人工智能浪潮正将存储芯片的性能需求推向前所未有的高度，不仅要求更大的容量，更对读写速度、能效比提出严苛挑战。面对这一趋势，存储大厂铠侠近日宣布，开始交付采用第十代BiCS FLASH™技术的1TB TLC存储器件样品。该产品主要面向企业级和数据中心固态硬盘（SSD），旨在精准匹配AI存储对高性能、大容量和低功耗的复合需求。
从技术参数来看，第十代BiCS FLASH™实现了全面跃升。堆叠层数提升至332层，较第八代产品增长超过50%；NAND接口速度达到4.8GB/s，相比第八代提升33%；位密度同比提升59%，达到业界领先的29+ Gb/mm²。在能效表现方面，写入能效提升18%，读取能效提升30%，有助于显著降低数据中心的整体能耗。
生产方面，该产品将在铠侠位于日本岩手县北上工厂的Fab2设施生产，依托最新先进制造设备保障量产交付。铠侠计划于2027年正式启动第十代BiCS FLASH™的量产工作。
在市场定位上，第十代BiCS FLASH™主要聚焦高端AI数据中心场景，与第九代产品形成清晰的差异化布局。第九代侧重于成本与性能的均衡，第十代则凭借先进的堆叠工艺实现超大容量与卓越性能，精准匹配AI推理、智能体等对存储密度、读写速度和能效要求极高的应用场景，为下一代数据中心基础设施建设提供关键的存储能力支撑。