据媒体报道，中国本土内存制造商长鑫存储（CXMT）近期扩产迅猛，已崛起为全球 DRAM 市场的重要竞争者。分析机构 Citrini Research 数据显示，其制造规模正逐步逼近行业巨头美光（Micron）。
产能扩张直逼国际巨头
预测显示，若所有扩产项目如期交付，到 2026 年底，长鑫存储的 DRAM 晶圆月产能将达到约 35 万片。作为对比，同期美光的预期月产量约为 37.5 万片。对于一家近年来为满足国内需求而快速成长的新兴企业而言，这一规模实属罕见。
建设效率与技术突围
报告指出，长鑫存储在洁净室建设速度上远超行业平均水平，周期仅需约 12 个月，而全球其他主要 DRAM 制造商通常需 21 至 24 个月。
尽管受美国制裁影响无法获取先进的极紫外（EUV）光刻设备，长鑫存储通过深紫外（DUV）光刻技术与多重曝光工艺的组合，成功实现了技术突围。
高端产品量产进展
目前，长鑫存储已开始出货基于 G4 节点的 16 Gb DDR5 芯片，运行速率达 8000 MT/s，芯片面积较上一代缩减 20%。同时，24Gb 模组和 LPDDR5X-10667 等高端产品也已进入量产阶段。
市场驱动与战略授权
长鑫存储当前大部分产能主要由人工智能（AI）领域的高涨需求驱动。与此同时，中国政府正积极鼓励长鑫存储将其 DRAM 技术知识产权向 JHICC、Swaysure 以及扬杰科技旗下 XMC 等国内厂商授权转移。此举旨在缓解国内市场内存供应紧张局面，并为长鑫存储自主 DRAM 产品进入欧盟、美国等全球市场铺路。