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【硅基经济】闪迪(NASDAQ:SNDK):从终端设备,到数据中心,NAND成为AI基建核心资产

【硅基经济】闪迪(NASDAQ:SNDK):从终端设备,到数据中心,NAND成为AI基建核心资产 六合商业研选
2026-07-13
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导读:随着AI Agent与具身智能发展,未来内存需求将增长1,000倍;HBM后将是HBF、HBS时代,终极AI芯片将演进为一栋100层3D大楼,分别是HBM、HBF、HBS垂直堆叠,GPU位于顶层,负责


硅基经济浪潮是渗透所有维度的范式革命,将重构人类文明底层代码。未来已来,硅基经济不是选择,而是必然,将是席卷人类社会每个角落的基础性范式革命,从能源获取、到生命密码,从价值交换、到文化生产,从基础设施、到劳动力结构,一切都将以硅为基,在全新的规则体系下运转,影响深度与广度将超越以往任何技术革命。


硅基经济专题:闪迪(NASDAQ:SNDK)

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一、AI核心瓶颈,从算力扩展到数据供给,存储体系进入HBMHBFHBS协同演进阶段。

 

1AI竞争进入内存体系时代,数据供给能力成为算力效率关键约束。

 

AI基建核心关键点,从单纯增加算力,扩展到算力与数据供给能力能否匹配。

 

大模型训练、推理、AI Agent、多模态应用扩张后,系统性能越来越取决于模型参数、上下文、键值缓存KV Cache、向量数据库,能否持续、高效、低成本地进入计算单元。

 

GPU只有持续获得数据,才能把峰值算力转化为有效吞吐,内存带宽不足、容量受限、数据搬运延迟上升,会让高成本GPU等待数据,限制数据中心发挥算力能力与持续提升算力。

 

HBM之父、韩国科学技术院教授金正浩,提出AI的本质是内存。金正浩强调Transformer模型受到内存带宽、容量、数据搬运等方面的效率约束,数据供给能力,没有同步提高,新增算力无法充分转化为Token吞吐。

 

金正浩预计,随着AI Agent与具身智能发展,未来内存需求将增长1,000倍;HBM后将是HBFHBS时代,终极AI芯片将演进为一栋1003D大楼,分别是HBMHBFHBS垂直堆叠,GPU位于顶层,负责计算与散热装置。

 

2AI时代的存储体系,不只DRAM产品,是从芯片缓存,延伸到持久化存储的多层存储体系,不同产品在速度、容量、成本、功耗、持久性方面各有优势。

 

静态随机存取存储器SRAM速度最快,密度低、成本高;DRAM延迟较低、适合频繁读写,需要持续刷新;NAND容量大、单位成本低、断电后能够保留数据,读取延迟、写入性能、耐久性弱于DRAM;普通硬盘,单位容量成本更低,随机访问性能有限。

 

AI系统规模扩大,要求数据在不同层级之间更准确放置、调度、迁移。存储行业的价值,由保存更多数据,扩展到把正确的数据,在正确时间,送到正确的计算单元。

 

3HBM完成AI存储第一轮重估,近端带宽成为AI加速器性能的重要组成部分。

 

HBM产业意义,不只体现在价格与利润率。HBM采购,更强调客户认证、联合开发、良率、先进封装、长期供给、产品路线协同。

 

HBM4可通过定制基础裸片集成控制、通信等功能,推动存储厂商提前参与加速器架构设计。

 

存储厂商与AI客户间关系,由短周期标准化采购,逐步转向多年期技术协同与产能规划。

 

HBM解决AI加速器近端的高带宽问题,没有消除容量与成本约束。推理与AI Agent,扩大上下文数据,HBM无法单独承担全部容量需求。

 

AI基础设施,从训练集群,扩展到大规模推理,存储需求的形成机制随之变化。

 

4HBF位于HBM与传统存储之间,NAND开始进入AI近端内存体系。

 

