半年两次注资，存储芯片龙头再投5亿元加码DRAM！

一、半年两度注资：5亿元如何进入DRAM项目

本次交易采取现金增资方式。兆易创新从“DRAM芯片研发及产业化项目”募集资金专户向珠海芯存投入5亿元，其中5000万元计入注册资本，4.5亿元计入资本公积。增资后，珠海芯存注册资本由1.5亿元增至2亿元。

本次增资方案概览

资料来源：作者自制整理

从交易结构看，5亿元是新增权益资金，不设置换股、业绩承诺或估值溢价，同时内部增资不会形成商誉，不涉及控制权变更。

该DRAM项目调整后的总投资额为35.70亿元，其中拟投入募集资金28.24亿元，预计达到预定可使用状态的时间为2028年12月。

DRAM项目关键时间线

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二、双方业务与财务状况复盘

兆易创新采用Fabless（无晶圆厂）模式，核心产品包括专用型存储芯片、32位通用微控制器（MCU）、智能人机交互传感器和模拟芯片。专用型存储业务覆盖NOR Flash（非易失性闪存）、单层单元型NAND Flash和利基型DRAM。

珠海芯存成立于2024年7月，经营范围包括集成电路设计、芯片及产品销售和技术服务，是DRAM募投项目的重要实施主体。公告没有披露其具体产品结构、客户构成和内部交易规模，因此不能把其全部收入直接等同于终端DRAM销售收入。

交易双方业务与财务情况

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2025年，兆易创新营业收入同比增长25.12%，归母净利润同比增长49.47%。存储芯片业务收入约66.56亿元，同比增长26.41%，占公司收入七成以上。2026年一季度，公司存储产品供不应求并实现量价齐升，带动收入同比增长119.38%、归母净利润同比增长522.79%。

最新业绩预告显示，兆易创新预计2026年上半年实现营业收入约115亿元、归母净利润约69亿元。

珠海芯存2025年已实现收入8.90亿元、净利润2.21亿元；2026年一季度收入和净利润进一步提升。。

二级市场反应

增资公告于7月21日晚披露，当日兆易创新A股已涨停收于475.53元，因此该日上涨不能归因于公告。7月22日，公司股价收于489.00元，上涨2.83%。考虑到此前多个交易日连续大幅波动，市场没有围绕单笔5亿元增资形成清晰、独立的重新定价，股价反应不宜过度解读。

三、从Flash龙头到综合存储平台：产业影响如何落地

第一层影响，是补齐存储产品结构。Flash断电后仍可保存数据，主要承担代码、固件和长期数据存储；DRAM需要持续供电，主要承担设备运行时的高速临时读写。两类产品功能不同，却共同存在于电视、机顶盒、网络设备、工业控制、智能家居和汽车电子等终端。兆易创新由Flash向DRAM延伸，可以从单一优势品类供货升级为多类型存储产品组合。

产品组合扩大后，同一客户可以采购NOR Flash、SLC NAND Flash和利基型DRAM，并进一步与MCU、模拟芯片形成搭配。对客户而言，供应商数量、验证接口和技术支持链条有望减少；对兆易创新而言，单一客户的产品覆盖面和收入贡献可以提高。真正的协同不只来自DRAM销量，还来自存储、控制与模拟产品的交叉销售。

第二层影响，是把成熟产品收入转化为技术迭代基础。兆易创新2021年量产首款4Gb DDR4，此后形成DDR3、DDR4等产品，并在2025年推进DDR4 8Gb市场导入、由LPDDR4开始贡献收入。2024年募投项目将LPDDR3调整为LPDDR5，意味着研发方向正在从传统利基型产品向更高带宽、更低功耗的移动存储延伸。

DDR3、DDR4能够承接电视、网通、工业等存量需求，LPDDR4和LPDDR5则更贴近移动设备、智能座舱及端侧人工智能场景。成熟产品提供现金流和客户基础，新一代产品决定后续技术空间。项目持续至2028年，实质上是在搭建覆盖多代际、多容量和多应用的DRAM产品平台。

第三层影响，是形成“芯片设计+晶圆代工”的本土协作模式。兆易创新掌握产品定义、设计、市场和客户服务，制造环节主要由专业晶圆厂完成。公司预计2026年向长鑫科技集团股份有限公司及其控股子公司采购代工DRAM相关产品约57.11亿元，较2025年实际采购11.82亿元明显增加。

这一模式避免自建晶圆厂带来的巨额资本开支，有利于兆易创新把资金集中于研发、产品迭代、验证和市场拓展；同时，晶圆供应、代工价格和交付周期成为业务放量的重要约束。内部增资强化的是设计与产业化能力，长鑫体系提供的是制造端支撑，两者共同构成国内DRAM产业链分工。

第四层影响，是把供给缺口转化为国产替代窗口。国际存储厂商正将更多先进制程和资本开支转向高带宽存储器（High Bandwidth Memory，HBM）、DDR5及服务器产品，DDR3、DDR4等利基型产品的供给相应收缩。国内客户在价格、交付和供应安全之间重新选择供应商，为兆易创新扩大份额创造了条件。

TrendForce集邦咨询预计，2026年第一季度一般型DRAM合约价环比上涨90%—95%，第二季度上涨58%—63%，第三季度仍可能上涨13%—18%。涨价直接改善当期利润，更重要的产业影响在于客户导入：当海外供应商缩减旧规格产品后，国内厂商一旦通过验证并稳定供货，订单关系可能延续到价格回落阶段。

四、涨价窗口下加速投入：产业扩张的四道考题

第一道考题是价格周期。2026年前两个季度DRAM价格涨幅处在高位，第三季度预计涨幅已经收敛。高价能够抬升收入和毛利，也会推高晶圆采购成本，并削弱消费电子客户的需求承受力。若终端出货下修或供给恢复，价格可能从高位回落。

第二道考题是建设周期与景气周期能否匹配。DRAM项目预计到2028年12月达到预定可使用状态，明显长于一轮短期涨价行情。当前投入需要在价格回落后继续依靠技术升级和市场份额创造回报，不能只以2026年的盈利水平测算长期收益。

第三道考题是供应与库存管理。兆易创新2026年预计向长鑫体系采购的DRAM相关产品金额大幅提升，公司也提示部分采购不会在当年全部售出。晶圆制造周期较长，安全库存能够保障交付，却会占用营运资金；若需求变化快于采购调整，库存跌价和现金流压力可能上升。

第四道考题是新品验证与资本效率。LPDDR5等新产品需要完成流片、测试、送样和客户认证，研发进度不等于收入兑现。珠海芯存一季度利润快速增长，但公告未披露其客户集中度、毛利率和经营现金流。后续应重点观察募集资金使用进度、新品量产节点、代工采购与终端销量的匹配程度。

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