖终端数量，带宽、时延与可用容量的组合决定了服务器的并发处理能力，存储行业正面临由工作负载重构的需求地图。

跨越门槛：从消费电子迈向服务器与 HBM

LPDDR 主导低功耗移动市场，而进入服务器领域的 DDR5 则面临容量密度、持续供货、平台适配及长期稳定性的严苛考验。数据显示，2025 年长鑫存储 LPDDR 系列营收占比为 66.43%，DDR 系列升至 31.87%（2023 年为 20.16%）。依托消费市场的出货基础，本土厂商正加速向高验证门槛的服务器场景渗透。

服务器内存的挑战隐于细节：需在数据中心连续运行数年，兼容不同 CPU 平台，并经受高温、高负载及批次一致性的考验。厂商从手机规格切入服务器，不仅需提供高密度颗粒，更需具备被整机厂和云客户认可的质量记录。漫长的客户验证周期，实质是为整个系统承担故障成本的必要过程。

HBM 进一步抬高了行业门槛。据悉，长鑫已向国内头部 ICT 企业送样 HBM3，HBM3E 仍在研发中，认证周期漫长。HBM 产品需历经晶圆制造、堆叠封装、接口协同及整机负载的全链路检验，任一环节受阻都将影响最终出货。

在边缘推理场景中，存储架构正向逻辑芯片靠拢。对比 MCM 方案约 200GB/s 的带宽，DRAM-on-logic 晶圆堆叠方案理论上可达 1TB/s。虽尚未量产，但这表明当带宽成为瓶颈时，缩短存储与计算的距离是必然趋势。

产能进阶：良率是扩产的核心变量

测算显示，长鑫存储 2025 年末产能约为 28 万片/月，若上海先进制程与 HBM 项目顺利推进，2028 年末有望达到 55 万片/月。然而，名义产能仅是起点，DRAM 工厂真正交付的是经稳定验证的合格比特。

有效产能需综合考量稼动率、良率、单片晶圆有效比特及产品结构。随着制程节点微缩，工艺窗口变窄，微小缺陷或波动均可能阻碍扩产进程。先进 DRAM 的核心壁垒，在于日复一日的生产稳定性。

估算显示，当前主力技术节点约在 16—17 纳米，良率区间为 75%—85%。随着节点下探，单位晶圆有效比特、报废率及产品组合将动态变化。DDR5 起量良率低于成熟 DDR4，HBM 导入期亦面临同样爬坡压力。产能曲线可快速拉升，但良率需在批量生产中逐步打磨。

供应链协同：本土化决定持续出货能力

目前长鑫存储设备本地化率不足 40%。从刻蚀、沉积到封装测试，任一环节的国产化替代均需经受工艺窗口、污染控制及良率波动的多重考验。本土化的成功标准，应体现在连续量产中的高稼动率、稳定良率及可靠交付。

产业链各环节节奏各异：

设备进场需先通过工艺窗口验证；
材料替换需在长周期批次中证明一致性；
HBM 封装要求裸片、堆叠与测试环节紧密协同。

先进节点与 HBM 放大了这种协同难度。上海产线的扩张被视为关键风险点：若关键设备或材料供应波动，将直接牵连先进制程、HBM 封装及新增产能。供应链任何一处迟滞，终将转化为更低的良率、更慢的认证或更少的出货。

结语：将产能缺口转化为核心能力

中国 DRAM 产业亟需补齐完整制造链，融合手机内存的规模经验、服务器 DDR5 的可靠性、HBM 的封装协同及设备材料的稳定性。未来的产线验收不再依赖叙事，而是基于稳定出片、客户认证及长期供货能力。唯有内存在关键系统中实现持续稳定运行，产能缺口才能真正转化为产业核心竞争力。

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