高带宽闪存HBF,是基于NAND闪存构建的新型高带宽数据层产品。

 

HBF借鉴HBM的多裸片堆叠、宽接口、先进封装思路,尝试把NAND从传统持久化存储介质,转变为更靠近AI加速器的高容量内存扩展层。

 

HBFHBM更适合形成互补,不是相互替代。

 

HBM负责最热、对延迟最敏感的数据;HBF计划承载容量更大、读取密集、可以提前调度的数据;企业级SSD等,继续承担更大规模持久化任务。

 

HBF目标不是达到与HBM完全相同的访问延迟,是在容量、带宽、成本、功耗、持久性间形成新的平衡,让部分数据不必长期占用昂贵HBM

 

5HBS代表更远期高速缓存设想,产业成熟度低于HBF

 

高带宽静态随机存取存储器HBS,是金正浩在HBMHBF外提出的前沿概念。

 

SRAM不需要像DRAM一样周期性刷新,访问速度快,通常用于处理器内部缓存;SRAM密度低、面积大、成本高,现阶段难以承担大容量主内存功能。

 

HBS设想通过晶圆级SRAM、三维堆叠扩大高速缓存容量,处于概念研究阶段,制造成本、良率、互连、供电、散热、软件适配等,都需要长期验证。

 

未来HBMHBFHBS不是顺序替代关系,分别承担高带宽近端内存、大容量近端闪存、高速缓存等功能。

 

6、闪迪推动HBF从企业技术路线走向开放标准,NAND价值重估需客户验证。

 

HBF产业化,不是单一企业决定,闪迪是当前HBF技术路线的重要推动者。

 

2025年,闪迪发布技术资料显示,第一代HBF目标读取带宽为1.6TB/s,单颗裸片容量为256Gb16层堆叠总容量为512GB,物理占用、功耗特征、堆叠高度接近HBM4;提出第二代HBF,目标是读取带宽超过2TB/s、容量最高达到1TB;第三代HBF目标,是读取带宽超过3.2TB/s、容量最高达到1.5TB

 

20258月,闪迪与SK海力士签署合作备忘录,共同定义HBF技术规格、产品要求、生态体系。

 

20262月,闪迪与SK海力士宣布在开放计算项目OCP框架下,建立HBF专项工作组,推动全球标准化;开放标准有助于降低不同厂商、芯片、服务器间采用门槛,说明HBF从单一企业路线,进入多厂商共同定义规格的阶段。

 

闪迪目标在2026年下半年提供首批HBF样品,预计首批搭载HBFAI推理设备,2027年初进入样品阶段。

 

样品、客户验证、量产间,有明显距离。HBF需要依次完成规格确定、样品交付、加速器适配、服务器验证、软件支持、可靠性测试、量产爬坡,短期不能被视为已形成收入的新产品。

 

、闪迪是美国资本市场中少数纯NAND资产,AI驱动存储价值重估背景下,业绩爆发式增长。

 

1、闪迪是全球NAND商业化重要推动者,发展历史贯穿NAND应用扩张过程。

 

2闪迪产品体系丰富,横跨三类终端市场,数据中心成为关键增长方向。

 

闪迪产品体系,围绕NAND Flash展开,覆盖数据中心、边缘设备、消费终端三类市场,形成互补结构,收入兼具规模基础与成长弹性。

 

数据中心,决定闪迪增长弹性与毛利率上限;边缘设备,提供闪迪最大收入基本盘、与海量终端设备覆盖;消费终端,提升消费者对闪迪品牌认知与销售渠道深度。

 

NAND厂商如果只做上游晶圆,容易受价格周期影响;如果只做消费级品牌,难以获得先进制造与数据中心客户溢价。闪迪特殊之处,是同时拥有制造协同、企业级产品、消费级品牌。

 

TrendForce发布2026Q1全球NAND Flash供应商收入排名,闪迪以59.5亿美元单季收入、13.9%收入份额,与美光并列全球第4

 

2026Q1,三星NAND收入,全球市场份额31.6%,位列第1SK海力士份额17.6%,位列第2;铠侠约13.9%,位列第3;美光与闪迪约13.9%,并列第4

 

3闪迪是美国资本市场中少数纯NAND资产,拆分上市,放大市场定价效率。

 

西部数据原有业务,覆盖机械硬盘HDDNAND,两类业务在技术路线、客户结构、资本开支、周期波动、估值逻辑上,存在明显差异。

 

20252月,西部数据将NAND业务拆分为独立公司闪迪,在纳斯达克上市。

 

拆分后,投资者不再需要通过西部数据同时评估HDDNAND两类业务,可直接交易纯NAND资产与企业级SSD需求,充分受益AI驱动存储价值重估。

 

资本市场对闪迪重估,不只是NAND价格上行,核心是闪迪同时具备三个稀缺属性。

 

行业需求、独立上市、财务兑现等,共同强化闪迪投资叙事,使闪迪不再只是终端存储品牌,核心是AI数据中心存储基础设施中的重要资产。

 

4、闪迪能长期跻身全球NAND核心厂商,关键在于与东芝/后来的铠侠,形成20多年合资制造体系。

 

NAND是资本开支密集、技术迭代快、良率爬坡复杂的行业,单靠品牌与控制器能力,难以形成长期竞争优势。

 

闪迪通过Flash Ventures合资实体,与东芝/铠侠共同开发与制造NAND晶圆,获得接近一线IDM(设计、制造一体化模式)厂商的制造与技术基础。

 

闪迪与铠侠联合建立NAND晶圆研发与制造平台Flash Ventures,由Flash PartnersFlash AllianceFlash Forward三个合资实体组成。

 

闪迪在每个实体中持有49.9%权益,铠侠持有50.1%权益,双方共同控制与运营。

 

闪迪与铠侠联合研发BiCSCBA等核心技术,共享知识产权,分担百亿美元级的晶圆厂建设成本,铠侠负责晶圆厂的日常制造与运营管理。

 

Flash VenturesNAND晶圆产出,通常由闪迪与铠侠分别购买约50%,采购价格按生产成本+少量加成确定。

 

闪迪与铠侠获得NAND晶圆后,分别完成封装测试、控制器与固件开发、产品设计、客户认证等后续环节,形成各自品牌的存储产品,独立对外销售。

 

闪迪与铠侠,持续围绕BiCSCBA建立技术体系,是双方参与全球先进NAND竞争的核心基础。

 

5NBM协议,提高闪迪业绩稳定性,弱化传统NAND周期属性。

 

闪迪开始采取新商业模式协议NBM,是市场关注闪迪估值逻辑的关键变量。NBM可理解为闪迪与大客户签署的多年供货安排,客户用财务承诺锁定未来供应,闪迪用长期订单提高收入稳定性。

 

闪迪2026财年Q3财报披露,截至202643日,已签署3NBM协议,20264月又签署2份,合计5NBM协议;相关协议安排,与美光战略客户协议SCA,存在相似逻辑,核心都是让客户提前锁定供给,厂商获得更高收入稳定性与更低扩产风险。

 

闪迪签署多年协议的客户,通常是数据中心、云计算、企业级设备等高价值客户;协议覆盖扩大,说明闪迪在企业级SSD与高价值NAND产品中,获得更强客户黏性,说明大型客户开始把NAND供应安全,放到与GPUHBM、网络设备相似的基础设施供给稳定的框架中。

 

6NAND上行周期,显著放大闪迪利润弹性。

 

闪迪2026财年(闪迪财年为每年7~次年6月)前3季度,收入112.8亿美元(+106.9%),超过2025财年全年收入,净利润45.3亿美元(+380.0%),毛利率61.1%,净利率40.1%

 

闪迪2026财年Q3,收入59.50亿美元(同比+251.0%、环比+96.7%),净利润36.15亿美元(同比+287.0%、环比+350.2%),毛利率78.4%,净利率60.8%

 

闪迪上修2026财年Q4指引,预计2026财年Q4收入77.5~82.5亿美元,非GAAP毛利率79.0%~81.0%,非GAAP摊薄每股收益EPS 30~33美元。

 

按闪迪2026财年Q4指引,闪迪2026财年全年收入约190.3~195.3亿美元,相比2025财年73.6亿美元收入,同比增长158.6%~165.4%

 

闪迪管理层对未来需求保持乐观,核心依据是客户需要更多高容量、高性能NAND产品支撑AI数据中心、边缘设备。

 

闪迪同时强调NBM协议与确定财务承诺,说明客户从短期采购、转向长期供给锁定;闪迪2026财年Q4指引与NBM协议结合,是资本市场继续重估闪迪的重要原因。

 

7闪迪股价大幅上涨,是AI存储叙事、业绩兑现、供给约束共同作用结果。

 

2025224日,闪迪从西部数据中拆分上市,不是传统IPO,没有发行价;正式上市前,闪迪股票以临时代码SNDKV交易,收于36美元,作为拆分上市的基准价格。

 

截至2026710日美股收盘,闪迪股价1,915.92美元,市值2,837亿美元,相比2025224日拆分上市的基准价格36美元,闪迪上市后累计涨幅超过52倍。按当前股价计算,闪迪TTM PE63倍;按闪迪2026财年非GAAP EPS指引计算,2026财年前瞻PE31倍。

 

AI数据中心扩张,带来企业级SSD需求井喷,加上消费电子对存储芯片需求从低谷修复,NAND厂商前期资本开支收缩,限制近年来的新增供给,供需紧张共同推高NAND价格与毛利率,闪迪作为纯NAND资产,显著受益NAND行业逻辑变化与自身业绩爆发。

 

2026630日,伯恩斯坦发布研报,维持闪迪跑赢大盘评级,将目标价从1,700美元,上调至3,000美元,相比目前闪迪股价1,916美元,对应约57%上涨空间。

 

三、存储超级周期持续演进。

 

1SK海力士登陆纳斯达克,不只是大规模股权融资,也为全球资本提供交易全球核心存储资产的直接渠道。

 

2026710日,SK海力士的美国存托凭证ADR,开始在纳斯达克交易,发行价149美元,开盘170美元,收盘168.01美元,相比发行价上涨12.8%,收盘市值1.22万亿美元。

 

SK海力士发行1.779亿份ADR10ADR对应1股韩国普通股,募资总额约265亿美元,成为美股史上规模最大的非美国企业股票发行。

 

SK海力士韩国股票是主要上市主体,美国ADR形成美元交易与全球融资平台,截至2026710日收盘,SK海力士美股,相比韩股,溢价约16%

 

SK海力士美股上市,通过大规模融资,增强扩产能力。SK海力士披露,募资主要用于建设韩国晶圆厂、采购先进制造设备,包括阿斯麦ASML极紫外光刻机EUV等。

 

SK海力士美股上市,有助拓宽投资者范围,推动估值水平提升。SK海力士在HBM生产规模、技术成熟度、英伟达合作深度等方面,处于存储行业领先地位,长期因韩国市场流动性、投资者结构等因素,影响估值水平。

 

汇丰研究显示,过去13年,美光相对SK海力士平均有约35%估值溢价。

 

SK海力士美股上市前,未来12个月前瞻PE5.5倍;美光未来12个月前瞻PE6.7倍,美光估值溢价降至约21%

 

SK海力士在美股发行ADR,减少美国投资者面临的时区、货币兑换、托管、交易规则等障碍,使SK海力士与英伟达、台积电、美光等头部芯片公司一样,进入美国机构投资者的AI硬资产配置框架。

 

SK海力士ADR发行价149美元,相比韩国股票此前3个交易日均价,溢价2.7%,投资者认购需求超过发行规模7倍,代表美国投资者愿意为交易便利与AI存储稀缺性支付溢价。

 

SK海力士管理层,对未来几年存储供需格局预测,显著强于市场主流判断,核心依据是AI需求增速,超过新增产能释放速度。

 

SK集团董事长崔泰源表示,SK海力士计划5年内将晶圆产能扩大一倍,客户仍要求SK提供更大规模产能。

 

SK海力士CEO Kwak Noh-jung预计,2027年可能成为存储行业供给最紧张的1年,即使大规模扩产,客户需求到2030年以后,可能仍高于SK海力士供给能力。

 

SK海力士考虑推出内存即服务模式,代表对存储行业未来商业模式探索,距离形成稳定收入有较长路径。

 

SK集团董事长崔泰源提出,SK海力士未来可让客户按照内存使用量付费,不是一次性购买全部芯片,该模式落地需要内存资源池、服务器互连、软件调度、容量监控、客户部署、使用量计费等共同配合。

 

内存即服务模式重要意义,是SK海力士开始探索从芯片制造商,向AI基础设施资源与解决方案提供商延伸,但内存资源无法完全脱离处理器、服务器、数据中心独立出租,SK海力士尚未披露具体产品、收费标准、客户、收入目标,不能提前视为成熟的经常性收入模式。

 

2202679日,美光CEO Sanjay MehrotraFox Business访谈中表示,全球内存市场处于深度短缺状态,数据中心已贡献超过一半需求。

 

美光加快美国与全球产能建设,需求持续累积,供给追上需求明确时点尚未出现。

 

美光CEO认为,内存是AI创新的关键使能环节,更大容量与更高性能的存储系统,能改善AI模型的准确率、运行速度、智能水平。

 

AI存储需求,将从数据中心,向消费电子、汽车、工业、国防、航空航天等领域扩散。机器人、自动驾驶、端侧AI等应用,需要处理与保存更多数据,将提高DRAMHBMNANDSSD等存储需求。

 

美光把未来几年在美国投资计划,提高至超过2,500亿美元,长期目标是在美国生产约40% DRAM,布局晶圆制造、先进HBM封装、研发能力与美国本土半导体生态,说明美光把AI内存需求,视为长期结构性机会,不是普通存储周期中的短期价格反弹。

 

美光CEO判断表明,存储不再只是AI产业链的配套环节,是影响AI系统性能、成本、扩张速度的关键基础设施。

 

3Meta锁定闪迪长期闪存供应,超大规模算力扩张,把NAND推向AI基础设施核心环节。

 

Meta创始人扎克伯格,近期调整Meta战略定位,计划对外输出云服务能力。

 

Meta推进Meta Compute云基础设施业务,计划提供裸GPU集群租赁、自研大模型托管调用等服务,切入AI云服务赛道,推动此前巨额AI基建投入,从Meta内部成本中心,转化为可对外变现的增长引擎,助力盘活算力资产,提升资本开支回报率,强化MetaAI产业中的基础设施话语权与长期竞争力。


Meta大规模扩张AI算力,通过长期供应协议,提前锁定关键硬件。

 

202679日,路透社援引Meta内部备忘录报道,Meta计划在2026年部署7吉瓦计算基础设施,2027年把总规模扩大至14吉瓦,2026AI基础设施支出最高可能达到1,450亿美元。

 

为降低芯片短缺和价格上涨对建设进度的影响,Meta已经分别与三星、闪迪、日本住友电工签订多年期供应协议,覆盖内存芯片、闪存存储、光纤设备等环节。

 

Meta算力扩张,反映AI数据中心竞争,已从采购GPU,延伸至存储、网络、电力、散热等完整基础设施。

 

AI训练、推理、智能体、推荐系统,持续产生海量数据,数据中心不仅需要HBM提供高带宽内存,也需NAND与企业级SSD承担大容量持久化存储。

 

Meta与闪迪签订长期协议,说明闪存供应已成为超大规模数据中心规划中的关键约束,头部客户需要提前锁定产能、数量、价格机制,保障长期算力部署。


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